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晶圓光刻機試用

來源: 發(fā)布時間:2020-06-04

光刻機處理結果:EVG在光刻技術方面的核心競爭力在于其掩模對準系統(tǒng)(EVG6xx和IQ Aligner系列)以及高度集成的涂層平臺(EVG1xx系列)的高吞吐量的接近和接觸曝光能力。EVG的所有光刻設備平臺均為300mm,可完全集成到HERCULES光刻軌道系統(tǒng)中,并輔以其用于從上到下側對準驗證的計量工具。高級封裝:在EVG®IQAligner®上結合NanoSpray?曝光的涂層TSV底部開口 ;在EVG的IQ

Aligner NT®上進行撞擊40μm厚抗蝕劑;負側壁,帶有金屬兼容的剝離抗蝕劑涂層; 金屬墊在結構的中間;用于LIGA結構的高縱橫比結構,用EVG® IQ Aligner®曝光200μm厚的抗蝕劑的結果;西門子星狀測試圖暴露在EVG®6200NT上,展示了高/分辨率的厚抗蝕劑圖形處理能力;MEMS結構在20μm厚的抗蝕劑圖形化的結果。 EVG光刻機設備,可完全集成到HERCULES光刻軌道系統(tǒng)中,并輔以其用于從上到下側對準驗證的計量工具。晶圓光刻機試用

EVG ® 6200 NT掩模對準系統(tǒng)(半自動/自動)

特色:EVG ® 6200 NT掩模對準器為光學雙面光刻的多功能工具和晶片尺寸高達200毫米。

技術數(shù)據(jù):EVG6200 NT以其自動化靈活性和可靠性而著稱,可在最小的占位面積上提供最/先進的掩模對準技術,并具有最/高的產(chǎn)能,先進的對準功能和優(yōu)化的總擁有成本。操作員友好型軟件,最短的掩模和工具更換時間以及高/效的全球服務和支持使它成為任何制造環(huán)境的理想解決方案。EVG6200 NT或完全安裝的EVG6200 NT Gen2掩模對準系統(tǒng)有半自動或自動配置,并配有集成的振動隔離功能,可在廣/泛的應用中實現(xiàn)出色的曝光效果,例如薄和厚光刻膠的曝光,深腔和類似地形的圖案,以及薄而易碎的材料(例如化合物半導體)的加工。此外,半自動和全自動系統(tǒng)配置均支持EVG專有的SmartNIL技術。 浙江光刻機服務為先EVG在1985年發(fā)明了世界上第/一個底部對準系統(tǒng),對準晶圓鍵合和納米壓印光刻技術方面開創(chuàng)并建立了行業(yè)標準。

EVG620 NT特征2:

自動原點功能,用于對準鍵的精確居中

具有實時偏移校正功能的動態(tài)對準功能

支持最/新的UV-LED技術

返工分揀晶圓管理和靈活的盒式系統(tǒng)

自動化系統(tǒng)上的手動基板裝載功能

可以從半自動版本升級到全自動版本

最小化系統(tǒng)占地面積和設施要求

多用戶概念(無限數(shù)量的用戶帳戶和程序,可分配的訪問權限,不同的用戶界面語言)

先進的軟件功能以及研發(fā)與全/面生產(chǎn)之間的兼容性

便捷處理和轉換重組

遠程技術支持和SECS / GEM兼容性


EVG620 NT附加功能:

鍵對準

紅外對準

納米壓印光刻(NIL)

EVG ® 610曝光源:

汞光源/紫外線LED光源

楔形補償

全自動軟件控制

晶圓直徑(基板尺寸)

高達100/150/200毫米


曝光設定:

真空接觸/硬接觸/軟接觸/接近模式

曝光選項:

間隔曝光/洪水曝光/扇區(qū)曝光

先進的對準功能:

手動對準/原位對準驗證

手動交叉校正

大間隙對準


EVG ® 610光刻機系統(tǒng)控制:

操作系統(tǒng):Windows

文件共享和備份解決方案/無限制程序和參數(shù)

多語言用戶GUI和支持:CN,DE,F(xiàn)R,IT,JP,KR

實時遠程訪問,診斷和故障排除

使用的納米壓印光刻技術為“無紫外線” EVG通過不斷開發(fā)掩模對準器來為這些領域做出巨大的貢獻,以提高最重要的光刻技術的水平。

IQ Aligner® 自動化掩模對準系統(tǒng)

特色:EVG ® IQ定位儀®平臺用于自動非接觸近距離處理而優(yōu)化的用于晶片尺寸高達200毫米。

技術數(shù)據(jù):IQ Aligner是具有高度自動化程度的非接觸式接近光刻平臺,可滿足將生產(chǎn)線中的掩模污染降至最/低并增加掩模壽命和產(chǎn)品良率的需求。除了多種對準功能外,該系統(tǒng)還通過專門配置進行了廣/泛的安裝和現(xiàn)場驗證,可自動處理和處理翹曲或變薄的晶圓。標準的頂側或底側對準與集成的IR對準功能之間的混合匹配操作進一步拓寬了應用領域,尤其是在與工程或粘合基板對準時。該系統(tǒng)還通過快速響應的溫度控制工具集支持晶片對準跳動控制。 HERCULES平臺是“一站式服務”平臺。湖南光刻機高性價比選擇

EVG所有光刻設備平臺均為300mm。晶圓光刻機試用

掩模對準系統(tǒng):EVG的發(fā)明,例如1985年世界上較早的擁有底面對準功能的系統(tǒng),開創(chuàng)了頂面和雙面光刻,對準晶圓鍵合和納米壓印光刻的先例,并設定了行業(yè)標準。EVG通過不斷開發(fā)掩模對準器產(chǎn)品來增強這些核心光刻技術,從而在這些領域做出了貢獻。

EVG的掩模對準系統(tǒng)可容納尺寸最/大,尺寸和形狀以及厚度最/大為300 mm的晶片和基板,旨在為高級應用提供先進的自動化程度和研發(fā)靈活性的復雜解決方案。EVG的掩模對準器和工藝能力已經(jīng)過現(xiàn)場驗證,并已安裝在全球的生產(chǎn)設施中,以支持眾多應用,包括高級封裝,化合物半導體,功率器件,LED,傳感器和MEMS制造。 晶圓光刻機試用

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