MOS場效應(yīng)半導(dǎo)體三*管雙*性三*管是電流控制器件，其輸入電阻不夠高，在許多場合下不能滿足人們的要求，經(jīng)過不斷的探索和實(shí)踐，人們研制出一種仍具有PN結(jié)，但工作機(jī)理全然不同的新型半導(dǎo)體器件--場效應(yīng)管(FET)。場效應(yīng)三*管用電場效應(yīng)來控制電流，故此命名，它的特點(diǎn)是輸入阻抗高、噪音低、熱穩(wěn)定性好且抗幅射能力強(qiáng)，在工藝上便于集成，因此得到廣的應(yīng)用根據(jù)結(jié)構(gòu)和原理的不同，場效應(yīng)三*管可分為以下兩大類，場效應(yīng)管廠家供應(yīng)。①結(jié)型場效應(yīng)三*管(JFET)②絕緣柵型場效應(yīng)三*管(MOS管)結(jié)型場效應(yīng)管（JFET）以N溝道結(jié)型場效應(yīng)管為例，以一塊N型(多子為電子)半導(dǎo)體作基片，在它的兩側(cè)各光刻出一塊區(qū)域，進(jìn)行高濃度P+擴(kuò)散(三價的硼)，場效應(yīng)管廠家供應(yīng)，在兩側(cè)形成兩個PN結(jié)。兩個P+區(qū)的引出線連在一起，作為一個電*，稱之為柵*G。在N型半導(dǎo)體的兩端引出兩個電*，分別叫源*S和漏*D。3個電*G、S、D的作用，場效應(yīng)管廠家供應(yīng)，可以近似地認(rèn)為分別相當(dāng)于半導(dǎo)體三*管的基*B、射*E和集電*C。兩個PN結(jié)之間的區(qū)域，稱為導(dǎo)電溝道，當(dāng)在漏*和源*間加上電壓，這個區(qū)域就是載流子流過的渠道，也就是電流的通道。由于這里的導(dǎo)電通道是N型半導(dǎo)體，所以這種管子叫N溝道結(jié)型場效應(yīng)管，它的為符號如圖所示。箭頭的方向。盟科有SOT-23封裝形式的MOS管。場效應(yīng)管廠家供應(yīng)

    目前電腦多媒體音響正處于進(jìn)階時期，并與電視也架起了溝通的橋梁，其前景是十分燦爛誘人的!電腦以及音響發(fā)燒友，是一個不惜時間和精力，積*探索追求音質(zhì)的特殊層面，將繼續(xù)擔(dān)起一份愛樂責(zé)任，生活中多一首甜美的歌聲，就少一幕苦澀的紛爭。無論是普通音響，還是電腦多媒體音響，功率放大器依然是音頻能量擴(kuò)大推動揚(yáng)聲器出聲不可或缺的終端，各類放大器均能較好地實(shí)現(xiàn)這一功能。不過現(xiàn)代人們對音響(技術(shù)因素為主，如頻率響應(yīng)、失真度、信噪比等)和音樂(藝術(shù)魅力為主，如聲底是否醇厚、堂音是否豐富、聽感是否順耳等)的苛求愈來愈高，不少“金耳朵”能夠聽出歌手的齒音、口角以及身臨其境、直逼現(xiàn)場的感覺，因此對音頻放大器重放音色也寄予更大的要求，努力以特色音響塑造迷人的音樂氛圍。 廣州場效應(yīng)管MOS開關(guān)mos管盟科電子做得很不錯。。

場效應(yīng)管(Field-Effect Transistor)也是一種具有PN結(jié)結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件，簡稱FET, 它與三*管的不同之處在于它是電壓控制器件。通過改變柵*的電壓可以控制漏*和源*之間的電流，場效應(yīng)管具有輸入阻抗高、噪聲小、熱穩(wěn)定性好、便于集成等特點(diǎn)，但容易被擊穿。場效應(yīng)管按其結(jié)構(gòu)不同分為兩大類，即絕緣柵型場效應(yīng)管和結(jié)型場效應(yīng)管。絕緣柵型場效應(yīng)管由金屬、氧化物和半導(dǎo)體材料制成，簡稱MOS管。M0S管按其工作狀態(tài)可分 為增強(qiáng)型和耗盡型兩種，每種類型按其導(dǎo)電溝道不同又分為N溝道和P溝道兩種。結(jié)型場效應(yīng)管按其導(dǎo)電溝道不同也分為N溝道和P溝道兩種。

MOS場效應(yīng)管的測試方法(1)．準(zhǔn)備工作測量之前，先把人體對地短路后，才能摸觸MOSFET的管腳。在手腕上接一條導(dǎo)線與大地連通，使人體與大地保持等電位。再把管腳分開，然后拆掉導(dǎo)線。(2)．判定電*將萬用表撥于R×100檔，首先確定柵*。若某腳與其它腳的電阻都是無窮大，證明此腳就是柵*G。交換表筆重測量，S-D之間的電阻值應(yīng)為幾百歐至幾千歐，其中阻值較小的那一次，黑表筆接的為D*，紅表筆接的是S*。(3)．檢查放大能力(跨導(dǎo))將G*懸空，黑表筆接D*，紅表筆接S*，然后用手指觸摸G*，表針應(yīng)有較大的偏轉(zhuǎn)。雙柵MOS場效應(yīng)管有兩個柵*G1、G2。為區(qū)分之，可用手分別觸摸G1、G2*，其中表針向左側(cè)偏轉(zhuǎn)幅度較大的為G2*。目前有的MOSFET管在G-S*間增加了保護(hù)二*管，平時就不需要把各管腳短路了。MOS場效應(yīng)晶體管在使用時應(yīng)注意分類，不能隨意互換。MOS場效應(yīng)晶體管由于輸入阻抗高(包括MOS集成電路)*易被靜電擊穿，使用時應(yīng)注意以下規(guī)則：(1).MOS器件出廠時通常裝在黑色的導(dǎo)電泡沫塑料袋中，切勿自行隨便拿個塑料袋裝。也可用細(xì)銅線把各個引腳連接在一起，或用錫紙包裝。2).取出的MOS器件不能在塑料板上滑動，應(yīng)用金屬盤來盛放待用器件。(3).焊接用的電烙鐵必須良好接地。。場效應(yīng)管的源*和漏*在結(jié)構(gòu)上是對稱的，可以互換使用，耗盡型MOS管的柵一一源電壓可正可負(fù)。

場效應(yīng)管的工作原理，我們先了解一下只含有一個P一N結(jié)的二*管的工作過程。如圖6所示，我們知道在二*管加上正向電壓（P端接正*，N端接負(fù)*）時，二*管導(dǎo)通，其PN結(jié)有電流通過。這是因?yàn)樵赑型半導(dǎo)體端為正電壓時，N型半導(dǎo)體內(nèi)的負(fù)電子被吸引而涌向加有正電壓的P型半導(dǎo)體端，而P型半導(dǎo)體端內(nèi)的正電子則朝N型半導(dǎo)體端運(yùn)動，從而形成導(dǎo)通電流。同理，當(dāng)二*管加上反向電壓（P端接負(fù)*，N端接正*）時，這時在P型半導(dǎo)體端為負(fù)電壓，正電子被聚集在P型半導(dǎo)體端，負(fù)電子則聚集在N型半導(dǎo)體端，電子不移動，其PN結(jié)沒有電流通過，二*管截止。盟科場效應(yīng)管的噪聲系數(shù)很小，在低噪聲放大電路的輸入級及要求信噪比較高的電路中要選用場效應(yīng)管。場效應(yīng)管廠家供應(yīng)

盟科電子2010年就開始做場效應(yīng)管了。場效應(yīng)管廠家供應(yīng)

絕緣柵場效應(yīng)管中文全稱是金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，由于這種場效應(yīng)管的柵*被絕緣層隔離，所以又叫絕緣柵場效應(yīng)管，英文簡稱是MOSFET，一般也簡稱為MOS管。MOSFET的輸入電阻很高，高達(dá)109Ω以上，從導(dǎo)電溝道來分，可以分為N溝道和P溝道兩種，無論是N溝道還是P溝道，又可以分為增強(qiáng)型和耗盡型。N溝道的MOS管通常也簡稱為NMOS，P溝道的MOS管簡稱為PMOS。MOS管共有3個腳，柵*G，漏*D，源*S，通常情況下，MOS管的襯底是跟S*在管子內(nèi)部是連接在一起的，而且，MOS管的D*和S*之間一般會有一個寄生二*管，所以，你見到的MOS管的符號通常是畫成下面這樣的。場效應(yīng)管廠家供應(yīng)

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