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發(fā)布時(shí)間:2025-03-19
場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理,我們先了解一下只含有一個(gè)P一N結(jié)的二極管的工作過程。如圖6所示,我們知道在二極管加上正向電壓(P端接正極,N端接負(fù)極)時(shí),二極管導(dǎo)通,其PN結(jié)有電流通過。這是因?yàn)樵赑型半導(dǎo)體端為正電壓時(shí),佛山場(chǎng)效應(yīng)管代理品牌,N型半導(dǎo)體內(nèi)的負(fù)電子被吸引而涌向加有正電壓的P型半導(dǎo)體端,而P型半導(dǎo)體端內(nèi)的正電子則朝N型半導(dǎo)體端運(yùn)動(dòng),從而形成導(dǎo)通電流。同理,當(dāng)二極管加上反向電壓(P端接負(fù)極,N端接正極)時(shí),這時(shí)在P型半導(dǎo)體端為負(fù)電壓,正電子被聚集在P型半導(dǎo)體端,佛山場(chǎng)效應(yīng)管代理品牌,負(fù)電子則聚集在N型半導(dǎo)體端,電子不移動(dòng),佛山場(chǎng)效應(yīng)管代理品牌,其PN結(jié)沒有電流通過,二極管截止。盟科電子場(chǎng)效應(yīng)管可以方便地用作恒流源。佛山場(chǎng)效應(yīng)管代理品牌
結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的管腳識(shí)別:場(chǎng)效應(yīng)管的柵極相當(dāng)于晶體管的基極,源極和漏極分別對(duì)應(yīng)于晶體管的發(fā)射極和集電極。將萬用表置于R×1k檔,用兩表筆分別測(cè)量每?jī)蓚(gè)管腳間的正、反向電阻。當(dāng)某兩個(gè)管腳間的正、反向電阻相等,均為數(shù)KΩ時(shí),則這兩個(gè)管腳為漏極D和源極S(可互換),余下的一個(gè)管腳即為柵極G。對(duì)于有4個(gè)管腳的結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管,另外一極是屏蔽極(使用中接地)。用萬用表黑表筆碰觸管子的一個(gè)電極,紅表筆分別碰觸另外兩個(gè)電極。若兩次測(cè)出的阻值都很小,說明均是正向電阻,該管屬于N溝道場(chǎng)效應(yīng)管,黑表筆接的也是柵極。制造工藝決定了場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極是對(duì)稱的,可以互換使用,并不影響電路的正常工作,所以不必加以區(qū)分。源極與漏極間的電阻約為幾千歐。注意不能用此法判定絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管的柵極。因?yàn)檫@種管子的輸入電阻極高,柵源間的極間電容又很小,測(cè)量時(shí)只要有少量的電荷,就可在極間電容上形成很高的電壓,容易將管子損壞。 惠州加工場(chǎng)效應(yīng)管品牌盟科MK6400參數(shù)是可以替代AO6800的。
柵極電壓(UGs)對(duì)漏極電流(ID)的控制作用稱為轉(zhuǎn)移特性,反映這兩者之間關(guān)系的曲線稱為轉(zhuǎn)移特性曲線。下圖1-60所示為N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性曲線。當(dāng)柵極電壓UGs取不同的電壓值時(shí),漏極電流ID將隨之改變。當(dāng)ID=0時(shí), UGS的值為場(chǎng)效應(yīng)管的夾斷電壓Uq;當(dāng)UGs=0時(shí),ID的值為場(chǎng)效應(yīng)管的飽和漏極電流Idss。在Ugs一定時(shí),反映ID與Uds之間的關(guān)系曲線為輸出特性曲線,也稱為漏極特性曲線。上圖1-61所示為N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的輸出特性曲線。由圖可見,它分為三個(gè)區(qū):飽和區(qū)、擊穿區(qū)和非飽和區(qū)。起放大作用時(shí),應(yīng)工作在飽和區(qū)(這一點(diǎn)與前面講的普通三極管不同)。注意,此處的“飽和區(qū)”對(duì)應(yīng)普通三極管的“放大區(qū)”。
場(chǎng)效應(yīng)管分結(jié)型、絕緣柵型兩大類。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(JFET)因有兩個(gè)PN結(jié)而得名,絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管(JGFET)則因柵極與其它電極完全絕緣而得名。目前在絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管中,應(yīng)用非常為多方面的是MOS場(chǎng)效應(yīng)管,簡(jiǎn)稱MOS管(即金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET);此外還有PMOS、NMOS和VMOS功率場(chǎng)效應(yīng)管,以及非常近剛問世的πMOS場(chǎng)效應(yīng)管、VMOS功率模塊等。效應(yīng)晶體管可分為結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管和MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管。而MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管又分為N溝耗盡型和增強(qiáng)型;P溝耗盡型和增強(qiáng)型四大類。士蘭微有做mos管芯片嗎?
書上說,MOS管的主要作用是放大。不過實(shí)際在智能硬件產(chǎn)品開發(fā)和物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品開發(fā)中,幾乎沒有用到放大用的MOS管,絕大部分是用來做開關(guān)的。偶爾有些放大作用的MOS管,也是集成在芯片里面的?梢院敛豢鋸埖闹v,只要不是做IC設(shè)計(jì)的,幾乎用不到MOS管的放大功能。自己搭出來的MOS放大電路,性能不可能有專業(yè)芯片公司做的好的。MOS管在常用的數(shù)字電路板上的用法:用作開關(guān)的時(shí)候,不管是N-MOS還是P-MOS,記住一句話即可:VGS有電壓差,MOS管就導(dǎo)通。VGS沒有電壓差,MOS管就關(guān)閉。MOS管常見的主要用途有以下幾種負(fù)極開關(guān)(N-MOS):設(shè)備控制LED燈控制電路馬達(dá)控制電路N-MOS廣泛應(yīng)用于設(shè)備通斷的控制。例如LED燈控制和電動(dòng)馬達(dá)的控制。GPIO口拉高,MOS管就導(dǎo)通,LED燈亮、馬達(dá)轉(zhuǎn)動(dòng)。GPIO拉低,MOS管就關(guān)閉,LED燈滅,馬達(dá)就停止轉(zhuǎn)動(dòng)。在普通的低電壓數(shù)字電路上,這種控制方式對(duì)MOS管本身沒有什么特定高要求,隨便抓一個(gè)N-MOS也可以用。NPN的三極管也可以用。正極開關(guān)(P-MOS):電源控制P-MOS通常用作電源的開關(guān),控制設(shè)備的電源打開或者關(guān)閉。能替代AO的國(guó)產(chǎn)品牌有哪些?深圳鋰電保護(hù)場(chǎng)效應(yīng)管現(xiàn)貨
場(chǎng)效應(yīng)管和mos管的區(qū)別是什么?佛山場(chǎng)效應(yīng)管代理品牌
場(chǎng)效應(yīng)管非常重要的一個(gè)作用是作開關(guān)作用,作開關(guān)時(shí)候多數(shù)應(yīng)用于各類電子負(fù)載控制、開關(guān)電源開關(guān)管,MOS管非常明顯的特性是開關(guān)特性好,對(duì)于NMOS來說,Vgs大于一定的值就會(huì)導(dǎo)通,適合用于源極接地時(shí)的情況,也就是所謂的低端驅(qū)動(dòng),只要柵極電壓達(dá)到4V或10V就可以了。而對(duì)于PMOS來說,Vgs小于一定的值就會(huì)導(dǎo)通,適合用于源極接VCC時(shí)的情況,也就是驅(qū)動(dòng)。但是,雖然PMOS可以很方便地用作驅(qū)動(dòng),但由于導(dǎo)通電阻大,價(jià)格貴,替換種類少等原因,在驅(qū)動(dòng)中,通常還是使用NMOS。如下圖是某開關(guān)電源其中一部分電路圖,在這里的Q1場(chǎng)效應(yīng)管用作PWM調(diào)制器或開關(guān)穩(wěn)壓控制器的功率開關(guān)管。佛山場(chǎng)效應(yīng)管代理品牌
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