紅外接收二極管的檢測方法。1. 識別管腳極性（1）從外觀上識別。常見的紅外接收二極管外觀顏色呈黑色。識別引腳時，面對受光窗口，從左至右，分別為正極和負極。另外在紅外接收二極管的管體頂端有一個小斜切平面，通常帶有此斜切平面一端的引腳為負極，深圳發(fā)光二極管原理，另一端為正極。 （2）先用萬用表判別普通二極管正、負電極的方法進行檢查，即交換紅、黑表筆兩次測量管子兩引腳間的電阻值，正常時，所得阻值應(yīng)為一大一小。以阻值較小的一次為準(zhǔn)，紅表筆所接的管腳步為負極，黑表筆所接的管腳為正極，深圳發(fā)光二極管原理。 2. 檢測性能好壞，深圳發(fā)光二極管原理。用萬用表電阻擋測量紅外接收二極管正、反向電阻，根據(jù)正、反向電阻值的大小，即可初步判定紅外接收二極管的好壞。在交流電中，二極管可以用來整流，將交流電轉(zhuǎn)換成直流電。深圳發(fā)光二極管原理
二極管在20世紀20年代由熱離子二極管所取代。20世紀50年代，高純度的半導(dǎo)體材料出現(xiàn)。因為新出現(xiàn)的鍺二極管價格便宜，晶體收音機重新開始被大規(guī)模使用。貝爾實驗室還開發(fā)了鍺二極管微波接收器。20世紀40年代中后期，美國電話電報公司在美國四處新建的微波塔上開始應(yīng)用這種微波接收器，主要用于傳輸電話和網(wǎng)絡(luò)電視信號。不過貝爾實驗室并未研發(fā)出效果令人滿意的熱離子二極管微波接收器。之后隨著量子力學(xué)和半導(dǎo)體材料的發(fā)展和應(yīng)用，逐漸發(fā)展并形成了目前人們使用的半導(dǎo)體二極管結(jié)構(gòu)和配套的應(yīng)用產(chǎn)業(yè)。深圳半導(dǎo)體二極管廠家直銷二極管的壽命通常為幾千至幾萬小時。
二極管種類：恒流二極管（或稱定電流二極管，CRD、Current Regulative Diode）被施加順方向電壓的場合，無論電壓多少，可以得到一定的電流的元件。通常的電流容量在1~15mA的范圍。雖然被稱為二極管，但是構(gòu)造、動作原理都與接合型電場效應(yīng)電晶體相似。變?nèi)荻䴓O管施加逆向偏壓，二極管PN接合的空乏層厚度會因電壓不同而變化，產(chǎn)生靜電容量（接合容量）的變化，可當(dāng)作由電壓控制的可變電容器使用。沒有機械零件所以可靠度高，普遍應(yīng)用于壓控振蕩器或可變電壓濾波器，也是電視接收器和行動電話不可缺少的零件。發(fā)光二極管（light-emitting diode，LED）施加順向偏壓，可以發(fā)光的二極管。由發(fā)光種類與特性又有紅外線二極管、各種顏色的可見光二極管、紫外線二極管等。
二極管是用半導(dǎo)體材料(硅、硒、鍺等)制成的一種電子器件 。它具有單向?qū)щ娦阅埽?即給二極管陽極加上正向電壓時，二極管導(dǎo)通。 當(dāng)給陽極和陰極加上反向電壓時，二極管截止。 因此，二極管的導(dǎo)通和截止，則相當(dāng)于開關(guān)的接通與斷開二極管（Diode），是一種具有不對稱電導(dǎo)的雙電極電子元件。理想的二極管在正向?qū)〞r兩個電極（陽極和陰極）間擁有零電阻，而反向時則有無窮大電阻，即電流只允許由單一方向流過二極管。因此二極管具有單向?qū)щ姷奶攸c，可起到整流的作用。 它由導(dǎo)通變?yōu)榻刂够蛴山刂棺優(yōu)閷?dǎo)通所需的時間比一般二極管短，常見的有2AK等系列，主要用于開關(guān)電路等中。
二極管的正向特性:外加正向電壓時，在正向特性的起始部分，正向電壓很小，不足以克服PN結(jié)內(nèi)電場的阻擋作用，正向電流幾乎為零，這一段稱為死區(qū)。這個不能使二極管導(dǎo)通的正向電壓稱為死區(qū)電壓。 當(dāng)正向電壓大于死區(qū)電壓以后，PN結(jié)內(nèi)電場被克服，二極管正向?qū)�，電流隨電壓增大而迅速上升。在正常使用的電流范圍內(nèi)，導(dǎo)通時二極管的端電壓幾乎維持不變，這個電壓稱為二極管的正向電壓。 當(dāng)二極管兩端的正向電壓超過一定數(shù)值 ，內(nèi)電場很快被削弱，特性電流迅速增長，二極管正向?qū)ā?叫做門坎電壓或閾值電壓，硅管約為0.5V，鍺管約為0.1V。硅二極管的正向?qū)▔航导s為0.6~0.8V，鍺二極管的正向?qū)▔航导s為0.2~0.3V。二極管的類型有很多，如硅二極管、鍺二極管、肖特基二極管等。深圳二極管特點
開關(guān)二極管是半導(dǎo)體二極管的一種，是為在電路上進行"開"、"關(guān)"而特殊設(shè)計制造的一類二極管。深圳發(fā)光二極管原理
面接觸式二極管：面接觸式PN結(jié)二極管是由一塊半導(dǎo)體晶體制成的。不同的摻雜工藝可以使同一個半導(dǎo)體（如本征硅）的一端成為一個包含負極性載流子（電子）的區(qū)域，稱作N型半導(dǎo)體；另一端成為一個包含正極性載流子（空穴）的區(qū)域，稱作P型半導(dǎo)體。兩種材料在一起時，電子會從N型一側(cè)流向P型一側(cè)。這一區(qū)域電子和電洞相互抵銷，造成中間區(qū)域載流子不足，形成“空乏層”。在空乏層內(nèi)部存在“內(nèi)電場”：N型側(cè)帶正電，P型側(cè)帶負電。兩塊區(qū)域的交界處為PN結(jié)，晶體允許電子（外部來看）從N型半導(dǎo)體一端，流向P型半導(dǎo)體一端，但是不能反向流動。深圳發(fā)光二極管原理
