1947 年是顛覆性轉(zhuǎn)折點(diǎn)：貝爾實(shí)驗(yàn)室的肖克利團(tuán)隊(duì)研制出鍺點(diǎn)接觸型半導(dǎo)體二極管，采用金觸絲壓接在鍺片上形成結(jié)面積 0.01mm 的 PN 結(jié)，無需加熱即可實(shí)現(xiàn)電流放大（β 值達(dá) 20），體積較真空管縮小千倍，功耗降低至毫瓦級。1950 年，首只硅二極管誕生，其 175℃耐溫性（鍺 100℃）和 0.1μA 漏電流（鍺為 10μA）徹底改寫規(guī)則，為后續(xù)晶體管與集成電路奠定材料基礎(chǔ)。從玻璃真空管到半導(dǎo)體晶體，這一階段的突破不 是元件形態(tài)的革新，更是電子工業(yè)從 “熱電子時代” 邁向 “固態(tài)電子時代” 的底層改變。光電二極管可將光信號轉(zhuǎn)換為電信號，在光通信、傳感器中有應(yīng)用。南山區(qū)穩(wěn)壓二極管加工廠

1960 年代，砷化鎵（GaAs）PIN 二極管憑借 0.5pF 寄生電容和 10GHz 截止頻率，成為雷達(dá)接收機(jī)的關(guān)鍵元件 一一 在 AN/APG-66 機(jī)載雷達(dá)中，GaAs PIN 二極管組成的開關(guān)矩陣可在微秒級切換信號路徑，實(shí)現(xiàn)對 200 個目標(biāo)的同時跟蹤。1980 年代，肖特基勢壘二極管（SBD）將混頻損耗降至 6dB 以下，在衛(wèi)星電視調(diào)諧器（C 波段 4GHz）中實(shí)現(xiàn)低噪聲信號轉(zhuǎn)換，使家庭衛(wèi)星接收成為可能。1999 年，氮化鎵（GaN）異質(zhì)結(jié)二極管問世，其 1000V 擊穿電壓和 0.2pF 寄生電容，在基站功放模塊中實(shí)現(xiàn) 100W 射頻功率輸出，效率達(dá) 75%（硅基 50%）。 5G 時代，二極管面臨更高挑戰(zhàn)：28GHz 毫米波場景中，傳統(tǒng)硅二極管的結(jié)電容（＞1pF）導(dǎo)致信號衰減超 30dB，而 GaN 開關(guān)二極管通過優(yōu)化勢壘層厚度（5nm），將寄生電容降至 0.15pF，配合相控陣天線實(shí)現(xiàn) ±60° 波束掃描，信號覆蓋范圍擴(kuò)大 5 倍。福田區(qū)工業(yè)二極管代理價錢交通信號燈采用發(fā)光二極管，憑借其高亮度、長壽命，保障交通安全有序。

1958 年，日本科學(xué)家江崎玲于奈因隧道二極管獲諾貝爾物理學(xué)獎，該器件利用量子隧穿效應(yīng)，在 0.1V 低電壓下實(shí)現(xiàn) 100mA 電流，負(fù)電阻特性使其振蕩頻率達(dá) 100GHz，曾用于早期衛(wèi)星通信的本振電路。1965 年，雪崩二極管（APD）的載流子倍增效應(yīng)被用于激光雷達(dá)，在阿波羅 15 號的月面測距中，APD 將光信號轉(zhuǎn)換為納秒級電脈沖，測距精度達(dá) 15 厘米，助力人類實(shí)現(xiàn)月球表面精確測繪。1975 年，恒流二極管（如 TL431）的問世簡化 LED 驅(qū)動設(shè)計(jì) 一一 其內(nèi)置電流鏡結(jié)構(gòu)在 2-30V 電壓范圍內(nèi)保持 10mA±1% 恒定電流，使手電筒電路元件從 5 個降至 2 個，成本降低 40%。 進(jìn)入智能時代，特殊二極管持續(xù)拓展邊界：磁敏二極管（MSD）通過摻雜梯度設(shè)計(jì)，對磁場靈敏度達(dá) 10%/mT

插件封裝（THT）：傳統(tǒng)工藝的堅(jiān)守 DO-41 封裝的 1N4007（1A/1000V）引腳間距 2.54mm，適合手工焊接與維修，在工業(yè)設(shè)備中仍應(yīng)用，其玻璃鈍化工藝確保在高濕度環(huán)境下漏電流＜1μA。軸向封裝的高壓硅堆（如 2CL200kV/10mA）采用陶瓷絕緣外殼，耐壓達(dá) 200kV，用于陰極射線管（CRT）顯示器的高壓供電。 表面貼裝（SMT）：自動化生產(chǎn)的主流 SOD-123 封裝的肖特基二極管（SS34）體積較 DO-41 縮小 70%，焊盤間距 1.27mm，適合 PCB 高密度布局，在智能手機(jī)主板中每平方厘米可集成 10 個以上，用于電池保護(hù)電路。QFN 封裝（如 DFN1006）的 ESD 保護(hù)二極管，寄生電感＜0.5nH，在 USB 4.0 接口中支持 40Gbps 數(shù)據(jù)傳輸，信號衰減＜1dB。二極管具有單向?qū)щ娦裕�電流只能從正極流向負(fù)極，反向時幾乎不導(dǎo)通。

材料創(chuàng)新始終是推動二極管性能提升與應(yīng)用拓展的動力。傳統(tǒng)的硅基二極管正不斷通過優(yōu)化工藝，提升性能。而以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為的寬禁帶半導(dǎo)體材料，正二極管進(jìn)入全新發(fā)展階段。SiC 二極管憑借高擊穿場強(qiáng)、低導(dǎo)通電阻，在高壓、大功率應(yīng)用中優(yōu)勢；GaN 二極管則以其高電子遷移率、超高頻性能，在 5G 通信、高速開關(guān)電源等領(lǐng)域大放異彩。此外，新興材料如石墨烯、黑磷等，也展現(xiàn)出在二極管領(lǐng)域的應(yīng)用潛力，有望催生性能更、功能更獨(dú)特的二極管產(chǎn)品，打開新的市場空間。瞬態(tài)電壓抑制二極管能迅速響應(yīng)瞬態(tài)過壓，像堅(jiān)固的盾牌一樣保護(hù)電路免受高壓沖擊。南山區(qū)穩(wěn)壓二極管加工廠

打印機(jī)的電路中，二極管協(xié)助完成信號傳輸與電源管理等工作 。南山區(qū)穩(wěn)壓二極管加工廠

消費(fèi)電子市場始終是二極管的重要應(yīng)用領(lǐng)域，且持續(xù)呈現(xiàn)出強(qiáng)勁的發(fā)展態(tài)勢。隨著智能手機(jī)、平板電腦、可穿戴設(shè)備等產(chǎn)品不斷更新?lián)Q代，對二極管的性能與尺寸提出了更高要求。小型化的開關(guān)二極管用于手機(jī)內(nèi)部的信號切換與射頻電路，提升通信質(zhì)量與信號處理速度；發(fā)光二極管（LED）在顯示屏幕背光源以及設(shè)備狀態(tài)指示燈方面的應(yīng)用，正朝著高亮度、低功耗、廣色域方向發(fā)展，以滿足消費(fèi)者對視覺體驗(yàn)的追求。同時，無線充電技術(shù)的普及，也促使適配的二極管在提高充電效率、保障充電安全等方面不斷優(yōu)化升級。南山區(qū)穩(wěn)壓二極管加工廠