重點介紹以下成型方法：固體無模成型。陶瓷無模成型是直接利用CAD設(shè)計結(jié)果，通過計算形成可執(zhí)行的像素單元文件，然后通過類似計算機(jī)打印輸出設(shè)備將要成型的陶瓷粉體快速形成實際像素單元（尺寸可小至微米級），一個一個單元疊加的結(jié)果即可直接成型所需要的三維立體構(gòu)件。美國Rutgers大學(xué)和Argonne實驗室利用熔融沉積成型技術(shù)制備了Al2O3噴嘴座，燒結(jié)密度98%，強(qiáng)度824±110MPa；麻省理工學(xué)院利用3D打印成型技術(shù)研制的四方氧化鋯陶瓷強(qiáng)度670MPa，斷裂韌性4MPa·m1/2，并制造出熱氣體陶瓷過濾器；英國布魯諾大學(xué)利用10%體積含量的ZrO2墨水采用噴墨打印機(jī)成型制備出相關(guān)陶瓷樣品。圖8為3D打印成型技術(shù)制備的各種精密陶瓷部件。通常意義上的碳化硅陶瓷是單相陶瓷材料，并不屬于復(fù)合材料。專注碳化硅陶瓷管

碳化硅陶瓷的制備方法：碳化硅是一種典型的共價鍵結(jié)合的穩(wěn)定化合物，加上其擴(kuò)散系數(shù)低，很難用常規(guī)的燒結(jié)方法來實現(xiàn)致密化，必須通過添加一些燒結(jié)助劑來降低表面能或增加外界壓力來達(dá)到燒結(jié)。反應(yīng)燒結(jié)碳化硅陶瓷，這種方法是以α-SiC和C為原料，加入適量的粘結(jié)劑進(jìn)行成型和千燥處理，然后放入含有Si的埋料中。當(dāng)坯體在爐內(nèi)受熱超過1400℃時，坯體周圍的Si熔融，或以液態(tài)，或以氣態(tài)透入到坯體的毛細(xì)管中，同坯體中的C反應(yīng)生成SiC。產(chǎn)生的SiC逐漸填充坯體中的孔隙，并把原有的α-SiC連結(jié)起來，較后達(dá)到制品的致密化，并獲得強(qiáng)度。專注碳化硅陶瓷管碳化硅陶瓷是一種較好陶瓷材料。

碳化硅陶瓷產(chǎn)品具有極高的硬度及耐溫效果，在石油、化工、微電子、汽車等領(lǐng)域具有較為普遍的應(yīng)用，目前市面上天然的碳化硅是很少的，多數(shù)是人工冶煉出來的，以下是小編給大家總結(jié)的對碳化硅陶瓷產(chǎn)品的優(yōu)點及用途的介紹！我國有關(guān)產(chǎn)品的使用溫度長期停留在1400'C以下，而發(fā)達(dá)國家進(jìn)人九十年代以來，其碳化硅發(fā)熱元件的使用溫度已普遍提高到1600"(2，例如德國的Cesi-wid公司，日本的東海高熱株式會社，同時與國外產(chǎn)品相比，我國產(chǎn)品冷端／熱區(qū)電阻比一般只為1：10，低于國外水平(1：15)，造成電力資源的浪費。

碳化硅(SiC) [1] 是共價鍵很強(qiáng)的化合物，其Si--C鍵的離子型只12%左右，因此，它也具有優(yōu)良的力學(xué)性能、優(yōu)良的抗氧化性、高的抗磨損性以及低的摩擦系數(shù)等。碳化硅的較大特點是高溫強(qiáng)度高，普通陶瓷材料在1200 ~ 1400攝氏度時強(qiáng)度將明顯降低，而碳化硅在1400攝氏度時抗彎強(qiáng)度仍保持在500 ~600MPa的較高水平，因此其工作溫度可達(dá)1600 ~ 1700攝氏度。再加上碳化硅陶瓷的熱傳導(dǎo)能力也較高，在陶瓷中只次于氧化鈹陶瓷，因此碳化硅已經(jīng)普遍應(yīng)用于高溫軸承、防彈板、噴嘴、高溫耐蝕部件以及高溫和高頻范圍的電子設(shè)備零部件等領(lǐng)域。采用無壓燒結(jié)、熱壓燒結(jié)、熱等靜壓燒結(jié)和反應(yīng)燒結(jié)的SiC陶瓷具有各異的性能特點。

技術(shù)及新產(chǎn)品工程轉(zhuǎn)化極度匱乏：世界上開發(fā)了200多種陶瓷材料及2000多種應(yīng)用產(chǎn)品。雖然我國同樣能制備出性能良好的陶瓷材料，但絕大部分仍停留在實驗室樣品上，有的產(chǎn)品由于成本高及可靠性等問題，市場還不能接受，所以產(chǎn)品的銷售額與發(fā)達(dá)國家相比相差甚遠(yuǎn)。制造裝備加工技術(shù)落后：雖然我國引進(jìn)了國外先進(jìn)的工藝裝備，像氣壓燒結(jié)爐、熱等靜壓、注射成型機(jī)、流延機(jī)等來提高我國的技術(shù)裝備水平，但因投資大，在經(jīng)濟(jì)上給企業(yè)造成了很大壓力，從而限制了先進(jìn)陶瓷的發(fā)展。超細(xì)碳化硅粉體的制備方法主要歸為三種：固相法、液相法和氣相法。專注碳化硅陶瓷管

SiC還有優(yōu)良的導(dǎo)熱性。專注碳化硅陶瓷管

然而，日本研究人員卻認(rèn)為SiC的致密并不存在熱力學(xué)方面的限制。還有學(xué)者認(rèn)為，SiC的致密化機(jī)理可能是液相燒結(jié)，他們發(fā)現(xiàn)：在同時添加B和C的β-SiC燒結(jié)體中，有富B的液相存在于晶界處。關(guān)于無壓燒結(jié)機(jī)理，目前尚無定論。以α-SiC為原料，同時添加B和C，也同樣可實現(xiàn)SiC的致密燒結(jié)。研究表明：單獨使用B和C作添加劑，無助于SiC陶瓷充分致密。只有同時添加B和C時，才能實現(xiàn)SiC陶瓷的高密度化。為了SiC的致密燒結(jié)，SiC粉料的比表面積應(yīng)在10m2/g以上，且氧含量盡可能低。B的添加量在0.5%左右，C的添加量取決于SiC原料中氧含量高低，通常C的添加量與SiC粉料中的氧含量成正比。專注碳化硅陶瓷管

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