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EVG850 DB鍵合機(jī)優(yōu)惠價格

來源: 發(fā)布時間:2021-07-01

熔融和混合鍵合系統(tǒng):

熔融或直接晶圓鍵合可通過每個晶圓表面上的介電層長久連接,該介電層用于工程襯底或?qū)愚D(zhuǎn)移應(yīng)用,例如背面照明的CMOS圖像傳感器。

混合鍵合擴(kuò)展了與鍵合界面中嵌入的金屬焊盤的熔融鍵合,從而允許晶片面對面連接。混合綁定的主要應(yīng)用是高級3D設(shè)備堆疊。

EVG的熔融和混合鍵合設(shè)備包含:EVG301單晶圓清洗系統(tǒng);EVG320自動化單晶圓清洗系統(tǒng);EVG810LT低溫等離子基活系統(tǒng);EVG850LTSOI和晶圓直接鍵合自動化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng);EVG850SOI和晶圓直接鍵合自動化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng);GEMINIFB自動化生產(chǎn)晶圓鍵合系統(tǒng);BONDSCALE自動化熔融鍵合生產(chǎn)系統(tǒng)。 烘烤/冷卻模塊-適用于GEMINI用于在涂布后和鍵合之前加工粘合劑層。EVG850 DB鍵合機(jī)優(yōu)惠價格

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該技術(shù)用于封裝敏感的電子組件,以保護(hù)它們免受損壞,污染,濕氣和氧化或其他不良化學(xué)反應(yīng)。陽極鍵合尤其與微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)行業(yè)相關(guān)聯(lián),在該行業(yè)中,陽極鍵合用于保護(hù)諸如微傳感器的設(shè)備。陽極鍵合的主要優(yōu)點(diǎn)是,它可以產(chǎn)生牢固而持久的鍵合,而無需粘合劑或過高的溫度,而這是將組件融合在一起所需要的。陽極鍵合的主要缺點(diǎn)是可以鍵合的材料范圍有限,并且材料組合還存在其他限制,因?yàn)樗鼈冃枰哂蓄愃频臒崤蛎浡氏禂?shù)-也就是說,它們在加熱時需要以相似的速率膨脹,否則差異膨脹可能會導(dǎo)致應(yīng)變和翹曲。

      而EVG的鍵合機(jī)所提供的技術(shù)能夠比較有效地解決陽極鍵合的問題,如果需要了解,請點(diǎn)擊:鍵合機(jī)。 EVG850 DB鍵合機(jī)優(yōu)惠價格晶圓級涂層、封裝,工程襯底知造,晶圓級3D集成和晶圓減薄等用于制造工程襯底,如SOI(絕緣體上硅)。

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EVG®520IS晶圓鍵合機(jī)系統(tǒng):

單腔或雙腔晶圓鍵合系統(tǒng),用于小批量生產(chǎn)。

EVG520IS單腔單元可半自動操作蕞大200mm的晶圓,適用于小批量生產(chǎn)應(yīng)用。EVG520IS根據(jù)客戶反饋和EVGroup的持續(xù)技術(shù)創(chuàng)新進(jìn)行了重新設(shè)計(jì),具有EVGroup專有的對稱快速加熱和冷卻卡盤設(shè)計(jì)。諸如**的頂側(cè)和底側(cè)加熱器,高壓鍵合能力以及與手動系統(tǒng)相同的材料和工藝靈活性等優(yōu)勢,為所有晶圓鍵合工藝的成功做出了貢獻(xiàn)。

特征:

全自動處理,手動裝卸,包括外部冷卻站

兼容EVG機(jī)械和光學(xué)對準(zhǔn)器

單室或雙室自動化系統(tǒng)

全自動的鍵合工藝執(zhí)行和鍵合蓋移動

集成式冷卻站可實(shí)現(xiàn)高產(chǎn)量

選項(xiàng):

高真空能力(1E-6毫巴)

可編程質(zhì)量流量控制器

集成冷卻

技術(shù)數(shù)據(jù)

蕞大接觸力

10、20、60、100kN

加熱器尺寸150毫米200毫米

蕞小基板尺寸單芯片100毫米

真空

標(biāo)準(zhǔn):1E-5mbar

可選:1E-6mbar

EVG®850TB臨時鍵合機(jī)特征:

開放式膠粘劑平臺;

各種載體(硅,玻璃,藍(lán)寶石等);

適用于不同基板尺寸的橋接工具功能;

提供多種裝載端口選項(xiàng)和組合;

程序控制系統(tǒng);

實(shí)時監(jiān)控和記錄所有相關(guān)過程參數(shù);

完全集成的SECS/GEM接口;

可選的集成在線計(jì)量模塊,用于自動反饋回路;



技術(shù)數(shù)據(jù):

晶圓直徑(基板尺寸):蕞長300毫米,可能有超大的托架

不同的基材/載體組合

組態(tài)

外套模塊

帶有多個熱板的烘烤模塊

通過光學(xué)或機(jī)械對準(zhǔn)來對準(zhǔn)模塊

鍵合模塊:

選件

在線計(jì)量

ID閱讀

高形貌的晶圓處理

翹曲的晶圓處理 EVG的GEMINI系列是自動化生產(chǎn)晶圓鍵合系統(tǒng)。

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目前關(guān)于晶片鍵合的研究很多,工藝日漸成熟,但是對于表面帶有微結(jié)構(gòu)的硅片鍵合研究很少,鍵合效果很差。

      本文針對表面帶有微結(jié)構(gòu)硅晶圓的封裝問題,提出一種基于采用 Ti / Au 作為金屬過渡層的硅—硅共晶鍵合的鍵合工藝,實(shí)現(xiàn)表面帶有微結(jié)構(gòu)硅晶圓之間的鍵合,解決鍵合對硅晶圓表面要求極高,環(huán)境要求苛刻的問題。

在對金層施加一定的壓力和溫度時,金層發(fā)生流動、互 融,從而形成鍵合。該過程對金的純度要求較高,即當(dāng)金層 發(fā)生氧化就會影響鍵合質(zhì)量。 EVG 晶圓鍵合機(jī)上的鍵合過程是怎么樣的呢?EVG850 DB鍵合機(jī)優(yōu)惠價格

晶圓鍵合機(jī)(系統(tǒng))EVG?510 ,擁有150、200mm晶圓單腔系統(tǒng) ;擁有EVG?501 鍵合機(jī)所有功能。EVG850 DB鍵合機(jī)優(yōu)惠價格

半導(dǎo)體晶圓(晶片)的直徑為4到10英寸(10.16到25.4厘米)的圓盤,在制造過程中可承載非本征半導(dǎo)體。它們是正(P)型半導(dǎo)體或負(fù)(N)型半導(dǎo)體的臨時形式。硅晶片是非常常見的半導(dǎo)體晶片,因?yàn)楣枋钱?dāng)***行的半導(dǎo)體,這是由于其在地球上的大量供應(yīng)。半導(dǎo)體晶圓是從錠上切片或切割薄盤的結(jié)果,它是根據(jù)需要被摻雜為P型或N型的棒狀晶體。然后對它們進(jìn)行刻劃,以用于切割或切割單個裸片或方形子組件,這些單個裸片或正方形子組件可能*包含一種半導(dǎo)體材料或多達(dá)整個電路,例如集成電路計(jì)算機(jī)處理器。EVG850 DB鍵合機(jī)優(yōu)惠價格

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