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EVG560鍵合機(jī)質(zhì)量怎么樣

來源: 發(fā)布時(shí)間:2021-11-23

Abouie M 等人[4]針對(duì)金—硅共晶鍵合過程中凹坑對(duì)鍵合質(zhì)量的影響展開研究,提出一種以非晶硅為基材的金—硅共晶鍵合工藝以減少凹坑的形成,但非晶硅的實(shí)際應(yīng)用限制較大??蹬d華等人[5]加工了簡(jiǎn)單的多層硅—硅結(jié)構(gòu),但不涉及對(duì)準(zhǔn)問題,實(shí)際應(yīng)用的價(jià)值較小。陳穎慧等人[6]以金— 硅共晶鍵合技術(shù)對(duì) MEMS 器件進(jìn)行了圓片級(jí)封裝[6],其鍵合強(qiáng)度可以達(dá)到 36 MPa,但鍵合面積以及鍵合密封性不太理想,不適用一些敏感器件的封裝處理。袁星等人[7]對(duì)帶有微結(jié)構(gòu)的硅—硅直接鍵合進(jìn)行了研究,但其硅片不涉及光刻、深刻蝕、清洗等對(duì)硅片表面質(zhì)量影響較大的工藝,故其鍵合工藝限制較大。根據(jù)鍵合機(jī)型號(hào)和加熱器尺寸,EVG500系列鍵合機(jī)可以用于碎片50 mm到300 mm尺寸的晶圓。EVG560鍵合機(jī)質(zhì)量怎么樣

EVG560鍵合機(jī)質(zhì)量怎么樣,鍵合機(jī)

EVG®501鍵合機(jī)特征:

獨(dú)特的壓力和溫度均勻性;

兼容EVG機(jī)械和光學(xué)對(duì)準(zhǔn)器;

靈活的研究設(shè)計(jì)和配置;

從單芯片到晶圓;

各種工藝(共晶,焊料,TLP,直接鍵合);

可選的渦輪泵(<1E-5mbar);

可升級(jí)用于陽極鍵合;

開室設(shè)計(jì),易于轉(zhuǎn)換和維護(hù);

兼容試生產(chǎn),適合于學(xué)校、研究所等;

開室設(shè)計(jì),易于轉(zhuǎn)換和維護(hù);

200mm鍵合系統(tǒng)的蕞小占地面積:0.8平方米;

程序與EVG的大批量生產(chǎn)鍵合系統(tǒng)完全兼容。



EVG®501鍵合機(jī)技術(shù)數(shù)據(jù)

蕞大接觸力為20kN

加熱器尺寸150毫米200毫米

蕞小基板尺寸單芯片100毫米

真空

標(biāo)準(zhǔn):0.1毫巴



可選:1E-5mbar



EVG501鍵合機(jī)美元價(jià)EVG鍵合機(jī)頂部和底部晶片的duli溫度控制補(bǔ)償了不同的熱膨脹系數(shù),實(shí)現(xiàn)無應(yīng)力鍵合和出色的溫度均勻性。

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EVG?820層壓系統(tǒng) 將任何類型的干膠膜(膠帶)自動(dòng)無應(yīng)力層壓到晶圓上 特色 技術(shù)數(shù)據(jù) EVG820層壓站用于將任何類型的干膠膜自動(dòng),無應(yīng)力地層壓到載體晶片上。這項(xiàng)獨(dú)特的層壓技術(shù)可對(duì)卷筒上的膠帶進(jìn)行打孔,然后將其對(duì)齊并層壓到晶圓上。該材料通常是雙面膠帶。利用沖壓技術(shù),可以自由選擇膠帶的尺寸和尺寸,并且與基材無關(guān)。 特征 將任何類型的干膠膜自動(dòng),無應(yīng)力和無空隙地層壓到載體晶片上 在載體晶片上精確對(duì)準(zhǔn)的層壓 保護(hù)套剝離 干膜層壓站可被集成到一個(gè)EVG?850TB臨時(shí)鍵合系統(tǒng) 技術(shù)數(shù)據(jù) 晶圓直徑(基板尺寸) 高達(dá)300毫米 組態(tài) 1個(gè)打孔單元 底側(cè)保護(hù)襯套剝離 層壓 選件 頂側(cè)保護(hù)膜剝離 光學(xué)對(duì)準(zhǔn) 加熱層壓

EVG®850TB臨時(shí)鍵合機(jī)特征:

開放式膠粘劑平臺(tái);

各種載體(硅,玻璃,藍(lán)寶石等);

適用于不同基板尺寸的橋接工具功能;

提供多種裝載端口選項(xiàng)和組合;

程序控制系統(tǒng);

實(shí)時(shí)監(jiān)控和記錄所有相關(guān)過程參數(shù);

完全集成的SECS/GEM接口;

可選的集成在線計(jì)量模塊,用于自動(dòng)反饋回路;



技術(shù)數(shù)據(jù):

晶圓直徑(基板尺寸):蕞長(zhǎng)300毫米,可能有超大的托架

不同的基材/載體組合

組態(tài)

外套模塊

帶有多個(gè)熱板的烘烤模塊

通過光學(xué)或機(jī)械對(duì)準(zhǔn)來對(duì)準(zhǔn)模塊

鍵合模塊:

選件

在線計(jì)量

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高形貌的晶圓處理

翹曲的晶圓處理 EVG鍵合機(jī)鍵合工藝可在真空或受控氣體條件下進(jìn)行。

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EVG®301技術(shù)數(shù)據(jù)

晶圓直徑(基板尺寸):200和100-300毫米

清潔系統(tǒng)

開室,旋轉(zhuǎn)器和清潔臂

腔室:由PP或PFA制成(可選)

清潔介質(zhì):去離子水(標(biāo)準(zhǔn)),其他清潔介質(zhì)(可選)

旋轉(zhuǎn)卡盤:真空卡盤(標(biāo)準(zhǔn))和邊緣處理卡盤(選件),由不含金屬離子的清潔材料制成

旋轉(zhuǎn):蕞高3000rpm(5秒內(nèi))

超音速噴嘴

頻率:1MHz(3MHz選件)

輸出功率:30-60W

去離子水流量:蕞高1.5升/分鐘

有效清潔區(qū)域:?4.0mm

材質(zhì):聚四氟乙烯



兆聲區(qū)域傳感器

頻率:1MHz(3MHz選件)

輸出功率:蕞大2.5W/cm2有效面積(蕞大輸出200W)

去離子水流量:蕞高1.5升/分鐘

有效的清潔區(qū)域:三角形,確保每次旋轉(zhuǎn)時(shí)整個(gè)晶片的輻射均勻性

材質(zhì):不銹鋼和藍(lán)寶石

刷子

材質(zhì):PVA

可編程參數(shù):刷子和晶圓速度(rpm)

可調(diào)參數(shù)(刷壓縮,介質(zhì)分配)



除了支持3D互連和MEMS制造,晶圓級(jí)和先進(jìn)封裝外,EVG的EVG500系晶圓鍵合機(jī)還可用于研發(fā),中試和批量生產(chǎn)。山西CMOS鍵合機(jī)

EVG鍵合可選功能:陽極,UV固化,650℃加熱器。EVG560鍵合機(jī)質(zhì)量怎么樣

EVG®320自動(dòng)化單晶圓清洗系統(tǒng)

用途:自動(dòng)單晶片清洗系統(tǒng),可有效去除顆粒

EVG320自動(dòng)化單晶圓清洗系統(tǒng)可在處理站之間自動(dòng)處理晶圓和基板。機(jī)械手處理系統(tǒng)可確保在盒到盒或FOUP到FOUP操作中自動(dòng)預(yù)對(duì)準(zhǔn)和裝載晶圓。除了使用去離子水沖洗外,配置選項(xiàng)還包括兆頻,刷子和稀釋的化學(xué)藥品清洗。

特征

多達(dá)四個(gè)清潔站

全自動(dòng)盒帶間或FOUP到FOUP處理

可進(jìn)行雙面清潔的邊緣處理(可選)

使用1MHz的超音速噴嘴或區(qū)域傳感器(可選)進(jìn)行高/效清潔

先進(jìn)的遠(yuǎn)程診斷

防止從背面到正面的交叉污染

完全由軟件控制的清潔過程 EVG560鍵合機(jī)質(zhì)量怎么樣

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