半導(dǎo)體器件的垂直堆疊已經(jīng)成為使器件密度和性能不斷提高的日益可行的方法。晶圓間鍵合是實現(xiàn)3D堆疊設(shè)備的重要工藝步驟。然而，需要晶片之間的緊密對準(zhǔn)和覆蓋精度以在鍵合晶片上的互連器件之間實現(xiàn)良好的電接觸，并蕞小化鍵合界面處的互連面積，從而可以在晶片上騰出更多空間用于生產(chǎn)設(shè)備。支持組件路線圖所需的間距不斷減小，這推動了每一代新產(chǎn)品的更嚴(yán)格的晶圓間鍵合規(guī)范。imec3D系統(tǒng)集成兼項目總監(jiān)兼EricBeyne表示：“在imec，我們相信3D技術(shù)的力量將為半導(dǎo)體行業(yè)創(chuàng)造新的機(jī)遇和可能性，并且我們將投入大量精力來改善它?！疤貏e關(guān)注的領(lǐng)域是晶圓對晶圓的鍵合，在這一方面，我們通過與EVGroup等行業(yè)合作伙伴的合作取得了優(yōu)異的成績。去年，我們成功地縮短了芯片連接之間的距離或間距，將晶圓間的混合鍵合厚度減小到1.4微米，是目前業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)間距的四倍。今年，我們正在努力將間距至少降低一半?！盓VG鍵合機(jī)通過控制溫度，壓力，時間和氣體，允許進(jìn)行大多數(shù)鍵合過程。免稅價格鍵合機(jī)保修期多久

EVG?850DB自動解鍵合機(jī)系統(tǒng) 全自動解鍵合，清潔和卸載薄晶圓 特色 技術(shù)數(shù)據(jù) 在全自動解鍵合機(jī)中，經(jīng)過處理的臨時鍵合晶圓疊層被分離和清洗，而易碎的設(shè)備晶圓始終在整個工具中得到支撐。支持的剝離方法包括UV激光，熱剝離和機(jī)械剝離。使用所有解鍵合方法，都可以通過薄膜框架安裝或薄晶圓處理器來支撐設(shè)備晶圓。 特征 在有形和無形的情況下，都能可靠地處理變薄的，彎曲和翹曲的晶片 自動清洗解鍵合晶圓 程序控制系統(tǒng) 實時監(jiān)控和記錄所有相關(guān)過程參數(shù) 自動化工具中完全集成的SECS/GEM界面 適用于不同基板尺寸的橋接工具功能 模塊化的工具布局→根據(jù)特定工藝優(yōu)化了產(chǎn)量 技術(shù)數(shù)據(jù) 晶圓直徑（基板尺寸） 高達(dá)300毫米 高達(dá)12英寸的薄膜面積 組態(tài) 解鍵合模塊 清潔模塊 薄膜裱框機(jī) 選件 ID閱讀 多種輸出格式 高形貌的晶圓處理 翹曲的晶圓處理福建本地鍵合機(jī)旋涂模塊-適用于GEMINI和GEMINI FB用于在晶圓鍵合之前施加粘合劑層。

封裝技術(shù)對微機(jī)電系統(tǒng) (micro-electro-mechanical system,MEMS) 器件尺寸及功能的影響巨大，已成為 MEMS技術(shù)發(fā)展和實用化的關(guān)鍵技術(shù)［1］。實現(xiàn)封裝的技術(shù)手段很多，其中較關(guān)鍵的工藝步驟就是鍵合工藝。隨著 MEMS 技術(shù)的發(fā)展，越來越多的器件封裝需要用到表面帶有微結(jié)構(gòu)的硅片鍵合，然而MEMS器件封裝一般采用硅—硅直接鍵合( silicon directly bonding，SDB)  技術(shù)［2］。由于表面有微結(jié)構(gòu)的硅片界面已經(jīng)受到極大的損傷，其平整度和光滑度遠(yuǎn)遠(yuǎn)達(dá)不到SDB的要求，要進(jìn)行復(fù)雜的拋光處理，這大 大加大了工藝的復(fù)雜性和降低了器件的成品率［3］。

1) 由既定拉力測試高低溫循環(huán)測試結(jié)果可以看出，該鍵合工藝在滿足實際應(yīng)用所需鍵合強(qiáng)度的同時，解決了鍵合對硅晶圓表面平整度和潔凈度要求極高、對環(huán)境要求苛刻的問題。

2) 由高低溫循環(huán)測試結(jié)果可以看出，該鍵合工藝可以適應(yīng)復(fù)雜的實際應(yīng)用環(huán)境，且具有工藝溫度低，容易實現(xiàn)圖 形化，應(yīng)力匹配度高等優(yōu)點。

3) 由破壞性試驗結(jié)果可以看出，該鍵合工藝在圖形邊沿的鍵合率并不高，鍵合效果不太理想，還需對工藝流程進(jìn) 一步優(yōu)化，對工藝參數(shù)進(jìn)行改進(jìn)，以期達(dá)到更高的鍵合強(qiáng)度與鍵合率。 EVG鍵合機(jī)提供的加工服務(wù)。

 一旦將晶片粘合在一起，就必須測試粘合表面，看該工藝是否成功。通常，將批處理過程中產(chǎn)生的一部分產(chǎn)量留給破壞性和非破壞性測試方法使用。破壞性測試方法用于測試成品的整體剪切強(qiáng)度。非破壞性方法用于評估粘合過程中是否出現(xiàn)了裂紋或異常，從而有助于確保成品沒有缺陷。

      EV Group（EVG）是制造半導(dǎo)體，微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS），化合物半導(dǎo)體，功率器件和納米技術(shù)器件的設(shè)備和工藝解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商。主要產(chǎn)品包括晶圓鍵合，薄晶圓加工，光刻/納米壓印光刻（NIL）和計量設(shè)備，以及光刻膠涂布機(jī)，清潔劑和檢查系統(tǒng)。成立于1980年的EV Group服務(wù)于復(fù)雜的全球客戶和合作伙伴網(wǎng)絡(luò)，并為其提供支持。有關(guān)EVG的更多信息，請訪問"鍵合機(jī)"。 EVG鍵合機(jī)跟應(yīng)用相對應(yīng)，鍵合方法一般分類頁是有或沒有夾層的鍵合操作。福建本地鍵合機(jī)

根據(jù)鍵合機(jī)型號和加熱器尺寸，EVG500系列鍵合機(jī)可以用于碎片50 mm到300 mm尺寸的晶圓。免稅價格鍵合機(jī)保修期多久

EVG®805解鍵合系統(tǒng)用途：薄晶圓解鍵合。

EVG805是半自動系統(tǒng)，用于剝離臨時鍵合和加工過的晶圓疊層，該疊層由器件晶圓，載體晶圓和中間臨時鍵合膠組成。該工具支持熱剝離或機(jī)械剝離。可以將薄晶圓卸載到單個基板載體上，以在工具之間安全可靠地運輸。

特征：

開放式膠粘劑平臺

解鍵合選項：

熱滑解鍵合

解鍵合

機(jī)械解鍵合

程序控制系統(tǒng)

實時監(jiān)控和記錄所有相關(guān)過程參數(shù)

薄晶圓處理的獨特功能

多種卡盤設(shè)計，可支撐蕞大300mm的晶圓/基板和載體

高形貌的晶圓處理

技術(shù)數(shù)據(jù)

晶圓直徑（基板尺寸）

晶片蕞大300mm

高達(dá)12英寸的薄膜

組態(tài)

1個解鍵合模塊

選件

紫外線輔助解鍵合

高形貌的晶圓處理

不同基板尺寸的橋接能力 免稅價格鍵合機(jī)保修期多久