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ComBond鍵合機(jī)優(yōu)惠價(jià)格

來源: 發(fā)布時(shí)間:2020-01-19

在鍵合過程中,將兩個(gè)組件的表面弄平并徹底清潔以確保它們之間的緊密接觸。然后它們被夾在兩個(gè)電極之間,加熱至752-932℃(華氏400-500攝氏度),和幾百到千伏的電勢被施加,使得負(fù)電極,這就是所謂的陰極,是在接觸在玻璃中,正極(陽極)與硅接觸。玻璃中帶正電的鈉離子變得可移動并向陰極移動,在與硅片的邊界附近留下少量的正電荷,然后通過靜電吸引將其保持在適當(dāng)?shù)奈恢?。帶?fù)電的氧氣來自玻璃的離子向陽極遷移,并在到達(dá)邊界時(shí)與硅反應(yīng),形成二氧化硅(SiO 2)。產(chǎn)生的化學(xué)鍵將兩個(gè)組件密封在一起。EVG的GEMINI FB XT集成熔融鍵合系統(tǒng),擴(kuò)展了現(xiàn)有標(biāo)準(zhǔn),并擁有更高的生產(chǎn)率,更高的對準(zhǔn)和涂敷精度。ComBond鍵合機(jī)優(yōu)惠價(jià)格

BONDSCALE與EVG的行業(yè)基準(zhǔn)GEMINIFBXT自動熔融系統(tǒng)一起出售,每個(gè)平臺針對不同的應(yīng)用。雖然BONDSCALE將主要專注于工程化的基板鍵合和層轉(zhuǎn)移處理,但GEMINIFBXT將支持要求更高對準(zhǔn)精度的應(yīng)用,例如存儲器堆疊,3D片上系統(tǒng)(SoC),背面照明的CMOS圖像傳感器堆疊以及管芯分區(qū)。

特征:

在單個(gè)平臺上的200mm和300mm基板上的全自動熔融/分子晶圓鍵合應(yīng)用

通過等離子活化的直接晶圓鍵合,可實(shí)現(xiàn)不同材料,高質(zhì)量工程襯底以及薄硅層轉(zhuǎn)移應(yīng)用的異質(zhì)集成

支持邏輯縮放,3D集成(例如M3),3DVLSI(包括背面電源分配),N&P堆棧,內(nèi)存邏輯,集群功能堆棧以及超越CMOS的采用的層轉(zhuǎn)移工藝和工程襯底

BONDSCALE?自動化生產(chǎn)熔融系統(tǒng)的技術(shù)數(shù)據(jù)

晶圓直徑(基板尺寸):200、300毫米

蕞高數(shù)量或過程模塊8通量

每小時(shí)蕞多40個(gè)晶圓

處理系統(tǒng)

4個(gè)裝載口

特征:

多達(dá)八個(gè)預(yù)處理模塊,例如清潔模塊,LowTemp?等離子活化模塊,對準(zhǔn)驗(yàn)證模塊和解鍵合模塊

XT框架概念通過EFEM(設(shè)備前端模塊)實(shí)現(xiàn)蕞高吞吐量

光學(xué)邊緣對準(zhǔn)模塊:Xmax/Ymax=18μm3σ 絕緣體上的硅鍵合機(jī)技術(shù)服務(wù)EVG500系列鍵合機(jī)是基于獨(dú)特模塊化鍵合室設(shè)計(jì),能夠?qū)崿F(xiàn)從研發(fā)到大批量生產(chǎn)的簡單技術(shù)轉(zhuǎn)換。

Smart View NT鍵合機(jī)特征 適合于自動化和集成EVG鍵合系統(tǒng)(EVG560?,GEMINI ? 200和300mm配置) 用于3D互連,晶圓級封裝和大批量MEMS器件的晶圓堆疊 通用鍵合對準(zhǔn)器(面對面,背面,紅外和透明對準(zhǔn)) 無需Z軸運(yùn)動,也無需重新聚焦 基于Windows的用戶界面 將鍵對對準(zhǔn)并夾緊,然后再裝入鍵合室 手動或全自動配置(例如:在GEMINI系統(tǒng)上集成) Smart View ? NT選件 可以與EVG組合? 500系列晶圓鍵合系統(tǒng),EVG ? 300系列清潔系統(tǒng)和EVG ?有帶盒對盒操作完全自動化的晶圓到晶圓對準(zhǔn)動作EVG810 LT等離子體系統(tǒng) 技術(shù)數(shù)據(jù) 基板/晶圓參數(shù) 尺寸:150-200、200-300毫米 厚度:0.1-5毫米 蕞/高堆疊高度:10毫米 自動對準(zhǔn) 標(biāo)準(zhǔn) 處理系統(tǒng) 3個(gè)紙盒站(蕞/大200毫米)或2個(gè)FOUP加載端口(300毫米)

EVG?6200鍵合機(jī)選件 自動對準(zhǔn) 紅外對準(zhǔn),用于內(nèi)部基板鍵對準(zhǔn) NanoAlign?包增強(qiáng)加工能力 可與系統(tǒng)機(jī)架一起使用 掩模對準(zhǔn)器的升級可能性 技術(shù)數(shù)據(jù) 常規(guī)系統(tǒng)配置 桌面 系統(tǒng)機(jī)架:可選 隔振:被動 對準(zhǔn)方法 背面對準(zhǔn):±2μm3σ 透明對準(zhǔn):±1μm3σ 紅外校準(zhǔn):選件 對準(zhǔn)階段 精密千分尺:手動 可選:電動千分尺 楔形補(bǔ)償:自動 基板/晶圓參數(shù) 尺寸:2英寸,3英寸,100毫米,150毫米,200毫米 厚度:0.1-10毫米 蕞/高堆疊高度:10毫米 自動對準(zhǔn) 可選的 處理系統(tǒng) 標(biāo)準(zhǔn):3個(gè)卡帶站 可選:蕞多5個(gè)站鍵合機(jī)晶圓對準(zhǔn)鍵合是晶圓級涂層,晶圓級封裝,工程襯底智造,晶圓級3D集成和晶圓減薄等應(yīng)用很實(shí)用的技術(shù)。

鍵合機(jī)特征 高真空,對準(zhǔn),共價(jià)鍵合 在高真空環(huán)境(<5·10-8mbar)中進(jìn)行處理 原位亞微米面對面對準(zhǔn)精度 高真空MEMS和光學(xué)器件封裝原位表面和原生氧化物去除 優(yōu)異的表面性能 導(dǎo)電鍵合 室溫過程 多種材料組合,包括金屬(鋁) 無應(yīng)力鍵合界面 高鍵合強(qiáng)度 用于HVM和R&D的模塊化系統(tǒng) 多達(dá)六個(gè)模塊的靈活配置 基板尺寸蕞/大為200毫米 完全自動化 技術(shù)數(shù)據(jù) 真空度 處理:<7E-8mbar 處理:<5E-8毫巴 集群配置 處理模塊:蕞小3個(gè),蕞/大6個(gè) 加載:手動,卡帶,EFEM 可選的過程模塊: 鍵合模塊 ComBond?激/活模塊(CAM) 烘烤模塊 真空對準(zhǔn)模塊(VAM) 晶圓直徑 高達(dá)200毫米EVG鍵合機(jī)的鍵合室配有通用鍵合蓋,可快速排空,快速加熱和冷卻。圖像傳感器鍵合機(jī)國內(nèi)代理

EVG鍵合機(jī)軟件,支持多語言,集成錯(cuò)誤記錄/報(bào)告和恢復(fù)和單個(gè)用戶帳戶設(shè)置,可以簡化用戶常規(guī)操作。ComBond鍵合機(jī)優(yōu)惠價(jià)格

      一旦認(rèn)為模具有缺陷,墨水標(biāo)記就會滲出模具,以便于視覺隔離。典型的目標(biāo)是在100萬個(gè)管芯中,少于6個(gè)管芯將是有缺陷的。還需要考慮其他因素,因此可以優(yōu)化芯片恢復(fù)率。

      質(zhì)量體系確保模具的回收率很高。晶圓邊緣上的裸片經(jīng)常會部分丟失。芯片上電路的實(shí)際生產(chǎn)需要時(shí)間和資源。為了稍微簡化這種高度復(fù)雜的生產(chǎn)方法,不對邊緣上的大多數(shù)模具進(jìn)行進(jìn)一步處理以節(jié)省時(shí)間和資源的總成本。

      半導(dǎo)體晶圓的光刻和鍵合技術(shù)以及應(yīng)用設(shè)備,可以關(guān)注這里:EVG光刻機(jī)和鍵合機(jī)。 ComBond鍵合機(jī)優(yōu)惠價(jià)格

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