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西藏SUSS鍵合機

來源: 發(fā)布時間:2019-12-27

EVG?510鍵合機特征 獨特的壓力和溫度均勻性 兼容EVG機械和光學對準器 靈活的設計和配置,用于研究和試生產(chǎn) 將單芯片形成晶圓 各種工藝(共晶,焊料,TLP,直接鍵合) 可選的渦輪泵(<1E-5mbar) 可升級用于陽極鍵合 開室設計,易于轉(zhuǎn)換和維護 生產(chǎn)兼容 高通量,具有快速加熱和泵送規(guī)格 通過自動楔形補償實現(xiàn)高產(chǎn)量 開室設計,可快速轉(zhuǎn)換和維護 200mm鍵合系統(tǒng)的蕞小占地面積:0.8m2 程序與EVG的大批量生產(chǎn)鍵合系統(tǒng)完全兼容 技術數(shù)據(jù) 蕞/大接觸力 10、20、60kN 加熱器尺寸150毫米200毫米 蕞小基板尺寸單芯片100毫米 真空 標準:0.1毫巴 可選:1E-5mbarEVG和岱美經(jīng)驗豐富的工藝工程師隨時準備為您提供支持。西藏SUSS鍵合機

EVG?850DB自動解鍵合機系統(tǒng) 全自動解鍵合,清潔和卸載薄晶圓 特色 技術數(shù)據(jù) 在全自動解鍵合機中,經(jīng)過處理的臨時鍵合晶圓疊層被分離和清洗,而易碎的設備晶圓始終在整個工具中得到支撐。支持的剝離方法包括UV激光,熱剝離和機械剝離。使用所有解鍵合方法,都可以通過薄膜框架安裝或薄晶圓處理器來支撐設備晶圓。 特征 在有形和無形的情況下,都能可靠地處理變薄的,彎曲和翹曲的晶片 自動清洗解鍵合晶圓 程序控制系統(tǒng) 實時監(jiān)控和記錄所有相關過程參數(shù) 自動化工具中完全集成的SECS/GEM界面 適用于不同基板尺寸的橋接工具功能 模塊化的工具布局→根據(jù)特定工藝優(yōu)化了產(chǎn)量 技術數(shù)據(jù) 晶圓直徑(基板尺寸) 高達300毫米 高達12英寸的薄膜面積 組態(tài) 解鍵合模塊 清潔模塊 薄膜裱框機 選件 ID閱讀 多種輸出格式 高形貌的晶圓處理 翹曲的晶圓處理半導體鍵合機原理EVG服務:高真空對準鍵合、集體D2W鍵合、臨時鍵合和熱、混合鍵合、機械或者激光剖離、黏合劑鍵合。

封裝技術對微機電系統(tǒng) (micro-electro-mechanical system,MEMS) 器件尺寸及功能的影響巨大,已成為 MEMS技術發(fā)展和實用化的關鍵技術[1]。實現(xiàn)封裝的技術手段很多,其中較關鍵的工藝步驟就是鍵合工藝。隨著 MEMS 技術的發(fā)展,越來越多的器件封裝需要用到表面帶有微結(jié)構的硅片鍵合,然而MEMS器件封裝一般采用硅—硅直接鍵合( silicon directly bonding,SDB)  技術[2]。由于表面有微結(jié)構的硅片界面已經(jīng)受到極大的損傷,其平整度和光滑度遠遠達不到SDB的要求,要進行復雜的拋光處理,這大 大加大了工藝的復雜性和降低了器件的成品率[3]。

SmartView®NT自動鍵合對準系統(tǒng),用于通用對準。

全自動鍵合對準系統(tǒng),采用微米級面對面晶圓對準的專有方法進行通用對準。

用于通用對準的SmartViewNT自動鍵合對準系統(tǒng)提供了微米級面對面晶圓級對準的專有方法。這種對準技術對于在嶺先技術的多個晶圓堆疊中達到所需的精度至關重要。SmartView技術可以與GEMINI晶圓鍵合系統(tǒng)結(jié)合使用,以在隨后的全自動平臺上進行長久鍵合。

特征:

適合于自動化和集成EVG鍵合系統(tǒng)(EVG560®,GEMINI®200和300mm配置)。

用于3D互連,晶圓級封裝和大批量MEMS器件的晶圓堆疊。 EVG所有鍵合機系統(tǒng)都可以通過遠程通信的。

EVG鍵合機加工結(jié)果 除支持晶圓級和先進封裝,3D互連和MEMS制造外,EVG500系列晶圓鍵合機(系統(tǒng))還可用于研發(fā),中試或批量生產(chǎn)。它們通過在高真空,精確控制的準確的真空,溫度或高壓條件下鍵合來滿足各種苛刻的應用。該系列擁有多種鍵合方法,包括陽極,熱壓縮,玻璃料,環(huán)氧樹脂,UV和熔融鍵合。EVG500系列基于獨特的模塊化鍵合室設計,可實現(xiàn)從研發(fā)到大批量生產(chǎn)的簡單技術轉(zhuǎn)換。 模塊設計 各種鍵合對準(對位)系統(tǒng)配置為各種MEMS和IC應用提供了多種優(yōu)勢。使用直接(實時)或間接對準方法可以支持大量不同的對準技術。EVG鍵合機跟應用相對應,鍵合方法一般分類頁是有或沒有夾層的鍵合操作。3D IC鍵合機推薦廠家

EVG鍵合機鍵合卡盤承載來自對準器對準的晶圓堆疊,用來執(zhí)行隨后的鍵合過程。西藏SUSS鍵合機

引線鍵合主要用于幾乎所有類型的半導體中,這是因為其成本效率高且易于應用。在蕞佳環(huán)境中,每秒蕞多可以創(chuàng)建10個鍵。該方法因所用每種金屬的元素性質(zhì)不同而略有不同。通常使用的兩種引線鍵合是球形鍵合和楔形鍵合。

      盡管球形鍵合的蕞佳選擇是純金,但由于銅的相對成本和可獲得性,銅已成為一種流行的替代方法。此過程需要一個類似于裁縫的針狀裝置,以便在施加極高電壓的同時將電線固定在適當?shù)奈恢?。沿表面的張力使熔融金屬形成球形,因此得名。當銅用于球焊時,氮氣以氣態(tài)形式使用,以防止在引線鍵合過程中形成氧化銅。 西藏SUSS鍵合機

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