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來源: 發(fā)布時間:2025-07-26

中清航科WLCSP測試一體化方案縮短生產(chǎn)周期。集成探針卡與臨時鍵合層,實現(xiàn)300mm晶圓單次測試成本降低40%。在PMIC量產(chǎn)中,測試覆蓋率達99.2%。面向航天應用,中清航科抗輻照封裝通過MIL-STD-750認證。摻鉿二氧化硅鈍化層使總劑量耐受>300krad,單粒子翻轉率<1E-10 error/bit-day。已服務低軌衛(wèi)星星座項目。中清航科MEMS真空封裝良率突破98%。采用多孔硅密封技術,腔體真空度維持<0.1Pa十年以上。陀螺儀零偏穩(wěn)定性達0.5°/h,滿足導航級應用。


中清航科聚焦芯片封裝,用仿真預判風險,縮短研發(fā)驗證周期。sip芯片封裝

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面對衛(wèi)星載荷嚴苛的空間環(huán)境,中清航科開發(fā)陶瓷多層共燒(LTCC)MCM封裝技術。采用鎢銅熱沉基底與金錫共晶焊接,實現(xiàn)-196℃~+150℃極端溫變下熱失配率<3ppm/℃。通過嵌入式微帶線設計將信號串擾抑制在-60dB以下,使星載處理器在單粒子翻轉(SEU)事件率降低至1E-11 errors/bit-day。該方案已通過ECSS-Q-ST-60-13C宇航標準認證,成功應用于低軌衛(wèi)星星務計算機,模塊失效率<50FIT(10億小時運行故障率)。

針對萬米級深海探測裝備的100MPa超高壓環(huán)境,中清航科金屬-陶瓷復合封裝結構。采用氧化鋯增韌氧化鋁(ZTA)陶瓷環(huán)與鈦合金殼體真空釬焊,實現(xiàn)漏率<1×10?1? Pa·m3/s的密封。內部壓力補償系統(tǒng)使腔體形變<0.05%,保障MEMS傳感器在110MPa壓力下精度保持±0.1%FS。耐腐蝕鍍層通過3000小時鹽霧試驗,已用于全海深聲吶陣列封裝,在馬里亞納海溝實現(xiàn)連續(xù)500小時無故障探測。 上海封裝基板加工芯片封裝可靠性需長期驗證,中清航科加速老化測試,提前暴露潛在問題。

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芯片封裝的標準化與定制化平衡:芯片封裝既有標準化的產(chǎn)品以滿足通用需求,也有定制化的服務以適應特殊場景。如何平衡標準化與定制化,是企業(yè)提升競爭力的關鍵。中清航科擁有豐富的標準化封裝產(chǎn)品系列,能快速滿足客戶的通用需求;同時,公司具備強大的定制化能力,可根據(jù)客戶的特殊要求,從封裝結構、材料選擇到工藝設計,提供多方位的定制服務,實現(xiàn)標準化與定制化的靈活平衡。想要了解更多內容可以關注我司官網(wǎng),同時歡迎新老客戶來電咨詢。

面對量子比特超導封裝難題,中清航科開發(fā)藍寶石基板微波諧振腔技術。通過超導鋁薄膜微加工,實現(xiàn)5GHz諧振頻率下Q值>100萬,比特相干時間提升至200μs。該方案已用于12量子比特模塊封裝,退相干率降低40%,為量子計算機提供穩(wěn)定基礎。針對AI邊緣計算需求,中清航科推出近存計算3D封裝。將RRAM存算芯片與邏輯單元垂直集成,互連延遲降至0.1ps/mm。實測顯示ResNet18推理能效達35TOPS/W,較傳統(tǒng)方案提升8倍,滿足端側設備10mW功耗要求。工業(yè)芯片環(huán)境復雜,中清航科封裝方案,強化防塵防潮防腐蝕能力。

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中清航科在芯片封裝領域的優(yōu)勢-定制化服務:中清航科深知不同客戶在芯片封裝需求上存在差異,因此提供定制化的封裝服務。公司專業(yè)團隊會與客戶深入溝通,充分了解客戶的應用場景、性能要求以及成本預算等,然后為客戶量身定制合適的芯片封裝方案。無論是標準封裝還是特殊定制封裝,中清航科都能憑借自身實力,為客戶打造獨特的封裝產(chǎn)品。中清航科在芯片封裝領域的優(yōu)勢-質量管控:質量是中清航科的生命線。在芯片封裝過程中,公司建立了嚴格的質量管控體系,從原材料采購到生產(chǎn)過程中的每一道工序,再到產(chǎn)品檢測,都進行了多方位、多層次的質量監(jiān)控。通過先進的檢測設備和嚴格的檢測標準,確保每一個封裝芯片都符合高質量要求,為客戶提供可靠的產(chǎn)品保障。中清航科芯片封裝技術,通過電磁兼容設計,降低多芯片間信號干擾。浙江bga 快速封裝

中清航科芯片封裝創(chuàng)新,以客戶需求為導向,定制化解決行業(yè)痛點難題。sip芯片封裝

為應對Chiplet集成挑戰(zhàn),中清航科推出自主知識產(chǎn)權的混合鍵合(Hybrid Bonding)平臺。采用銅-銅直接鍵合工藝,凸點間距降至5μm,互連密度達10?/mm2。其測試芯片在16核處理器集成中實現(xiàn)8Tbps/mm帶寬,功耗只為傳統(tǒng)方案的1/3。中清航科研發(fā)的納米銀燒結膠材料突破高溫封裝瓶頸。在SiC功率模塊封裝中,燒結層導熱系數(shù)達250W/mK,耐受溫度600℃,使模塊壽命延長5倍。該材料已通過ISO 26262認證,成為新能源汽車OBC充電模組優(yōu)先選擇方案。sip芯片封裝

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