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來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2020-06-25

模擬)電子技術(shù)和Digital(數(shù)字)電子技術(shù)。電子技術(shù)是對(duì)電子信號(hào)進(jìn)行處理的技術(shù),處理的方式主要有:信號(hào)的發(fā)生、放大、濾波、轉(zhuǎn)換。電子技術(shù)是十九世紀(jì)末到二十世紀(jì)初開(kāi)始發(fā)展起來(lái)的新興技術(shù),二十世紀(jì)發(fā)展迅速,應(yīng)用,成為近代科學(xué)技術(shù)發(fā)展的一個(gè)重要標(biāo)志。在十八世紀(jì)末和十九世紀(jì)初的這個(gè)時(shí)期,由于生產(chǎn)發(fā)展的需要,在電磁現(xiàn)象方面的研究工作發(fā)展得很快,1785年法國(guó)科學(xué)家?guī)靷愑蓪?shí)驗(yàn)得出電荷的庫(kù)侖定律。1895年,荷蘭物理學(xué)家亨得里克·安頓·洛倫茲假定了電子存在。1897年,英國(guó)物理學(xué)家湯姆遜()用試驗(yàn)找出了電子。1904年,英國(guó)人發(fā)明了簡(jiǎn)單的二極管(diode或valve),用于檢測(cè)微弱的無(wú)線(xiàn)電信號(hào)。1906年,在二極管中安上了第三個(gè)電極(柵極,grid)發(fā)明了具有放大作用的三極管,這是電子學(xué)早期歷史中重要的里程碑。1948年美國(guó)貝爾實(shí)驗(yàn)室的幾位研究人員發(fā)明晶體管。1958年集成電路的個(gè)樣品見(jiàn)諸于世。集成電路的出現(xiàn)和應(yīng)用,標(biāo)志著電子技術(shù)發(fā)展到了一個(gè)新的階段。電子產(chǎn)品電子技術(shù)研究的是電子器件及其電子器件構(gòu)成的電路的應(yīng)用。半導(dǎo)體器件是構(gòu)成各種分立、集成電子電路基本的元器件。隨著電子技術(shù)的飛速發(fā)展,各種新型半導(dǎo)體器件層出不窮。電子技術(shù)研究的是電子器件及其電子器件構(gòu)成的電路的應(yīng)用。合肥微電子技術(shù)信息推薦

由單個(gè)電力電子器件組成的電力電子裝置容量受到限制。所以,在實(shí)用中多用幾個(gè)電力電子器件串聯(lián)或并聯(lián)形成組件,其耐壓和通流的能力可以成倍地提高,從而可極大地增加電力電子裝置的容量。器件串聯(lián)時(shí),希望各元件能承受同樣的正、反向電壓;并聯(lián)時(shí)則希望各元件能分擔(dān)同樣的電流。但由于器件的個(gè)異性,串、并聯(lián)時(shí),各器件并不能完全均勻地分擔(dān)電壓和電流。所以,在電力電子器件串聯(lián)時(shí),要采取均壓措施;在并聯(lián)時(shí),要采取均流措施。電力電子器件工作時(shí),會(huì)因功率損耗引起器件發(fā)熱、升溫。器件溫度過(guò)高將縮短壽命,甚至燒毀,這是限制電力電子器件電流、電壓容量的主要原因。為此,必須考慮器件的冷卻問(wèn)題。常用冷卻方式有自冷式、風(fēng)冷式、液冷式(包括油冷式、水冷式)和蒸發(fā)冷卻式等。電力電子器件正沿著大功率化、高頻化、集成化的方向發(fā)展。80年代晶閘管的電流容量已達(dá)6000安,阻斷電壓高達(dá)6500伏。但這類(lèi)器件工作頻率較低。提高其工作頻率,取決于器件關(guān)斷期間如何加快基區(qū)少數(shù)載流子(簡(jiǎn)稱(chēng)少子)的復(fù)合速度和經(jīng)門(mén)極抽取更多的載流子。降低少子壽命雖能有效地縮短關(guān)斷電流的過(guò)程,卻導(dǎo)致器件導(dǎo)通期正向壓降的增加。因此必須兼顧轉(zhuǎn)換速度和器件通態(tài)功率損耗的要求。鎮(zhèn)江電子技術(shù)創(chuàng)新服務(wù)不間斷電源(UPS)是計(jì)算機(jī)、通信系統(tǒng)以及要求提供不能中斷場(chǎng)合所必須的一種高可靠、高性能的電源。

80年代這類(lèi)器件的高工作頻率在10千赫以下。雙極型大功率晶體管可以在100千赫頻率下工作,其控制電流容量已達(dá)數(shù)百安,阻斷電壓1千多伏,但維持通態(tài)比其他功率可控器件需要更大的基極驅(qū)動(dòng)電流。由于存在熱激發(fā)二次擊穿現(xiàn)象,限制它的抗浪涌能力。進(jìn)一步提高其工作頻率仍然受到基區(qū)和集電區(qū)少子儲(chǔ)存效應(yīng)的影響。70年代中期發(fā)展起來(lái)的單極型MOS功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管,由于不受少子儲(chǔ)存效應(yīng)的限制,能夠在兆赫以上的頻率下工作。這種器件的導(dǎo)通電流具有負(fù)溫度特性,不易出現(xiàn)熱激發(fā)二次擊穿現(xiàn)象;需要擴(kuò)大電流容量時(shí),器件并聯(lián)簡(jiǎn)單,且具有較好的線(xiàn)性輸出特性和較小的驅(qū)動(dòng)功率;在制造工藝上便于大規(guī)模集成。但它的通態(tài)壓降較大,制造時(shí)對(duì)材料和器件工藝的一致性要求較高。到80年代中、后期電流容量達(dá)數(shù)十安,阻斷電壓近千伏。從60年代到70年代初期,以半控型普通晶閘管為的電力電子器件,主要用于相控電路。這些電路十分地用在電解、電鍍、直流電機(jī)傳動(dòng)、發(fā)電機(jī)勵(lì)磁等整流裝置中,與傳統(tǒng)的汞弧整流裝置相比,不僅體積小、工作可靠,而且取得了十分明顯的節(jié)能效果(一般可節(jié)電10~40%,從中國(guó)的實(shí)際看,因風(fēng)機(jī)和泵類(lèi)負(fù)載約占全國(guó)用電量的1/3,若采用交流電動(dòng)機(jī)調(diào)速傳動(dòng)。

由于材料技術(shù)、器件技術(shù)和電路設(shè)計(jì)等綜合技術(shù)的進(jìn)步,在20世紀(jì)60年代研制成功了代集成電路。在半導(dǎo)體發(fā)展史上。集成電路的出現(xiàn)具有劃時(shí)代的意義:它的誕生和發(fā)展推動(dòng)了銅芯技術(shù)和計(jì)算機(jī)的進(jìn)步,使科學(xué)研究的各個(gè)領(lǐng)域以及工業(yè)社會(huì)的結(jié)構(gòu)發(fā)生了歷史性變革。憑借優(yōu)越的科學(xué)技術(shù)所發(fā)明的集成電路使研究者有了更先進(jìn)的工具,進(jìn)而產(chǎn)生了許多更為先進(jìn)的技術(shù)。這些先進(jìn)的技術(shù)有進(jìn)一步促使更高性能、更廉價(jià)的集成電路的出現(xiàn)。對(duì)電子器件來(lái)說(shuō),體積越小,集成度越高;響應(yīng)時(shí)間越短,計(jì)算處理的速度就越快;傳送頻率就越高,傳送的信息量就越大。半導(dǎo)體工業(yè)和半導(dǎo)體技術(shù)被稱(chēng)為現(xiàn)代工業(yè)的基礎(chǔ),同時(shí)也已經(jīng)發(fā)展稱(chēng)為一個(gè)相對(duì)的高科技產(chǎn)業(yè)。集成電路是一種采用特殊工藝,將晶體管、電阻、電容等元件集成在硅基片上而形成的具有一定功能的器件,英文縮寫(xiě)為IC,也俗稱(chēng)芯片。模擬集成電路是指由電容、電阻、晶體管等元件集成在一起用來(lái)處理模擬信號(hào)的模擬集成電路。有許多的模擬集成電路,如集成運(yùn)算放大器、比較器、對(duì)數(shù)和指數(shù)放大器、模擬乘(除)法器、鎖相環(huán)、電源管理芯片等。模擬集成電路的主要構(gòu)成電路有:放大器、濾波器、反饋電路、基準(zhǔn)源電路、開(kāi)關(guān)電容電路等。七十年代出現(xiàn)了世界范圍的能源危機(jī),交流電機(jī)變頻調(diào)速因節(jié)能效果而迅速發(fā)展。

可平均節(jié)電20%以上,每年可節(jié)電400億千瓦時(shí)),因此電力電子技術(shù)的發(fā)展也越來(lái)越受到人們的重視。70年代中期出現(xiàn)的全控型可關(guān)斷晶閘管和功率晶體管,開(kāi)關(guān)速度快,控制簡(jiǎn)單,逆導(dǎo)可關(guān)斷晶閘管更兼容了可關(guān)斷晶閘管和快速整流二極管的功能。它們把電力電子技術(shù)的應(yīng)用推進(jìn)到了以逆變、斬波為中心內(nèi)容的新領(lǐng)域。這些器件已普遍應(yīng)用于變頻調(diào)速、開(kāi)關(guān)電源、靜止變頻等電力電子裝置中。80年代初期出現(xiàn)的MOS功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管和功率集成電路的工作頻率達(dá)到兆赫級(jí)。集成電路的技術(shù)促進(jìn)了器件的小型化和功能化。這些新成就為發(fā)展高頻電力電子技術(shù)提供了條件,推動(dòng)電力電子裝置朝著智能化、高頻化的方向發(fā)展。80年代發(fā)展起來(lái)的靜電感應(yīng)晶閘管、隔離柵晶體管,以及各種組合器件,綜合了晶閘管、MOS功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管和功率晶體管各自的優(yōu)點(diǎn),在性能上又有新的發(fā)展。例如隔離柵晶體管,既具有MOS功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵控特性,又具有雙極型功率晶體管的電流傳導(dǎo)性能,它容許的電流密度比雙極型功率晶體管高幾倍。靜電感應(yīng)晶閘管保存了晶閘管導(dǎo)通壓降低的優(yōu)點(diǎn),結(jié)構(gòu)上避免了一般晶閘管在門(mén)極觸發(fā)時(shí)必須在門(mén)極周?chē)葘?dǎo)通然后逐步橫向擴(kuò)展的過(guò)程,所以比一般晶閘管有更高的開(kāi)關(guān)速度。半導(dǎo)體器件是構(gòu)成各種分立、集成電子電路基本的元器件。寧波模擬電子技術(shù)誠(chéng)信服務(wù)

電子技術(shù)是根據(jù)電子學(xué)的原理,運(yùn)用電子元器件設(shè)計(jì)和制造某種特定功能的電路以解決實(shí)際問(wèn)題的科學(xué)。合肥微電子技術(shù)信息推薦

隨著時(shí)代的革新,科技的進(jìn)步,通信產(chǎn)品技術(shù)已經(jīng)成為我們?nèi)粘I钜约肮ぷ髦斜夭豢缮俚囊徊糠?同時(shí)我國(guó)的通信業(yè)也得到了發(fā)展。在信息化時(shí)代下,通信行業(yè)作為一個(gè)新興的科學(xué)技術(shù)類(lèi)行業(yè),在具有長(zhǎng)遠(yuǎn)的發(fā)展?jié)摿Φ耐瑫r(shí)也面臨著激烈的競(jìng)爭(zhēng)。如今通信的各類(lèi)行業(yè)都在不斷的發(fā)展,比如通信技術(shù),計(jì)算機(jī)軟件的開(kāi)發(fā)及技術(shù)服,計(jì)算機(jī)等等,可以看出現(xiàn)在通信技術(shù)已經(jīng)到了全新的歷史時(shí)期,技術(shù)變革的速率之快難以預(yù)計(jì),未來(lái)的通信行業(yè)趨勢(shì)必然朝著更具有應(yīng)用力的方向發(fā)展,也必然滿(mǎn)足用戶(hù)更多的需求。智能手機(jī)的日益普及以及電信運(yùn)營(yíng)商對(duì)通信技術(shù)、計(jì)算機(jī)軟件的開(kāi)發(fā)及技術(shù)服務(wù);計(jì)算機(jī)、軟件及輔助設(shè)備的銷(xiāo)售;電腦加工圖片服務(wù);攝影攝像服務(wù);計(jì)算機(jī)維修。(依法須經(jīng)批準(zhǔn)的項(xiàng)目,經(jīng)相關(guān)部門(mén)批準(zhǔn)后方可開(kāi)展經(jīng)營(yíng)活動(dòng))等產(chǎn)品。公司尊崇“踏實(shí)、拼搏、責(zé)任”的企業(yè)精神,并以誠(chéng)信、共贏、開(kāi)創(chuàng)經(jīng)營(yíng)理念,創(chuàng)造良好的企業(yè)環(huán)境,以全新的管理模式,完善的技術(shù),周到的服務(wù),優(yōu)良的品質(zhì)為生存根本,我們始終堅(jiān)持用戶(hù)至上 用心服務(wù)于客戶(hù),堅(jiān)持用自己的服務(wù)去打動(dòng)客戶(hù)?;A(chǔ)設(shè)施現(xiàn)代化的大規(guī)模加入預(yù)計(jì)將有助于在預(yù)測(cè)時(shí)間線(xiàn)內(nèi)UCC市場(chǎng)的持續(xù)增長(zhǎng)。通信有限責(zé)任公司(自然)企業(yè)必須及時(shí)掌握行業(yè)的新的動(dòng)態(tài)和運(yùn)營(yíng)商的新的要求,只有這樣才能不斷推出新服務(wù),確保在市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)中保持優(yōu)先地位。合肥微電子技術(shù)信息推薦

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