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蘇州6寸n型碳化硅襯底

來源: 發(fā)布時間:2023-04-08

現(xiàn)在,SiC材料正在大舉進(jìn)入功率半導(dǎo)體領(lǐng)域。一些的半導(dǎo)體器件廠商,如羅姆(ROHM)株式會社、英飛凌科技公司、Cree、飛兆國際電子有限公司等都在開發(fā)自己的SiC功率器件。英飛凌科技公司在今年推出了第5代SiC肖特基勢壘二極管,它結(jié)合了第3代產(chǎn)品的低容性電荷(Qc)特性與第2代產(chǎn)品中的低正向電壓(Vf)特性,使PFC電路達(dá)到高效率水平,擊穿電壓則達(dá)到了650V。飛兆半導(dǎo)體發(fā)布了SiC BJT,實現(xiàn)了1 200V的耐壓,傳導(dǎo)和開關(guān)損耗相對于傳統(tǒng)的Si器件降低了30%~50%,從而能夠在相同尺寸的系統(tǒng)中實現(xiàn)高達(dá)40%的輸出功率提升。質(zhì)量比較好的碳化硅襯底的公司找誰?蘇州6寸n型碳化硅襯底

隨著電力電子變換系統(tǒng)對于效率和體積提出更高的要求,SiC(碳化硅)將會是越來越合適的半導(dǎo)體器件。尤其針對光伏逆變器和UPS應(yīng)用,SiC器件是實現(xiàn)其高功率密度的一種非常有效的手段。由于SiC相對于Si的一些獨特性,對于SiC技術(shù)的研究,可以追溯到上世界70年代。簡單來說,SiC主要在以下3個方面具有明顯的優(yōu)勢:擊穿電壓強度高(10倍于Si)更寬的能帶隙(3倍于Si)熱導(dǎo)率高(3倍于Si)這些特性使得SiC器件更適合應(yīng)用在高功率密度、高開關(guān)頻率的場合。當(dāng)然,這些特性也使得大規(guī)模生產(chǎn)面臨一些障礙,直到2000年初單晶SiC晶片出現(xiàn)才開始逐步量產(chǎn)。目前標(biāo)準(zhǔn)的是4英寸晶片,但是接下來6英寸晶片也要誕生,這會導(dǎo)致成本有顯著的下降。而相比之下,當(dāng)今12英寸的Si晶片已經(jīng)很普遍,如果預(yù)測沒有問題的話,接下來4到5年的時間18英寸的Si晶片也會出現(xiàn)。蘇州碳化硅襯底哪家碳化硅襯底質(zhì)量比較好一點?

半導(dǎo)體材料是碳化硅相當(dāng)有前景的應(yīng)用領(lǐng)域之一,碳化硅是目前發(fā)展成熟的第三代半導(dǎo)體材料。隨著生產(chǎn)成本的降低,SiC半導(dǎo)體正在逐步取代一、二代半導(dǎo)體。碳化硅半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈主要包括碳化硅高純粉料、單晶襯底、外延片、功率器件、模塊封裝和終端應(yīng)用等環(huán)節(jié)。在第三代半導(dǎo)體應(yīng)用中,碳化硅半導(dǎo)體的優(yōu)勢在于可與氮化鎵半導(dǎo)體互補,氮化鎵半導(dǎo)體材料的市場應(yīng)用領(lǐng)域集中在1000V以下,偏向中低電壓范圍,目前商業(yè)碳化硅半導(dǎo)體產(chǎn)品電壓等級為600~1700V。由于SiC器件高轉(zhuǎn)換效率、低發(fā)熱特性和輕量化等優(yōu)勢,下業(yè)需求持續(xù)增加,有取代SiO2器件的趨勢。

碳化硅(SiC)又叫金剛砂,密度是3.2g/cm3,天然碳化硅非常罕見,主要通過人工合成。按晶體結(jié)構(gòu)的不同分類,碳化硅可分為兩大類:αSiC和βSiC。在熱力學(xué)方面,碳化硅硬度在20℃時高達(dá)莫氏9.2-9.3,是硬的物質(zhì)之一,可以用于切割紅寶石;導(dǎo)熱率超過金屬銅,是Si的3倍、GaAs的8-10倍,且其熱穩(wěn)定性高,在常壓下不可能被熔化;在電化學(xué)方面,碳化硅具有寬禁帶、耐擊穿的特點,其禁帶寬度是Si的3倍,擊穿電場為Si的10倍;且其耐腐蝕性極強,在常溫下可以免疫目前已知的所有腐蝕劑。蘇州高質(zhì)量的碳化硅襯底的公司。

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