半導(dǎo)體器件材料和性能？

大多數(shù)半導(dǎo)體使用單晶硅，但使用的其他材料包括鍺、砷化鎵(GaAs)、砷化鎵、氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)。半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電率是由晶體結(jié)構(gòu)中引起自由電子過(guò)剩和缺乏的雜質(zhì)決定的，一般是通過(guò)多數(shù)載流子（N型半導(dǎo)體中的電子，P型半導(dǎo)體中的空穴）來(lái)負(fù)責(zé)的，但是，各種半導(dǎo)體，例如晶體管為了在器件中工作，需要少數(shù)載流子（N型半導(dǎo)體中的空穴和P型半導(dǎo)體中的電子）。半導(dǎo)體的整流效應(yīng)（*在一個(gè)方向上通過(guò)電流的特性）**初是在方鉛礦晶體中發(fā)現(xiàn)的。早期的無(wú)線電接收器（礦石無(wú)線電）是在方鉛礦晶體的表面上發(fā)現(xiàn)的，上面涂有稱為“貓須”的鉛存儲(chǔ)工具。據(jù)說(shuō)，使用了稱為“”的細(xì)金屬線的輕微接觸。 在當(dāng)?shù)乜诒?wù)是很不錯(cuò)的。黃浦區(qū)節(jié)能半導(dǎo)體器件

光電池當(dāng)光線投射到一個(gè)PN結(jié)上時(shí)，由光激發(fā)的電子空穴對(duì)受到PN結(jié)附近的內(nèi)在電場(chǎng)的作用而向相反方向分離，因此在PN結(jié)兩端產(chǎn)生一個(gè)電動(dòng)勢(shì)，這就成為一個(gè)光電池。把日光轉(zhuǎn)換成電能的日光電池很受人們重視。較早應(yīng)用的日光電池都是用硅單晶制造的，成本太高，不能大量推廣使用。國(guó)際上都在尋找成本低的日光電池，用的材料有多晶硅和無(wú)定形硅等。

其它利用半導(dǎo)體的其他特性做成的器件還有熱敏電阻、霍耳器件、壓敏元件、氣敏晶體管和表面波器件等。

今年是摩爾法則(Moore’slaw)問世50周年，這一法則的誕生是半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展史上的一個(gè)里程碑。這50年里，摩爾法則成為了信息技術(shù)發(fā)展的指路明燈。計(jì)算機(jī)從神秘不可近的龐然大物變成多數(shù)人都不可或缺的工具，信息技術(shù)由實(shí)驗(yàn)室進(jìn)入無(wú)數(shù)個(gè)普通家庭，因特網(wǎng)將全世界聯(lián)系起來(lái)，多媒體視聽設(shè)備豐富著每個(gè)人的生活。這一法則決定了信息技術(shù)的變化在加速，產(chǎn)品的變化也越來(lái)越快。人們已看到，技術(shù)與產(chǎn)品的創(chuàng)新大致按照它的節(jié)奏，超前者多數(shù)成為先鋒，而落后者容易被淘汰。 黃浦區(qū)節(jié)能半導(dǎo)體器件在半導(dǎo)體器件的征途上，無(wú)錫微原電子科技始終堅(jiān)定前行，不斷超越！

    半導(dǎo)體發(fā)光二極管半導(dǎo)體發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)是一個(gè)PN結(jié)，它正向通電流時(shí)，注入的少數(shù)載流子靠復(fù)合而發(fā)光。它可以發(fā)出綠光、黃光、紅光和紅外線等。所用的材料有 GaP、GaAs、GaAs1-xPx、Ga1-xAlxAs、In1-xGaxAs1-yPy等。半導(dǎo)體激光器如果使高效率的半導(dǎo)體發(fā)光管的發(fā)光區(qū)處在一個(gè)光學(xué)諧振腔內(nèi)，則可以得到激光輸出。這種器件稱為半導(dǎo)體激光器或注入式激光器。

   **早的半導(dǎo)體激光器所用的PN結(jié)是同質(zhì)結(jié)，以后采用雙異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)。雙異質(zhì)結(jié)激光器的優(yōu)點(diǎn)在于它可以使注入的少數(shù)載流子被限制在很薄的一層有源區(qū)內(nèi)復(fù)合發(fā)光，同時(shí)由雙異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)組成的光導(dǎo)管又可以使產(chǎn)生的光子也被限制在這層有源區(qū)內(nèi)。因此雙異質(zhì)結(jié)激光器有較低的閾值電流密度，可以在室溫下連續(xù)工作。

      鍺和硅是**常用的元素半導(dǎo)體；化合物半導(dǎo)體包括Ⅲ-Ⅴ族化合物（砷化鎵、磷化鎵等）、Ⅱ-Ⅵ族化合物(硫化鎘、硫化鋅等)、氧化物(錳、鉻、鐵、銅的氧化物),以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物組成的固溶體（鎵鋁砷、鎵砷磷等）。除上述晶態(tài)半導(dǎo)體外，還有非晶態(tài)的玻璃半導(dǎo)體、有機(jī)半導(dǎo)體等。半導(dǎo)體：意指半導(dǎo)體收音機(jī)，因收音機(jī)中的晶體管由半導(dǎo)體材料制成而得名。本征半導(dǎo)體不含雜質(zhì)且無(wú)晶格缺陷的半導(dǎo)體稱為本征半導(dǎo)體。在極低溫度下，半導(dǎo)體的價(jià)帶是滿帶(見能帶理論)，受到熱激發(fā)后，價(jià)帶中的部分電子會(huì)越過(guò)禁帶進(jìn)入能量較高的空帶，空帶中存在電子后成為導(dǎo)帶，價(jià)帶中缺少一個(gè)電子后形成一個(gè)帶正電的空位，稱為空穴。無(wú)錫微原電子科技，半導(dǎo)體器件行業(yè)的創(chuàng)新英雄，書寫輝煌篇章！

本征半導(dǎo)體的電流：電子電流+空穴電流。自由電子和空穴所帶電荷極性不同，它們運(yùn)動(dòng)方向相反。載流子：運(yùn)載電荷的粒子稱為載流子。導(dǎo)體電的特點(diǎn)：導(dǎo)體導(dǎo)電只有一種載流子，即自由電子導(dǎo)電。本征半導(dǎo)體電的特點(diǎn)：本征半導(dǎo)體有兩種載流子，即自由電子和空穴均參與導(dǎo)電。本征激發(fā)：半導(dǎo)體在熱激發(fā)下產(chǎn)生自由電子和空穴的現(xiàn)象稱為本征激發(fā)。復(fù)合：自由電子在運(yùn)動(dòng)的過(guò)程中如果與空穴相遇就會(huì)填補(bǔ)空穴，使兩者同時(shí)消失，這種現(xiàn)象稱為復(fù)合。動(dòng)態(tài)平衡：在一定的溫度下，本征激發(fā)所產(chǎn)生的自由電子與空穴對(duì)，與復(fù)合的自由電子與空穴對(duì)數(shù)目相等，達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡。在半導(dǎo)體器件的海洋中，無(wú)錫微原電子科技乘風(fēng)破浪，勇往直前！錫山區(qū)半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)

無(wú)錫微原電子科技，半導(dǎo)體器件行業(yè)的創(chuàng)新典范，值得學(xué)習(xí)與借鑒！黃浦區(qū)節(jié)能半導(dǎo)體器件

   大功率電源轉(zhuǎn)換交流電和直流電的相互轉(zhuǎn)換對(duì)于電器的使用十分重要，是對(duì)電器的必要保護(hù)。這就要用到等電源轉(zhuǎn)換裝置。碳化硅擊穿電壓強(qiáng)度高，禁帶寬度寬，熱導(dǎo)性高，因此SiC半導(dǎo)體器件十分適合應(yīng)用在功率密度和開關(guān)頻率高的場(chǎng)合，電源轉(zhuǎn)換裝置就是其中之一。碳化硅元件在高溫、高壓、高頻的優(yōu)異表現(xiàn)使得現(xiàn)在被***使用到深井鉆探，發(fā)電裝置中的逆變器，電氣混動(dòng)汽車的能量轉(zhuǎn)化器，輕軌列車牽引動(dòng)力轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域。由于SiC本身的優(yōu)勢(shì)以及現(xiàn)階段行業(yè)對(duì)于輕量化、高轉(zhuǎn)換效率的半導(dǎo)體材料需要，SiC將會(huì)取代Si，成為應(yīng)用*****的半導(dǎo)體材料。黃浦區(qū)節(jié)能半導(dǎo)體器件

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