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浙江新型納米硅磨石地坪工程技術

來源: 發(fā)布時間:2023-02-20

    納米硅具有粒度細、活性高、比表面積大、脫嵌鋰不粉化等性能優(yōu)勢,已廣泛應用于微電子、半導體及鋰電池負極材料等領域。目前,用于制備納米硅粉的常見方法有機械研磨法、等離子蒸發(fā)冷凝法以及化學氣相沉積法。其中,機械研磨法由于設備工藝簡單、成本低和易于批量生產(chǎn)而受到眾多技術開發(fā)者的青睞。3.然而,機械研磨法雖然能低成本高效率制得納米硅,但該工藝方法存在以下技術難點:1)納米硅比表面積大,極易發(fā)生團聚;2)制備過程中,由于表面的高反應活性,易于氧化和被腐蝕;3)使用大量的分散劑造成材料性能降低。針對上述納米硅機械研磨法中存在的問題,大量工藝改善方法被提出來,如專利文獻cna中公開的納米硅制備方法,由于使用大量分散劑(10%-20%),使得硅粒徑能精確調(diào)控,然而大量分散劑會直接導致納米硅的性能降低。 上海裝修納米硅磨石地坪供應商家。浙江新型納米硅磨石地坪工程技術

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在中試放大方面,項目組于2014年6月與江西紫宸科技有限公司正式開展合作,并搭建了硅碳負極材料的中試生產(chǎn)線,開始進行公斤級的小批量生產(chǎn)。到2015底,已經(jīng)可以生產(chǎn)批次穩(wěn)定性較高的噸級碳包覆納米硅材料。到2016年底,已經(jīng)可以提供百公斤級的碳包覆氧化亞硅材料;目前,該中試線已經(jīng)可以提供不同類型與規(guī)格的納米硅碳負極材料,并且有很多新型工藝以及當前工藝的改進路線正在積極研發(fā)和試驗中。同時,該中試線的規(guī)模也在不斷擴大,預計到2017年底將實現(xiàn)不同種類的納米硅碳負極材料噸級至百噸級生產(chǎn)。另外,項目組擁有多項納米硅碳負極材料在國內(nèi)的早期核心專利,具有一定的競爭優(yōu)勢浙江品牌納米硅磨石地坪大概多少錢寧波高科技納米硅磨石地坪材料區(qū)別?

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    該方法制備的納米硅粉純度高、粒度可控,美國杜邦公司在20世紀70年代已采用PECVD方法實現(xiàn)了納米硅粉批量化生產(chǎn)。同時,該方法制備的納米硅粉粒度范圍較寬,且相當一部分為非晶態(tài),需要通過熱處理的方法來減少粉末中非晶態(tài)的含量。激光誘導化學氣相沉積法(LICVD)激光誘導化學氣相沉積法(LICVD)是利用反應原料SiH4的氣體分子對特定波長激光的共振吸收,誘導SiH4分子激光熱解,在一定工藝條件下(激光功率密度、反應池壓力、反應氣體配比、流量和反應溫度等)促進Si成核和生長,通過控制成核和生長的過程獲得納米硅粉。該方法由Haggerty發(fā)明,日本豐田等日本企業(yè)進行了改善,日本帝人公司在納米硅粉方面已經(jīng)能夠使用該方法進行規(guī)?;纳a(chǎn)。LICVD制備超細粉體具有表面清潔,粒度分布均勻、易于分散等優(yōu)點。

    通過對比原材料、原材料利用率、產(chǎn)品純度、產(chǎn)品粒度、產(chǎn)率、連續(xù)生產(chǎn)性、操作安全性及環(huán)境友好性等眾多因素后,可以發(fā)現(xiàn)感應等離子制備納米硅粉相對于其它制備技術具有較高的綜合優(yōu)勢。各種制備納米硅粉方法對比該技術可以提供一個大尺寸、高還原性和高達10000K的粉體合成環(huán)境,具有原材料利用率高、產(chǎn)率高、操作安全、可連續(xù)生產(chǎn)等優(yōu)點,且不存在其他等離子方式由于電極燒蝕而引入雜質(zhì)污染的問題,因而特別適合高純度超細甚至是納米級粉體的制備。感應等離子蒸發(fā)冷凝法制備納米硅粉示意圖據(jù)悉,感應等離子蒸發(fā)冷凝法近些年才引入中國,而西方國家在該方法制備粉體方面已經(jīng)實現(xiàn)了工業(yè)化,如加拿大泰克納公司生產(chǎn)的等離子體物相合成設備由于擁有成熟的粒度、活性控制技術和優(yōu)異的后處理封裝技術,已成功應用于Si、Mn、Mo、W等多種超細粉體的商業(yè)化制備;英國的鈦白公司利用該方法已形成年產(chǎn)4萬tTiO2超細粉的規(guī)模;德國的斯塔克工廠也已實現(xiàn)了難熔金屬及碳化物(SiC)超細粉、高純金屬超細粉(Al、B、Si等)的工業(yè)化生產(chǎn)。 紹興新型納米硅磨石地坪材料區(qū)別。

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    二維納米硅材料結(jié)構形態(tài)有利于抑制體積膨脹,增強電極、電解液、集流體的接觸,而且其結(jié)構能夠縮短鋰離子的擴散距離,緩解體積膨脹導致的電極剝落。二維納米硅材料有硅納米薄膜、硅納米片等。[14]制備了硅納米線陣列薄膜,其由單晶硅納米線組成,從而提高硅負極的電化學性能,在150mAh/g的電流密度下充放電循環(huán)30次后仍有1000mAh/g的可逆容量。Tao[15]等通過電沉積技術制得Si復合電極,首先在銅箔上用兩步法沉積上一層微納結(jié)構的Ni層,然后在一定條件下沉積上一層Si。通過這種方法取得不錯的結(jié)果,材料的容量為1239mAh/g,經(jīng)過100次循環(huán)之后,還有800mAh/g以上的容量,材料的容量保持率為。硅納米薄膜、硅納米片等二維納米硅材料同樣存在制備成本過高的問題,也不適合規(guī)?;慨a(chǎn)。著作權歸作者所有。商業(yè)轉(zhuǎn)載請聯(lián)系作者獲得授權,非商業(yè)轉(zhuǎn)載請注明出處。 杭州節(jié)能納米硅磨石地坪材料區(qū)別?杭州納米硅磨石地坪是什么

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在高容量材料方面,由于硅含量較高,其體積膨脹所帶來的后續(xù)循環(huán)穩(wěn)定性問題較大,項目組則是從原材料出發(fā),制備了一種粒徑更?。―50<100nm)的摻雜納米硅作為原材料,并在此基礎上開發(fā)出使表面包覆更加均勻且更加適合于規(guī)?;a(chǎn)的氣相包覆工藝,提升材料性能。如500mA·h/g的碳包覆納米硅材料,首周效率可達88%,500周后容量保持80%;其中,低容量材料主要通過摻混更多的石墨來緩解應變、抑制反彈,同時結(jié)合液相分散工藝和表面包覆軟碳等措施,使材料與當前商業(yè)化的電池體系相容性更高。如400mA·h/g的碳包覆納米硅材料,首周效率可達91%,600周后容量保持80%浙江新型納米硅磨石地坪工程技術

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