被公認(rèn)為是很合適的通信用半導(dǎo)體材料。在手機(jī)無線通信應(yīng)用中,目前射頻功率放大器絕大部分采用GaAs材料。在GSM通信中,國內(nèi)的紫光展銳和漢天下等芯片設(shè)計(jì)企業(yè)曾憑借RFCMOS制程的高集成度和低成本的優(yōu)勢,打破了采用國際廠商采用傳統(tǒng)的GaAs制程完全主導(dǎo)射頻功放的格局。但是到了4G時代,由于Si材料存在高頻損耗、噪聲大和低輸出功率密度等缺點(diǎn),RFCMOS已經(jīng)不能滿足要求,手機(jī)射頻功放重新回到GaAs制程完全主導(dǎo)的時代。與射頻功放器件依賴于GaAs材料不同,90%的射頻開關(guān)已經(jīng)從傳統(tǒng)的GaAs工藝轉(zhuǎn)向了SOI(Silicononinsulator)工藝,射頻收發(fā)機(jī)大多數(shù)也已采用RFCMOS制程,從而滿足不斷提高的集成度需求。5G時代,GaN材料適用于基站端。在宏基站應(yīng)用中,GaN材料憑借高頻、高輸出功率的優(yōu)勢,正在逐漸取代SiLDMOS;在微基站中,未來一段時間內(nèi)仍然以GaAsPA件為主,因其目前具備經(jīng)市場驗(yàn)證的可靠性和高性價比的優(yōu)勢,但隨著器件成本的降低和技術(shù)的提高,GaNPA有望在微基站應(yīng)用在分得一杯羹;在移動終端中,因高成本和高供電電壓,GaNPA短期內(nèi)也無法撼動GaAsPA的統(tǒng)治地位。全球GaAs射頻器件被國際巨頭壟斷。全球GaAs射頻器件市場以IDM模式為主。線性:由非線性分析知道,功率放大器的三階交調(diào)系數(shù)時與負(fù)載有關(guān)的。河北線性射頻功率放大器經(jīng)驗(yàn)豐富
寬帶性能一致性差,諧波性能也較差。采用普通結(jié)構(gòu)變壓器級聯(lián)lc匹配實(shí)現(xiàn)功率合成和阻抗變換的pa,采用變壓器及其輸入輸出匹配電容,輸出級聯(lián)lc匹配濾波電路。這種結(jié)構(gòu)優(yōu)點(diǎn)是諧波性能好,可以實(shí)現(xiàn)寬帶一致的阻抗變換;缺點(diǎn)是寬帶性能一致性和插損之間存在折中,高頻點(diǎn)插損較大。在本發(fā)明實(shí)施例中,通過增加輔次級線圈可以在不影響初級線圈和主次級線圈的前提下增加輸入到輸出的能量耦合路徑,減小耦合系數(shù)k值較小對阻抗變換的影響。根據(jù)初級線圈和主次級線圈的k值等參數(shù),選擇合適的輔次級線圈的大小和k值可以有效提高功率合成變壓器的阻抗變換工作頻率范圍,降低功率合成變壓器損耗。此外,將功率合成變壓器的主次級線圈和輔次級線圈以及匹配濾波電路協(xié)同設(shè)計(jì),能夠進(jìn)一步提高射頻功率放大器的寬帶阻抗變換和濾波性能。為使本發(fā)明的上述目的、特征和有益效果能夠更為明顯易懂,下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的具體實(shí)施例做詳細(xì)的說明。本發(fā)明實(shí)施例提供了一種射頻功率放大器,參照圖1。在本發(fā)明實(shí)施例中,射頻功率放大器可以包括:功率放大單元(powercell)、功率合成變壓器以及匹配濾波電路。在具體實(shí)施率放大單元可以包括兩個輸入端以及兩個輸出端。河北線性射頻功率放大器經(jīng)驗(yàn)豐富寬帶放大器是指上限工作頻率與下限工作頻率之比甚大于1的放大電路。
主要廠商有美國Skyworks、Qorvo、Broadcom,日本村田等。三家合計(jì)占有全球66%的份額,Skyworks和Qorvo更是處于全球遙遙的位置。2017年GaAs晶圓代工市場,中國臺灣穩(wěn)懋(WinSemi)獨(dú)占全球,是全球大GaAs晶圓代工廠。5G設(shè)備射頻前端模組化趨勢明顯,SIP大有可為5G將重新定義射頻(RF)前端在網(wǎng)絡(luò)和調(diào)制解調(diào)器之間的交互。新的RF頻段(如3GPP在R15中所定義的sub-6GHz和毫米波(mm-wave)給產(chǎn)業(yè)界帶來了巨大挑戰(zhàn)。LTE的發(fā)展,尤其是載波聚合技術(shù)的應(yīng)用,導(dǎo)致當(dāng)今智能手機(jī)中的復(fù)雜架構(gòu)。同時,RF電路板和可用天線空間減少帶來的密集化趨勢,使越來越多的手持設(shè)備OEM廠商采用功率放大器模塊并應(yīng)用新技術(shù),如LTE和WiFi之間的天線共享。在低頻頻段,所包含的600MHz頻段將為低頻段天線設(shè)計(jì)和天線調(diào)諧器帶來新的挑戰(zhàn)。隨著新的超高頻率(N77、N78、N79)無線電頻段發(fā)布,5G將帶來更高的復(fù)雜性。具有雙連接的頻段重新分配(早期頻段包括N41、N71、N28和N66,未來還有更多),也將增加對前端的限制。毫米波頻譜中的5GNR無法提供5G關(guān)鍵USP的多千兆位速度,因此需要在前端模組中具有更高密度,以實(shí)現(xiàn)新頻段集成。5G手機(jī)需要4X4MIMO應(yīng)用,這將在手機(jī)中增加大量RF流。結(jié)合載波聚合要求。
LX5535+LX5530出現(xiàn)在AtherosAP96高功率版本參考設(shè)計(jì)中,F(xiàn)EM多次出現(xiàn)在無線網(wǎng)卡參考設(shè)計(jì)中。LX5518則是近年應(yīng)用較多的一款高功率PA,與后文即將出現(xiàn)的SkyworksSE2576十分接近。毫不夸張地講,MicrosemiLX5518與SkyworksSE2576占據(jù)了。LX5518的強(qiáng)悍性能如下圖所示。RFaxisRFaxis是一家相對較新的射頻半導(dǎo)體公司,成立于2008年1月,總部設(shè)于美國加州,專業(yè)從事射頻半導(dǎo)體的設(shè)計(jì)和開發(fā)。憑借其獨(dú)有的技術(shù),RFaxis公司專為數(shù)十億美元的Bluetooth、WLAN、、ZigBee、AMR/AMI和無線音頻/視頻市場設(shè)計(jì)的下一代無線解決方案。利用純CMOS并結(jié)合其自身的創(chuàng)新方法和技術(shù),RFaxis開發(fā)出全球射頻前端集成電路(RFeIC)。相信讀者一定了解,CMOSPA的巨大優(yōu)勢就是成本低,在如今WiFi設(shè)備價格如此敏感的環(huán)境下,這是RFaxis開拓市場的利器。從RFaxis的官方上可以看到已經(jīng)有多款WiFiPA,但缺少匯總數(shù)據(jù),用戶很難快速選型。本文*給出RFaxis主推的RFX240的性能。RFICRFIC的全稱是RFIntegratedCorp.,中文名稱是朗弗科技股份有限公司,這家公司顯得十分低調(diào),在其官網(wǎng)上甚至找不到任何有關(guān)公司的介紹,筆者也是醉了。在射頻/微波 IC中一般用方形螺旋電感。
當(dāng)?shù)诙訛V波電路包括第二電容c2以及第二電感l(wèi)2時,第二電容c2與第二電感l(wèi)2的諧振頻率在功率放大單元的二次諧波頻率附近。因此,在具體應(yīng)用中,可以根據(jù)功率放大單元的二次諧波頻率,選擇相應(yīng)電容值的電容c1以及相應(yīng)電感值的電感l(wèi)1,以實(shí)現(xiàn)諧振頻率的匹配;和/或,選擇相應(yīng)電容值的第二電容c2以及相應(yīng)電感值的第二電感l(wèi)2,以實(shí)現(xiàn)諧振頻率的匹配。在具體實(shí)施中,電容c1可以是片上可調(diào)節(jié)的可調(diào)電容,通過調(diào)節(jié)電容c1的電容值,能夠進(jìn)一步改善射頻功率放大器的寬帶性能。相應(yīng)地,第二電容c2也可以是片上可調(diào)節(jié)的可調(diào)電容,通過調(diào)節(jié)第二電容c2的電容值,能夠進(jìn)一步改善射頻功率放大器的寬帶性能。在圖1與圖2中,子濾波電路的結(jié)構(gòu)與第二子濾波電路的結(jié)構(gòu)相同??梢岳斫獾氖?,子濾波電路的結(jié)構(gòu)也可以與第二子濾波電路的結(jié)構(gòu)不同。例如,子濾波電路包括電容c1,第二子濾波電路包括第二電容c2以及第二電感l(wèi)2。又如,子濾波電路包括電容c1以及電感l(wèi)1,第二子濾波電路包括第二電容c2。在具體實(shí)施中,輸入端匹配濾波電路還可以包括寄生電容,寄生電容可以耦接在功率放大單元的輸出端與功率放大單元的第二輸出端之間。在具體實(shí)施中,輸出端匹配濾波電路可以包括第三子濾波電路。微波功率放大器在大功率下工作要合理設(shè)計(jì)功放結(jié)構(gòu)加裝散熱器以 提高功放管熱量輻散效率保證放大器穩(wěn)定工作。海南超寬帶射頻功率放大器值得推薦
射頻功率放大器地用于多種有線和無線應(yīng)用中,包括 CATV,ISM,WLL,PCS,GSM,CDMA 和 WCDMA 等各種頻段。河北線性射頻功率放大器經(jīng)驗(yàn)豐富
能夠快速設(shè)置各個射頻功率放大器。本申請實(shí)施例提供的一種移動終端射頻功率放大器檢測方法,包括:預(yù)設(shè)射頻功率放大器的配置狀態(tài)電阻值;計(jì)算所述射頻功率放大器檢測模塊的電阻值;比較所述射頻功率放大器檢測模塊的電阻值與所述配置狀態(tài)電阻值;所述射頻功率放大器檢測模塊的電阻值與所述配置狀態(tài)電阻值不相等,開啟所述射頻功率放大器;所述射頻功率放大器檢測模塊的電阻值與所述配置狀態(tài)電阻值相等,所述射頻功率放大器配置完成??蛇x的,在本申請的一些實(shí)施例中,所述預(yù)設(shè)射頻功率放大器的配置狀態(tài)電阻值,包括:所述配置狀態(tài)電阻值包括開啟狀態(tài)的電阻值與關(guān)閉狀態(tài)的電阻值;所述射頻功率放大器設(shè)置匹配電阻;所述關(guān)閉狀態(tài)的電阻值為所述射頻功率放大器的電阻值;所述開啟狀態(tài)的電阻值為所述匹配電阻的電阻值??蛇x的,在本申請的一些實(shí)施例中,所述計(jì)算所述射頻功率放大器檢測模塊的電阻值,包括:rj=vgpio*r0/(vdd-vgpio);其中,rj為射頻功率放大器檢測模塊的電阻值,vgpio為處理器引腳的電壓值,vdd為電源電壓,r0為計(jì)算電阻的電阻值??蛇x的,在本申請的一些實(shí)施例中,所述匹配電阻包括:不同的射頻功率放大器設(shè)置不同的匹配電阻。河北線性射頻功率放大器經(jīng)驗(yàn)豐富
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