多數(shù)電子產(chǎn)品，從智能手機、PC到服務(wù)器，都用著某種形式的RAM存儲設(shè)備。由于相 對較低的每比特的成本提供了速度和存儲很好的結(jié)合，SDRAM作為大多數(shù)基于計算機產(chǎn)品 的主流存儲器技術(shù)被廣泛應(yīng)用于各種高速系統(tǒng)設(shè)計中。

DDR是雙倍數(shù)率的SDRAM內(nèi)存接口，其規(guī)范于2000年由JEDEC （電子工程設(shè)計發(fā)展 聯(lián)合協(xié)會）發(fā)布。隨著時鐘速率和數(shù)據(jù)傳輸速率不斷增加帶來的性能提升，電子工程師在確 保系統(tǒng)性能指標(biāo)，或確保系統(tǒng)內(nèi)部存儲器及其控制設(shè)備的互操作性方面的挑戰(zhàn)越來越大。存 儲器子系統(tǒng)的信號完整性早已成為電子工程師重點考慮的棘手問題。 DDR3一致性測試是否適用于筆記本電腦上的內(nèi)存模塊？多端口矩陣測試DDR3測試產(chǎn)品介紹

單擊Next按鈕，出現(xiàn)Setup Trace Check Wizard窗口，確保網(wǎng)絡(luò)組的所有網(wǎng)絡(luò)都被選中, 單擊Finish按鈕。

  單擊Save File with Error Check保存文件，保存結(jié)束后，單擊Start Simulation開始仿 真。仿真完成后，仿真結(jié)果包括Workflow中Results and Report的所有內(nèi)容。如果在Setup Trace Check Parameters 的步驟 net selection 時選的是 check all signal nets 或者 check all enabled signal nets 模式，那么仿真結(jié)果只有 Net Impedance Summary 和 Net Co叩ling Summaryo

  單擊Net Impedance Summary,出現(xiàn)阻抗總結(jié)表格，包括網(wǎng)絡(luò)序號、網(wǎng)絡(luò)名稱、無參 考平面的走線數(shù)目、回流不連續(xù)的走線數(shù)目、過孔數(shù)目、比較大阻抗值、小阻抗值、主導(dǎo)阻 抗值、主導(dǎo)阻抗走線長度百分比、走線總長度、走線延時。 校準(zhǔn)DDR3測試項目DDR3一致性測試是否會導(dǎo)致操作系統(tǒng)或應(yīng)用程序崩潰？

單擊Check Stackup,設(shè)置PCB板的疊層信息。比如每層的厚度(Thickness)、介 電常數(shù)(Permittivity (Er))及介質(zhì)損耗(LossTangent)。

 單擊 Enable Trace Check Mode,確保 Enable Trace Check Mode 被勾選。在走線檢查 流程中，可以選擇檢查所有信號網(wǎng)絡(luò)、部分信號網(wǎng)絡(luò)或者網(wǎng)絡(luò)組(Net Gr。叩s)?？梢酝ㄟ^ Prepare Nets步驟來選擇需要檢查的網(wǎng)絡(luò)。本例釆用的是檢查網(wǎng)絡(luò)組。檢查網(wǎng)絡(luò)組會生成較詳 細(xì)的阻抗和耦合檢查結(jié)果。單擊Optional： Setup Net Groups,出現(xiàn)Setup Net Groups Wizard 窗口。

在Setup NG Wizard窗口中依次指定Tx器件、Rx器件、電源地網(wǎng)絡(luò)、無源器件及 其模型。

每個 DDR 芯片獨享 DQS，DM 信號；四片 DDR 芯片共享 RAS#，CAS#，CS#，WE#控制信號?！DR 工作頻率為 133MHz?！DR 控制器選用 Xilinx 公司的 FPGA，型號為 XC2VP30_6FF1152C。得到這個設(shè)計需求之后，我們首先要進(jìn)行器件選型，然后根據(jù)所選的器件，準(zhǔn)備相關(guān)的設(shè)計資料。一般來講，對于經(jīng)過選型的器件，為了使用這個器件進(jìn)行相關(guān)設(shè)計，需要有如下資料。

· 器件數(shù)據(jù)手冊 Datasheet：這個是必須要有的。如果沒有器件手冊，是沒有辦法進(jìn)行設(shè)計的（一般經(jīng)過選型的器件，設(shè)計工程師一定會有數(shù)據(jù)手冊）。 DDR3一致性測試是否適用于特定應(yīng)用程序和軟件環(huán)境？

有其特殊含義的，也是DDR體系結(jié)構(gòu)的具體體現(xiàn)。而遺憾的是，在筆者接觸過的很多高速電路設(shè)計人員中，很多人還不能夠說清楚這兩個圖的含義。在數(shù)據(jù)寫入(Write)時序圖中，所有信號都是DDR控制器輸出的，而DQS和DQ信號相差90°相位，因此DDR芯片才能夠在DQS信號的控制下，對DQ和DM信號進(jìn)行雙沿采樣:而在數(shù)據(jù)讀出(Read)時序圖中，所有信號是DDR芯片輸出的，并且DQ和DQS信號是同步的，都是和時鐘沿對齊的!這時候為了要實現(xiàn)對DQ信號的雙沿采樣，DDR控制器就需要自己去調(diào)整DQS和DQ信號之間的相位延時!!!這也就是DDR系統(tǒng)中比較難以實現(xiàn)的地方。DDR規(guī)范這樣做的原因很簡單，是要把邏輯設(shè)計的復(fù)雜性留在控制器一端，從而使得外設(shè)(DDR存儲心片)的設(shè)計變得簡單而廉價。因此，對于DDR系統(tǒng)設(shè)計而言，信號完整性仿真和分析的大部分工作，實質(zhì)上就是要保證這兩個時序圖的正確性。DDR3內(nèi)存的一致性測試可以修復(fù)一致性問題嗎？四川自動化DDR3測試

是否可以在運行操作系統(tǒng)時執(zhí)行DDR3一致性測試？多端口矩陣測試DDR3測試產(chǎn)品介紹

DDR3信號質(zhì)量問題及仿真解決案例隨著DDR信號速率的升高，信號電平降低，信號質(zhì)量問題也會變得突出。比如DDR1的數(shù)據(jù)信號通常用在源端加上匹配電阻來改善波形質(zhì)量；DDR2/3/4會將外部電阻變成內(nèi)部ODT；對于多負(fù)載的控制命令信號，DDR1/2/3可以在末端添加VTT端接，而DDR4則將采 用VDD的上拉端接。在CLK的差分端接及控制芯片驅(qū)動能力的選擇等方面，可以通過仿真 來得到正確驅(qū)動和端接，使DDR工作時信號質(zhì)量改善，從而增大DDRI作時序裕量。多端口矩陣測試DDR3測試產(chǎn)品介紹