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為了優(yōu)化工藝鏈，HERCULES NIL中包括多次使用的軟印章的制造，這是大批量生產(chǎn)的基石，不需要額外的壓印印章制造設(shè)備。作為一項(xiàng)特殊功能，該工具可以升級(jí)為具有ISO 3 *功能的微型環(huán)境，以確保比較低的缺 陷率和比較高質(zhì)量的原版復(fù)制。 通過(guò)為大批量...

EVG?6200鍵合機(jī)選件 自動(dòng)對(duì)準(zhǔn) 紅外對(duì)準(zhǔn)，用于內(nèi)部基板鍵對(duì)準(zhǔn) NanoAlign?包增強(qiáng)加工能力 可與系統(tǒng)機(jī)架一起使用 掩模對(duì)準(zhǔn)器的升級(jí)可能性 技術(shù)數(shù)據(jù) 常規(guī)系統(tǒng)配置 桌面 系統(tǒng)機(jī)架：可選 隔振：被動(dòng) 對(duì)準(zhǔn)方法 背面對(duì)準(zhǔn)：±2μm3σ 透明對(duì)準(zhǔn)：±1μm...

輪廓儀產(chǎn)品概述： NanoX-2000/3000 系列 3D 光學(xué)干涉輪廓儀建立在移相干涉測(cè)量（PSI）、白光垂直掃描干涉測(cè)量（VSI）和單色光 垂直掃描干涉測(cè)量（CSI）等技術(shù)的基礎(chǔ)上，以其納米級(jí)測(cè)量準(zhǔn)確度和重復(fù)性（穩(wěn)定性）定量地反...

我們的研發(fā)實(shí)力。 EVG已經(jīng)與研究機(jī)構(gòu)合作超過(guò)35年，讓我們深入了解他們的獨(dú)特需求。我們專(zhuān)業(yè)的研發(fā)工具提供卓/越的技術(shù)和**/大的靈活性，使大學(xué)、研究機(jī)構(gòu)和技術(shù)開(kāi)發(fā)合作伙伴能夠參與多個(gè)研究項(xiàng)目和應(yīng)用項(xiàng)目。此外，研發(fā)設(shè)備與EVG的**技術(shù)平臺(tái)無(wú)縫集成，這...

EVG?850LT 特征 利用EVG的LowTemp?等離子基活技術(shù)進(jìn)行SOI和直接晶圓鍵合 適用于各種熔融/分子晶圓鍵合應(yīng)用 生產(chǎn)系統(tǒng)可在高通量，高產(chǎn)量環(huán)境中運(yùn)行 盒到盒的自動(dòng)操作（錯(cuò)誤加載，SMIF或FOUP） 無(wú)污...

TS-300 TS系列產(chǎn)品中比較大的系列，比TS-140 / TS-150更大。 在公制（M6 x 25mm）或非公制網(wǎng)格上鉆孔的頂板可將各種設(shè)備安裝在隔離的桌面上。 頻率 負(fù)載范圍TS-300 負(fù)載范圍TS-3...

面板廠為補(bǔ)償較低的開(kāi)口率，多運(yùn)用在背光模塊搭載較多LED的技術(shù)，但此作法的缺點(diǎn)是用電量較高。若運(yùn)用NIL制程，可確保適當(dāng)?shù)拈_(kāi)口率，降低用電量。利用一般曝光設(shè)備也可在玻璃基板上形成偏光膜。然8代曝光設(shè)備一次可形成的圖樣面積較小。若要制造55吋面板，需要經(jīng)...

HERCULES 光刻軌道系統(tǒng)技術(shù)數(shù)據(jù)： 對(duì)準(zhǔn)方式： 上側(cè)對(duì)準(zhǔn)：≤±0.5 μm； 底側(cè)對(duì)準(zhǔn)：≤±1,0 μm； 紅外校準(zhǔn)：≤±2,0 μm /具體取決于基材 先進(jìn)的對(duì)準(zhǔn)功能： 手動(dòng)對(duì)準(zhǔn)； 自動(dòng)對(duì)準(zhǔn)； ...

5、模塊將放置在腳輪板下。將AVI模塊滑到后傾角板下，使模塊從一側(cè)到另一側(cè)（而不是從前到后）橫跨立柱底面。將它們盡量放在外側(cè)，不要碰到腿的側(cè)壁。如果您安裝的是EVO、Supra 25–55、Ultra 55或Neon 40，則每個(gè)隔離模塊的寬度為7.5英寸...

輪廓的角度處理: 角度處理：兩直線夾角、直線與Y軸夾角、直線與X軸夾角點(diǎn)線處理：兩直線交點(diǎn)、交點(diǎn)到直線距離、交點(diǎn)到交點(diǎn)距離、交點(diǎn)到圓心距離、交點(diǎn)到點(diǎn)距離圓處理：圓心距離、圓心到直線的距離、交點(diǎn)到圓心的距離、直線到切點(diǎn)的距離線處理：直線度、凸度、L...

厚度標(biāo)準(zhǔn)： 所有 Filmetrics 厚度標(biāo)準(zhǔn)都是得到驗(yàn)證可追溯的 NIST 標(biāo)準(zhǔn)。 S-Custom-NIST：在客戶提供的樣品上定制可追溯的 NIST 厚度校準(zhǔn)。 TS-Focus-SiO2-4-3100SiO2-on-Si ：厚...

F40 系列 包含的內(nèi)容：集成光譜儀/光源裝置FILMeasure 8 軟件FILMeasure **軟件 (用于遠(yuǎn)程數(shù)據(jù)分析)MA-Cmount 安裝轉(zhuǎn)接器 顯微鏡轉(zhuǎn)接器光纖連接線BK7 參考材料TS-Focus-SiO2-4-10000 厚度標(biāo)準(zhǔn)...

EVG ? 101--先進(jìn)的光刻膠處理系統(tǒng) 主要應(yīng)用：研發(fā)和小規(guī)模生產(chǎn)中的單晶圓光刻膠加工 EVG101光刻膠處理系統(tǒng)在單腔設(shè)計(jì)中執(zhí)行研發(fā)類(lèi)型的工藝，與EVG的自動(dòng)化系統(tǒng)完全兼容。EVG101光刻膠處理機(jī)支持**/大300 mm的晶圓，并...

EVG101光刻膠處理系統(tǒng)的旋轉(zhuǎn)涂層模塊-旋轉(zhuǎn)器參數(shù) 轉(zhuǎn)速：**/高10 k rpm 加速速度：**/高10 k rpm 噴涂模塊-噴涂產(chǎn)生 超聲波霧化噴嘴/高粘度噴嘴 開(kāi)發(fā)模塊-分配選項(xiàng) 水坑顯影/噴霧顯影 ...

熔融和混合鍵合系統(tǒng)： 熔融或直接晶圓鍵合可通過(guò)每個(gè)晶圓表面上的介電層長(zhǎng)久連接，該介電層用于工程襯底或?qū)愚D(zhuǎn)移應(yīng)用，例如背面照明的CMOS圖像傳感器。 混合鍵合擴(kuò)展了與鍵合界面中嵌入的金屬焊盤(pán)的熔融鍵合，從而允許晶片面對(duì)面連接?；旌辖壎ǖ闹饕獞?yīng)用是...

F30 系列監(jiān)控薄膜沉積，**強(qiáng)有力的工具F30 光譜反射率系統(tǒng)能實(shí)時(shí)測(cè)量沉積率、沉積層厚度、光學(xué)常數(shù) (n 和 k 值) 和半導(dǎo)體以及電介質(zhì)層的均勻性。 樣品層分子束外延和金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積: 可以測(cè)量平滑和半透明的，或輕度吸收的薄膜。 這實(shí)際上包...

光源用于一般用途應(yīng)用之光源 ***T2可用在Filmetrics設(shè)備的光源具有氘燈-鎢絲與遠(yuǎn)端控制的快門(mén)來(lái)取代舊款Hamamatsu D2光源LS-LED1具有高亮度白光LED的光源 光纖配件：CP-RepairToolKitCP-1-1.3...

對(duì)EVG WLO制造解決方案的需求在一定程度上是由對(duì)用于移動(dòng)消費(fèi)電子產(chǎn)品的新型光學(xué)傳感解決方案和設(shè)備的需求驅(qū)動(dòng)的。關(guān)鍵示例包括3D感測(cè)（對(duì)于獲得更真實(shí)的虛擬和增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)（VR / AR）用戶體驗(yàn)至關(guān)重要），生物特征感測(cè)（對(duì)于安全應(yīng)用而言越來(lái)越關(guān)鍵...

光纖紫外線、可見(jiàn)光譜和近紅外備用光纖。接觸探頭是相當(dāng)堅(jiān)固的，但是光纖不能經(jīng)常被抽屜碰撞或者被椅子壓過(guò)。該套件包括指令，以及簡(jiǎn)單的維修工具，新的和舊風(fēng)格的探頭。FO-PAT-SMA-SMA-200-22米長(zhǎng)，直徑200um的光纖，兩端配備SMA接頭。...

EV集團(tuán)（EVG）是面向MEMS，納米技術(shù)和半導(dǎo)體市場(chǎng)的晶圓鍵合機(jī)和光刻設(shè)備的**供應(yīng)商，***宣布已收到其制造設(shè)備和服務(wù)的***組合產(chǎn)品組合的多個(gè)訂單，這些產(chǎn)品和服務(wù)旨在滿足對(duì)晶圓的新興需求，水平光學(xué)（WLO）和3D感應(yīng)。市場(chǎng)**的產(chǎn)品組合...

真空系統(tǒng)：9x10-2mbar（標(biāo)準(zhǔn)）和9x10-3mbar（渦輪泵選件） 清潔站 清潔方式：沖洗（標(biāo)準(zhǔn)），超音速?lài)娮欤羲倜娣e傳感器，噴嘴，刷子（可選） 腔室：由PP或PFA制成（可選） 清潔介質(zhì)：去離子水（標(biāo)準(zhǔn)），NH4OH和H2O2（蕞/大）。2％濃度...

TS-300 TS系列產(chǎn)品中比較大的系列，比TS-140 / TS-150更大。 在公制（M6 x 25mm）或非公制網(wǎng)格上鉆孔的頂板可將各種設(shè)備安裝在隔離的桌面上。 頻率 負(fù)載范圍TS-300 負(fù)載范圍TS-3...

FSM 413MOT 紅外干涉測(cè)量設(shè)備： 適用于所有可讓紅外線通過(guò)的材料：硅、藍(lán)寶石、砷化鎵、磷化銦、碳化硅、玻璃、石 英、聚合物………… 應(yīng)用: 襯底厚度(不受圖案硅片、有膠帶、凹凸或者粘合硅片影響) 平整度 ...

半導(dǎo)體晶圓（晶片）的直徑為4到10英寸（10.16到25.4厘米）的圓盤(pán)，在制造過(guò)程中可承載非本征半導(dǎo)體。它們是正（P）型半導(dǎo)體或負(fù)（N）型半導(dǎo)體的臨時(shí)形式。硅晶片是非常常見(jiàn)的半導(dǎo)體晶片，因?yàn)楣枋钱?dāng)***行的半導(dǎo)體，這是由于其在地球上的大量供應(yīng)。半導(dǎo)體晶圓是從...

NanoX-2000/3000 系列 3D 光學(xué)干涉輪廓儀建立在移相干涉測(cè)量（PSI）、白光垂直掃描干涉測(cè)量（VSI）和單色光 垂直掃描干涉測(cè)量（CSI）等技術(shù)的基礎(chǔ)上，以其納米級(jí)測(cè)量準(zhǔn)確度和重復(fù)性（穩(wěn)定性）定量地反映出被測(cè)件的表面粗 糙...

超納輪廓儀的主設(shè)計(jì)簡(jiǎn)介: 中組部第十一批“****”****，美國(guó)KLA-Tencor（集成電路行業(yè)檢測(cè)設(shè)備市場(chǎng)的**企業(yè)）***研發(fā)總監(jiān)，干涉測(cè)量技術(shù)**美國(guó)上市公司ADE-Phaseift的總研發(fā)工程師，創(chuàng)造多項(xiàng)干涉測(cè)量數(shù)字化所需的關(guān)鍵算...

1) 由既定拉力測(cè)試高低溫循環(huán)測(cè)試結(jié)果可以看出，該鍵合工藝在滿足實(shí)際應(yīng)用所需鍵合強(qiáng)度的同時(shí)，解決了鍵合對(duì)硅晶圓表面平整度和潔凈度要求極高、對(duì)環(huán)境要求苛刻的問(wèn)題。 2) 由高低溫循環(huán)測(cè)試結(jié)果可以看出，該鍵合工藝可以適應(yīng)復(fù)雜的實(shí)際應(yīng)用環(huán)境，且具有工藝溫度...

EVG6200 NT特征： 晶圓/基板尺寸從小到200 mm /8'' 系統(tǒng)設(shè)計(jì)支持光刻工藝的多功能性 在第/一次光刻模式下的吞吐量高達(dá)180 WPH，在自動(dòng)對(duì)準(zhǔn)模式下的吞吐量高達(dá)140 WPH 易碎，薄或翹曲的多種尺寸的晶圓處理，...

參考材料 備用 BK7 和二氧化硅參考材料。 BG-Microscope顯微鏡系統(tǒng)內(nèi)取背景反射的小型抗反光鏡 BG-F10-RT平臺(tái)系統(tǒng)內(nèi)獲取背景反射的抗反光鏡 REF-Al-1mmSubstrate基底 - 高反射率鋁基準(zhǔn) ...

AVI400-M AVI 400-M的基本配置包括兩個(gè)緊湊型隔振模塊和一個(gè)控制單元，比較大負(fù)載為800公斤。通過(guò)增加緊湊型單元的數(shù)量，可以輕松實(shí)現(xiàn)對(duì)更高負(fù)載的支持。為了使AVI400-M適應(yīng)用戶特定的應(yīng)用，可以使用不同長(zhǎng)度的緊湊型裝置。 ...