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含油廢水中所含的油類物質，包括天然石油、石油產(chǎn)品、焦油及其分餾物，以及食用動植物油和脂肪類。從對水體的污染來說，主要是石油和焦油。由于不同工業(yè)部門排出的廢水中含油濃度差異很大，如煉油過程中產(chǎn)生廢水，含油量約為150一1000mg/L，焦化廢水中焦油含量約為50...

在廢水濃縮設備中，反滲透又稱逆滲透，是滲透過程的逆過程，即溶劑透過膜從濃溶液向稀溶液流動，在分離過程中通過增加大于本身滲透壓的壓力，使溶劑逆著自然滲透的方向滲透，反滲透膜孔徑小，截留分子粒徑范圍小于等于0.5nm，逆著自然滲透的方向滲透。反滲透技術在各種膜分離...

ITO酸性蝕刻液主要成分氯化銅、鹽酸、氯化鈉和氯化銨。它的機理是：酸性蝕刻液具有蝕刻速率易控制，蝕刻液在穩(wěn)定狀態(tài)下能達到高的蝕刻質量的特性；同時，它的溶銅量大；酸性蝕刻液也較容易再生與回收，從而減少污染。有研究表明，酸性氯化銅蝕刻液的蝕刻系數(shù)通常為3，以硝酸為...

由于生銹達到更好的效果，如果是嚴重腐蝕材料的表面處理，應用鋼刷或其他機械去除方法腐蝕，然后再用IC除銹劑。如果處理過的材料表面有厚油，應先清理油，然后用IC除銹劑處理。與產(chǎn)品短期接觸對皮膚無害，如果長期接觸應采取相應措施保護勞動力(眼鏡，橡膠手套，穿防護服，橡...

翻新工藝中可根據(jù)回收物情況不同設計多次清洗環(huán)節(jié)。在污染情況不是很嚴重的情況下，需在工藝設計清洗環(huán)節(jié)即可，去除自有污染物及翻新工藝污染物（如維修補焊、打磨、拋光工藝后的污染物殘留）。如回收來的線路板或芯片污染嚴重，需根據(jù)污染物組成設計第1次粗洗，去除大部分污染物...

TIO蝕刻液的原料：①氟化銨：分子式為NH4F，白色晶體，易潮解，易溶于水和甲醇，較難溶于乙醇，能升華，在蝕刻液中起腐蝕作用，一般選用工業(yè)產(chǎn)品。②草酸：在蝕刻液中作還原劑使用，一般選用工業(yè)產(chǎn)品。③硫酸鈉：在蝕刻液中作為填充劑使用，一般選用工業(yè)產(chǎn)品。④氫氟酸：即...

影響ITO堿性氯化銅蝕刻液蝕刻速率的因素：1、Cu2+離子濃度的影響：Cu2+是氧化劑，所以Cu2+的濃度是影響蝕刻速率的主要因素。研究銅濃度與蝕刻速率的關系表明：在0~82g/L時，蝕刻時間長；在82~120g/L時，蝕刻速率較低，且溶液控制困難；在135~...

在廢水濃縮設備中，脫硫廢水處理系統(tǒng)由預處理（兩級）+濃縮系統(tǒng)、污泥脫水系統(tǒng)、化學加藥系統(tǒng)組成。脫硫廢水在初沉池對大顆粒懸浮物進行固液分離，上清液自流至調(diào)節(jié)曝氣池，并與其他來水由布置在池底的曝氣裝置對脫硫廢水進行曝氣混合，降低池中廢水的COD值。中和箱添加石灰乳...

廢水濃縮設備包括外套筒、中心軸、導水套筒及夾膜組件，其中，外套筒的上下部分別設有頂板及底板，頂板與底板使外套筒內(nèi)部形成空腔結構；中心軸貫穿該空腔結構插設在外套筒內(nèi)；夾膜組件包括至少二個，各夾膜組件沿中心軸的軸向間隔固定在中心軸上，夾膜組件內(nèi)夾持固定有過濾膜；導...

有機廢水蒸發(fā)濃縮設備采用MVR蒸發(fā)工藝，蒸發(fā)濃縮設備由預熱器、加熱器、壓縮機、真空系統(tǒng)、控制系統(tǒng)、清洗系統(tǒng)組成。有機廢水經(jīng)過預熱器后達到進口溫度，進入加熱器進行蒸發(fā)加熱，需要蒸發(fā)的溶液在加熱器內(nèi)和熱源蒸汽進行熱交換，產(chǎn)生蒸發(fā)，蒸發(fā)后溶液進入分離器內(nèi)進行分離處理...

在廢水濃縮設備中，納濾是操作壓力和分離效果處于超濾和反滲透之間的一種壓力驅動膜分離技術，分離原理主要近似機械篩分，同時納濾膜本身帶有電荷也起到了截留的作用，納濾的截留分子粒徑范圍在0.5nm—0.01μm之間。納濾相比于超濾和反滲透，相對分子質量低于200的有...

顯影液的主要成分是顯影劑。為了完善性能，通常還加一些其他成分，諸如促進顯影的促進劑，防止顯影劑氧化的保護劑，防灰霧生成的灰霧阻止劑和防灰霧劑等。通過對各組分不同用量的調(diào)配可以得到不同性能的顯影液，如微粒顯影液、高反差顯影液等。工業(yè)上說的顯影劑，是針對半導體晶片...

ITO酸性蝕刻液用途可用于多層印制板的內(nèi)層電路圖形的制作或微波印制板陰板法直接蝕刻圖形的制作；而堿性蝕刻液一般適用于多層印制板的外層電路圖形的制作及純錫印制板的蝕刻。而總的來說，堿性與酸性蝕刻液用途要權衡對抗蝕層的破壞情況、蝕刻速度，溶液再生及銅的回收、環(huán)境保...

ITO蝕刻液影響蝕刻速率的因素：堿性氯化銅蝕刻液。1、氯化銨含量的影響：通過蝕刻再生的化學反應可以看出：[Cu（NH3）2]+的再生需要有過量的NH3和NH4Cl存在，如果溶液中缺乏NH4Cl，大量的[Cu（NH3）2]+得不到再生，蝕刻速率就會降低，以致失去...

ITO蝕刻液影響蝕刻速率的因素：氯化鐵蝕刻液。1、Fe3+濃度的影響：Fe3+的濃度對蝕刻速率有很大的影響。蝕刻液中Fe3+濃度逐漸增加，對銅的蝕刻速率相應加快。當所含超過某一濃度時，由于溶液粘度增加，蝕刻速率反而有所降低。2、蝕刻液溫度的影響：蝕刻液溫度越高...

影響ITO蝕刻液側蝕的因素很多，下面概述幾點：1）蝕刻方式：浸泡和鼓泡式蝕刻會造成較大的側蝕，潑濺和噴淋式蝕刻側蝕較小，尤以噴淋蝕刻效果較好。2）蝕刻液的種類：不同的蝕刻液化學組分不同，其蝕刻速率就不同，蝕刻系數(shù)也不同。例如：酸性氯化銅蝕刻液的蝕刻系數(shù)通常為3...

ITO導電玻璃制造工藝：（1）電化學擴散工藝：在玻璃上用電化學擴散方法可獲得摻雜超導薄膜。玻璃在電化學處理裝置中與熔融金屬或化合物接觸，在一定的電場作用下，熔融金屬或化合物中的離子會擴散到玻璃表面，玻璃中的一價堿金屬離子離解處來，等量地擴散至陰極表面，使玻璃表...

ITO蝕刻液影響蝕刻速率的因素：酸性氯化銅蝕刻液。1、Cu2+含量的影響。溶液中的Cu2+含量對蝕刻速率有一定的影響。一般情況下，溶液中Cu2+濃度低于2mol/L時，蝕刻速率較低；在2mol/L時速率較高。隨著蝕刻反應的不斷進行，蝕刻液中銅的含量會逐漸增加。...

ITO蝕刻液影響蝕刻速率的因素：堿性氯化銅蝕刻液。溶液pH值的影響。蝕刻液的pH值應保持在8.0~8.8之間，當pH值降到8.0以下時，一方面對金屬抗蝕層不利；另一方面，蝕刻液中的銅不能被完全絡合成銅氨絡離子，溶液要出現(xiàn)沉淀，并在槽底形成泥狀沉淀，這些泥狀沉淀...

ITO導電玻璃制造工藝：（1）電化學擴散工藝：在玻璃上用電化學擴散方法可獲得摻雜超導薄膜。玻璃在電化學處理裝置中與熔融金屬或化合物接觸，在一定的電場作用下，熔融金屬或化合物中的離子會擴散到玻璃表面，玻璃中的一價堿金屬離子離解處來，等量地擴散至陰極表面，使玻璃表...

影響ITO堿性氯化銅蝕刻液蝕刻速率的因素：溶液pH值的影響。蝕刻液的pH值應保持在8.0~8.8之間，當pH值降到8.0以下時，一方面對金屬抗蝕層不利；另一方面，蝕刻液中的銅不能被完全絡合成銅氨絡離子，溶液要出現(xiàn)沉淀，并在槽底形成泥狀沉淀，這些泥狀沉淀能在加熱...

ITO酸性蝕刻液的蝕刻速率易控制，蝕刻液在穩(wěn)定狀態(tài)下能達到高的蝕刻質量；溶銅量大；蝕刻液容易再生與回收，從而減少污染；而堿性蝕刻液的蝕刻速率快（可達70μm/min以上），側蝕小；溶銅能力高，蝕刻容易控制；蝕刻液能連續(xù)再生循環(huán)使用，成本低。由以上特性決定，酸性...

影響ITO蝕刻液側蝕的因素很多，下面概述幾點：1）蝕刻速率：蝕刻速率慢會造成嚴重側蝕。蝕刻質量的提高與蝕刻速率的加快有很大關系。蝕刻速度越快，板子在蝕刻液中停留的時間越短，側蝕量越小，蝕刻出的圖形清晰整齊。2）蝕刻液的PH值：堿性蝕刻液的PH值較高時，側蝕增大...

ITO導電膜玻璃是在鈉鈣基或硅硼基基片玻璃的基礎上，利用磁控濺射的方法沉積二氧化硅（SiO2）和氧化銦錫（通稱ITO）薄膜加工制作成的。ITO是一種具有良好透明導電性能的金屬化合物，具有禁帶寬、可見光譜區(qū)光透射率高和電阻率低等特性，普遍地應用于平板顯示器件、太...

市場上銷售的顯影液多是濃縮型液體，使用時需要按比例稀釋，顯影液的濃度多以顯影液的稀釋比來表示。ITO顯影液的濃度是指顯影劑的相對含量，即NaOH、Na2SiO3總含量。在其他條件不變的前提下，顯影速度與顯影液濃度成正比關系，即顯影液濃度越大，顯影速度越快。當溫...

ITO蝕刻液的分類：已經(jīng)使用的蝕刻液類型有六種類型：酸性氯化銅、堿性氯化銅、氯化鐵、過硫酸銨、硫酸/鉻酸、硫酸/雙氧水蝕刻液。酸性氯化銅，工藝體系，根據(jù)添加不同的氧化劑又可細分為氯化銅+空氣體系、氯化銅+氯酸鈉體系、氯化銅+雙氧水體系三種蝕刻工藝，在生產(chǎn)過程中...

ITO蝕刻液影響蝕刻速率的因素：氯化鐵蝕刻液。1、Fe3+濃度的影響：Fe3+的濃度對蝕刻速率有很大的影響。蝕刻液中Fe3+濃度逐漸增加，對銅的蝕刻速率相應加快。當所含超過某一濃度時，由于溶液粘度增加，蝕刻速率反而有所降低。2、蝕刻液溫度的影響：蝕刻液溫度越高...

ITO顯影劑也稱為造影劑或對比劑，是一種X光無法穿透的藥劑，用于讓體內(nèi)組織在X光檢查時能看得更清楚。例如消化道攝影時，醫(yī)師會讓患者喝下一杯顯影劑溶液（大多含鋇），然后用各種角度照相，就能讓胃腸道看得很清楚。如果顯影只是在光強較大的地方產(chǎn)生游離銀，而對底片不做進...

影響ITO堿性氯化銅蝕刻液蝕刻速率的因素：溶液pH值的影響。蝕刻液的pH值應保持在8.0~8.8之間，當pH值降到8.0以下時，一方面對金屬抗蝕層不利；另一方面，蝕刻液中的銅不能被完全絡合成銅氨絡離子，溶液要出現(xiàn)沉淀，并在槽底形成泥狀沉淀，這些泥狀沉淀能在加熱...

ITO導電玻璃制造工藝：（1）電化學擴散工藝：在玻璃上用電化學擴散方法可獲得摻雜超導薄膜。玻璃在電化學處理裝置中與熔融金屬或化合物接觸，在一定的電場作用下，熔融金屬或化合物中的離子會擴散到玻璃表面，玻璃中的一價堿金屬離子離解處來，等量地擴散至陰極表面，使玻璃表...