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當(dāng)前級別腔室101對應(yīng)的過濾器30被薄膜碎屑阻塞后，通過閥門開關(guān)60關(guān)閉當(dāng)前級別腔室101對應(yīng)的存儲箱20與過濾器30之間的液體流通，從而可以在閥門開關(guān)60關(guān)閉后取下被阻塞的過濾器30進行清理并不會導(dǎo)致之后的下一級腔室102的剝離進程無法繼續(xù)。其中...

本發(fā)明涉及化學(xué)制劑技術(shù)領(lǐng)域：，特別涉及一種用于疊層晶圓的光刻膠剝離液。背景技術(shù)：：隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)以及立體封裝技術(shù)的不斷發(fā)展，電子器件和電子產(chǎn)品對多功能化和微型化的要求越來越高。在這種小型化趨勢的推動下，要求芯片的封裝尺寸不斷減小。3d疊層粉妝技術(shù)的封裝體積...

隨著電子元器件制作要求的提高，相關(guān)行業(yè)應(yīng)用對濕電子化學(xué)品純度的要求也不斷提高。為了適應(yīng)電子信息產(chǎn)業(yè)微處理工藝技術(shù)水平不斷提高的趨勢，并規(guī)范世界超凈高純試劑的標(biāo)準(zhǔn)，國際半導(dǎo)體設(shè)備與材料組織（SEMI）將濕電子化學(xué)品按金屬雜質(zhì)、控制粒徑、顆粒個數(shù)和應(yīng)用...

本申請實施例還提供一種剝離液機臺的工作方法，請參閱圖5，圖5為本申請實施例提供的剝離液機臺的工作方法的流程示意圖，該方法包括：步驟110、將多級腔室順序排列，按照處于剝離制程的剝離基板的傳送方向逐級向剝離基板提供剝離液；步驟120、將來自于當(dāng)前級腔...

利用提升泵將一級過濾罐中濾液抽取到攪拌釜內(nèi)；再向攪拌釜中輸入沉淀劑，如酸性溶液，與前述濾液充分?jǐn)嚢杌旌显俅挝龀龀恋砦铮炊壘€性酚醛樹脂，打開二級過濾罐進料管路上的電磁閥，帶有沉淀物的混合液進入二級過濾罐中，由其中的過濾筒過濾得到二級線性酚醛樹脂，廢液...

本實用新型涉及光刻膠生產(chǎn)設(shè)備，具體是一種光刻膠廢剝離液回收裝置。背景技術(shù)：光刻膠是微電子技術(shù)中微細(xì)圖形加工的關(guān)鍵材料之一，其是由溶劑、感光樹脂、光引發(fā)劑和添加劑四種成分組成的對光敏感的混合液體。在紫外光、深紫外光、電子束、離子束等光照或輻射下，進行光化...

參考圖7)，這種殘余物在覆蓋一系列柵極堆棧薄膜之后會被增強呈現(xiàn)，傳遞到柵極成型工序時會對柵極圖形產(chǎn)生嚴(yán)重的影響，即在柵極曝光圖形成型之后形成埋層缺陷，在柵極刻蝕圖形成型之后造成柵極斷開或橋接，直接降低了產(chǎn)品良率。另外，在氧氣灰化階段，由于等離子氧可以穿...

高世代面板)表面上，或透入其表面，而把固體物料潤濕，剝離液親水性良好，能快速高效地剝離溶解光刻膠。因此，本申請中的高世代面板銅制程光刻膠剝離液由酰胺、醇醚、環(huán)胺與鏈胺、緩蝕劑、潤濕劑組成。其中，酰胺可以為n-甲基甲酰胺、n-甲基乙酰胺、n，n-二甲基甲...

本發(fā)明涉及化學(xué)制劑技術(shù)領(lǐng)域：，特別涉及一種用于疊層晶圓的光刻膠剝離液。背景技術(shù)：：隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)以及立體封裝技術(shù)的不斷發(fā)展，電子器件和電子產(chǎn)品對多功能化和微型化的要求越來越高。在這種小型化趨勢的推動下，要求芯片的封裝尺寸不斷減小。3d疊層粉妝技術(shù)的封裝體積...

本發(fā)明涉及化學(xué)制劑技術(shù)領(lǐng)域：，特別涉及一種用于疊層晶圓的光刻膠剝離液。背景技術(shù)：：隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)以及立體封裝技術(shù)的不斷發(fā)展，電子器件和電子產(chǎn)品對多功能化和微型化的要求越來越高。在這種小型化趨勢的推動下，要求芯片的封裝尺寸不斷減小。3d疊層粉妝技術(shù)的封裝體積...

每一所述第二子管道502與所述公共子管道501連通，所述公共子管道501與所述下一級腔室102連通。其中，閥門開關(guān)60設(shè)置在每一子管道301上。在一些實施例中，閥門開關(guān)60設(shè)置在每一***子管道401及每一所述第二子管道502上。在一些實施例中，閥...

剝離液是一種通用濕電子化學(xué)品，主要用于去除金屬電鍍或者蝕刻加工完成后的光刻膠和殘留物質(zhì)，同時防止對襯底層造成破壞。剝離液是集成電路、分立器件、顯示面板、太陽能電池等生產(chǎn)濕法工藝制造的關(guān)鍵性電子化工材料，下游應(yīng)用領(lǐng)域，但整體應(yīng)用需求較低，因此市場規(guī)模偏小。剝離液...

能夠增強親水性，使得剝離液親水性良好，能快速高效地剝離溶解光刻膠。潤濕劑含有羥基，為聚乙二醇、甘油中的任意一種。下面通過具體實施例對本申請作進一步詳細(xì)說明。以下實施例對本申請進行進一步說明，不應(yīng)理解為對本申請的限制。表一：兩種不同組分的剝離液配方一和配...

所述的鏈胺為乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、二甘醇胺、異丙醇胺、甲基二乙醇胺、amp-95中的任意一種或多種。技術(shù)方案中，所述的環(huán)胺為氨乙基哌嗪、羥乙基哌嗪、氨乙基嗎啉中的任意一種或多種。技術(shù)方案中，所述的緩蝕劑為三唑類物質(zhì)。的技術(shù)方案中，所述的緩蝕劑為苯...

本發(fā)明提供的光刻膠剝離去除方法第二實施例，用于半導(dǎo)體制造工藝中，可應(yīng)用于包括但不限于mos、finfet等所有現(xiàn)有技術(shù)中涉及光刻膠剝離去除的生產(chǎn)步驟，主要包括以下步驟:s1，在半導(dǎo)體襯底上淀積一層二氧化硅薄膜作為介質(zhì)層；s2，旋涂光刻膠并曝光顯影，形成...

IC去除剝離液MSDS1.產(chǎn)品屬性產(chǎn)品形式：混合溶液產(chǎn)品名稱：ANS-908產(chǎn)品功能描述：用于COG重工，使IC與玻璃無損傷分離2.組成成份化學(xué)名稱CASNo含量%(v)1-METHYL-2-PYRROLIDINONE872-50-445~90N,N-...

圖2為本申請實施例提供的剝離液機臺的第二種結(jié)構(gòu)示意圖。圖3為本申請實施例提供的剝離液機臺的第三種結(jié)構(gòu)示意圖。圖4為本申請實施例提供的剝離液機臺的第四種結(jié)構(gòu)示意圖。圖5為本申請實施例提供的剝離液機臺的工作方法的流程示意圖。具體實施方式目前剝離液機臺在工作...

常在印刷電路板，液晶顯示面板，半導(dǎo)體集成電路等工藝制造過程中，需要通過多次圖形掩膜照射曝光及蝕刻等工序在硅晶圓或玻璃基片上形成多層精密的微電路，形成微電路之后，進一步用剝離液將涂覆在微電路保護區(qū)域上作為掩膜的光刻膠除去。比如光電TFT-LCD生產(chǎn)工...

高世代面板)表面上，或透入其表面，而把固體物料潤濕，剝離液親水性良好，能快速高效地剝離溶解光刻膠。因此，本申請中的高世代面板銅制程光刻膠剝離液由酰胺、醇醚、環(huán)胺與鏈胺、緩蝕劑、潤濕劑組成。其中，酰胺可以為n-甲基甲酰胺、n-甲基乙酰胺、n，n-二甲基甲...

可選擇的，旋涂光刻膠厚度范圍為1000?！?0000埃。s3，執(zhí)行離子注入：可選擇的，離子注入劑量范圍為1×1013cm-2～1×1016cm-2。s4，采用氮氫混合氣體執(zhí)行等離子刻蝕，對光刻膠進行干法剝離；如背景技術(shù)中所述，經(jīng)過高劑量或大分子量的源種...

技術(shù)領(lǐng)域：本發(fā)明涉及一種選擇性剝離光刻膠制備微納結(jié)構(gòu)的方法，可用于微納制造，光學(xué)領(lǐng)域，電學(xué)，生物領(lǐng)域，mems領(lǐng)域，nems領(lǐng)域。技術(shù)背景：微納制造技術(shù)是衡量一個國家制造水平的重要標(biāo)志，對提高人們的生活水平，促進產(chǎn)業(yè)發(fā)展與經(jīng)濟增長，保障**安全等方...

本發(fā)明下述示例性實施例可以多種不同的形式來實施，并且不應(yīng)當(dāng)被解釋為只限于這里所闡述的具體實施例。應(yīng)當(dāng)理解的是，提供這些實施例是為了使得本發(fā)明的公開徹底且完整，并且將這些示例性具體實施例的技術(shù)方案充分傳達(dá)給本領(lǐng)域技術(shù)人員。如圖1所示，本發(fā)明提供的光刻膠剝...

形成帶有沉淀物的固液混合物，打開一級過濾罐進料管路上的電磁閥18，固液混合物進入一級過濾罐16的過濾筒中，先由一級過濾罐16的過濾筒過濾得到一級線性酚醛樹脂，濾液由提升泵6送往攪拌釜的循環(huán)料口7，往復(fù)3次數(shù)后，一級線性酚醛樹脂回收完成，關(guān)閉一級過濾罐進...

使用當(dāng)前級腔室相應(yīng)的過濾器過濾來自當(dāng)前級腔室的剝離液并將過濾后的剝離液傳輸至下一級腔室；若所述過濾器被所述薄膜碎屑阻塞，則關(guān)閉連接被阻塞的所述過濾器的管道上的閥門開關(guān)；取出被阻塞的所述過濾器。在一些實施例中，所述若所述過濾器被所述薄膜碎屑阻塞，則關(guān)...

銅蝕刻液近期成為重要的微電子化學(xué)品產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用于平板顯示、LED制造及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域。隨著新技術(shù)的不斷進步，對該蝕刻液也有了更高的要求。并且之前市場上的銅蝕刻液成分普遍存在含氟、硝酸或高濃度雙氧水的情況。在此基礎(chǔ)上我司自主進行了無氟，無硝酸，低雙氧水濃度銅蝕...

剝離液是一種通用濕電子化學(xué)品，主要用于去除金屬電鍍或者蝕刻加工完成后的光刻膠和殘留物質(zhì)，同時防止對襯底層造成破壞。剝離液是集成電路、分立器件、顯示面板、太陽能電池等生產(chǎn)濕法工藝制造的關(guān)鍵性電子化工材料，下游應(yīng)用領(lǐng)域，但整體應(yīng)用需求較低，因此市場規(guī)模偏小。剝離液...

所述過濾器包括多個并列排布的子過濾器，所述道包括多個子管道，每一所述子管道與一子過濾器連通，且所述多個子管道與當(dāng)前級腔室對應(yīng)的存儲箱連通。在一些實施例中，所述第二管道包括公共子管道及多個第二子管道，每一所述第二子管道與一子過濾器連通，每一所述第二子管道...

從而可以在閥門開關(guān)60關(guān)閉后取下被阻塞的過濾器30進行清理并不會導(dǎo)致之后的下一級腔室102的剝離進程無法繼續(xù)。其中，腔室10用于按照處于剝離制程的玻璃基板的傳送方向逐級向玻璃基板分別提供剝離液；與多個腔室10分別對應(yīng)連接的多個存儲箱20，各級腔室10分...

高世代面板)表面上，或透入其表面，而把固體物料潤濕，剝離液親水性良好，能快速高效地剝離溶解光刻膠。因此，本申請中的高世代面板銅制程光刻膠剝離液由酰胺、醇醚、環(huán)胺與鏈胺、緩蝕劑、潤濕劑組成。其中，酰胺可以為n-甲基甲酰胺、n-甲基乙酰胺、n，n-二甲基甲...

可選擇的，旋涂光刻膠厚度范圍為1000埃～10000埃。s3，執(zhí)行離子注入：可選擇的，離子注入劑量范圍為1×1013cm-2～1×1016cm-2。s4，采用氮氫混合氣體執(zhí)行等離子刻蝕，對光刻膠進行干法剝離；如背景技術(shù)中所述，經(jīng)過高劑量或大分子量的源種...