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被公認(rèn)為是很合適的通信用半導(dǎo)體材料。在手機(jī)無(wú)線通信應(yīng)用中，目前射頻功率放大器絕大部分采用GaAs材料。在GSM通信中，國(guó)內(nèi)的紫光展銳和漢天下等芯片設(shè)計(jì)企業(yè)曾憑借RFCMOS制程的高集成度和低成本的優(yōu)勢(shì)，打破了采用國(guó)際廠商采用傳統(tǒng)的GaAs制程完全主導(dǎo)射頻功放的...

則該阻抗與rfin端的輸入阻抗zin共軛匹配，zin＝r0-jx0；加入可控衰減電路后，在輸入匹配電路101之前并聯(lián)接地的r2和sw1所在的支路中，為保證有效的功率衰減，r2一般控制得較小，故對(duì)r0影響可以忽略。sw1關(guān)斷時(shí)，r2和sw1所在的支路可以...

寬帶性能一致性差，諧波性能也較差。采用普通結(jié)構(gòu)變壓器級(jí)聯(lián)lc匹配實(shí)現(xiàn)功率合成和阻抗變換的pa，采用變壓器及其輸入輸出匹配電容，輸出級(jí)聯(lián)lc匹配濾波電路。這種結(jié)構(gòu)優(yōu)點(diǎn)是諧波性能好，可以實(shí)現(xiàn)寬帶一致的阻抗變換；缺點(diǎn)是寬帶性能一致性和插損之間存在折中，高頻點(diǎn)...

用于使所述可控衰減電路和所述驅(qū)動(dòng)放大電路之間阻抗匹配；所述驅(qū)動(dòng)放大電路，用于放大所述輸入匹配電路輸出的信號(hào)；所述反饋電路，用于調(diào)節(jié)所述射頻功率放大器電路的增益；所述級(jí)間匹配電路，用于使所述驅(qū)動(dòng)放大電路和所述功率放大電路之間阻抗匹配；所述功率放大電路，用...

圖3中的自適應(yīng)動(dòng)態(tài)偏置電路的電路結(jié)構(gòu)如圖2所示。射頻輸入端rfin和射頻輸出端rfout之間設(shè)置有兩個(gè)主體電路，每個(gè)主體電路包括激勵(lì)放大器和功率放大器，激勵(lì)放大器和功率放大器通過(guò)匹配網(wǎng)絡(luò)連接。主體電路中的c04和c05構(gòu)成激勵(lì)放大器和功率放大器之間的匹...

LX5535+LX5530出現(xiàn)在AtherosAP96高功率版本參考設(shè)計(jì)中，F(xiàn)EM多次出現(xiàn)在無(wú)線網(wǎng)卡參考設(shè)計(jì)中。LX5518則是近年應(yīng)用較多的一款高功率PA，與后文即將出現(xiàn)的SkyworksSE2576十分接近。毫不夸張地講，MicrosemiLX55...

以便能保證它工作在一個(gè)線性工作區(qū)，要具有足夠的電壓范圍以便隨著整個(gè)輸入信號(hào)幅度的變化在不被剪裁或壓縮的情況下復(fù)制它。A類(lèi)放大器的優(yōu)點(diǎn)：A類(lèi)設(shè)計(jì)相比其他類(lèi)設(shè)計(jì)要簡(jiǎn)單，輸出部分可以有一個(gè)器件。當(dāng)器件通過(guò)偏置設(shè)置工作在其傳輸特性的線性部分時(shí)，放大器可以非常精...

輸出則是方波信號(hào)，產(chǎn)生的諧波較大，屬于非線性功率放大器，適合放大恒定包絡(luò)的信號(hào)，輸入信號(hào)通常是脈沖串類(lèi)的信號(hào)。C類(lèi)放大器的優(yōu)點(diǎn)與A類(lèi)放大器相比，功率效率提高。與A類(lèi)放大器相比，可以低價(jià)獲得射頻功率。風(fēng)冷即可，他們使用的冷卻器比A類(lèi)更輕。C類(lèi)放大器的缺點(diǎn)...

第三子濾波電路的端可以與輔次級(jí)線圈122的第二端耦接，第三子濾波電路的第二端可以接地。在本發(fā)明實(shí)施例中，第三子濾波電路可以包括第三電容c3；第三電容c3的端可以與輔次級(jí)線圈122的第二端耦接，第三電容c3的第二端可以接地。在具體實(shí)施中，第三子濾波電路還...

P/NBANDGainLinearPowerIccVccVerfAP11102685A***129431/3219/22145/215A***10583423/25300/480APEPM24263323/26335/465EPM24283424/28

顯然，所描述的實(shí)施例是本申請(qǐng)一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒旧暾?qǐng)中的實(shí)施例，本領(lǐng)域技術(shù)人員在沒(méi)有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本申請(qǐng)保護(hù)的范圍。本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種移動(dòng)終端射頻功率放大器檢測(cè)方法及裝置。本申請(qǐng)實(shí)施例的移動(dòng)終端...

用于放大所述級(jí)間匹配電路輸出的信號(hào)；所述輸出匹配電路，用于使所述射頻功率放大器電路和后級(jí)電路之間阻抗匹配。本申請(qǐng)實(shí)施例中，通過(guò)射頻功率放大器電路中的可控衰減電路、反饋電路、驅(qū)動(dòng)放大電路、功率放大電路等電路對(duì)輸入信號(hào)進(jìn)行處理，實(shí)現(xiàn)射頻功率放大器電路的負(fù)增...

功率放大電路105，用于放大級(jí)間匹配電路輸出的信號(hào)；輸出匹配電路106，用于使射頻功率放大器電路和后級(jí)電路之間阻抗匹配。其中，射頻功率放大器電路應(yīng)用于終端中，可以根據(jù)終端與基站的距離選取對(duì)應(yīng)的模式。當(dāng)終端與基站的距離較近時(shí)，路徑損耗較小，終端與基站的通...

能夠快速設(shè)置各個(gè)射頻功率放大器。本申請(qǐng)實(shí)施例提供的一種移動(dòng)終端射頻功率放大器檢測(cè)方法，包括：預(yù)設(shè)射頻功率放大器的配置狀態(tài)電阻值；計(jì)算所述射頻功率放大器檢測(cè)模塊的電阻值；比較所述射頻功率放大器檢測(cè)模塊的電阻值與所述配置狀態(tài)電阻值；所述射頻功率放大器檢測(cè)模...

以便能保證它工作在一個(gè)線性工作區(qū)，要具有足夠的電壓范圍以便隨著整個(gè)輸入信號(hào)幅度的變化在不被剪裁或壓縮的情況下復(fù)制它。A類(lèi)放大器的優(yōu)點(diǎn)：A類(lèi)設(shè)計(jì)相比其他類(lèi)設(shè)計(jì)要簡(jiǎn)單，輸出部分可以有一個(gè)器件。當(dāng)器件通過(guò)偏置設(shè)置工作在其傳輸特性的線性部分時(shí)，放大器可以非常精...

第六電容的第二端連接第二開(kāi)關(guān)的端，第二開(kāi)關(guān)的第二端連接第五電阻的端，第五電阻的第二端連接第五電容的端，第五電容的第二端和第三電容的第二端連接第二電感的第二端；其中，第二開(kāi)關(guān)，用于響應(yīng)微處理器發(fā)出的第七控制信號(hào)使自身處于關(guān)斷狀態(tài)，以降低反饋深度，實(shí)現(xiàn)射頻...

在這些年的WiFi產(chǎn)品開(kāi)發(fā)中，接觸了多種型號(hào)的射頻功率放大器（以下簡(jiǎn)稱PA），本文對(duì)WiFi產(chǎn)品中常用的射頻功率放大器做個(gè)匯總，供讀者參考。本文中部分器件型號(hào)是FrontendModule，即包含內(nèi)PA，LNA，Switch，按不同廠牌對(duì)PA進(jìn)行介紹，...

微處理器通過(guò)控制vgg＝，使得開(kāi)關(guān)導(dǎo)通，可控衰減電路處于衰減狀態(tài)，此時(shí)，一部分射頻傳導(dǎo)功率進(jìn)入可控衰減電路變成熱能消耗掉，另一部分射頻傳導(dǎo)功率進(jìn)入可控衰減電路之后的電路，輸入信號(hào)衰減，射頻功率放大器電路實(shí)現(xiàn)非負(fù)增益模式。當(dāng)開(kāi)關(guān)關(guān)斷時(shí)，電感用于匹配寄生電...

當(dāng)射頻功率放大器電路處于非負(fù)增益模式時(shí)，可控衰減電路處于無(wú)衰減狀態(tài)，需要減少對(duì)射頻功率傳導(dǎo)的影響，在應(yīng)用中需要將輸入匹配電路和可控衰減電路隔離。當(dāng)射頻功率放大器電路處于負(fù)增益模式時(shí)，可控衰減電路處于衰減狀態(tài)，一部分射頻傳導(dǎo)能量進(jìn)入可控衰減電路變成熱能消...

較小的線圈自感和較大的寄生電容會(huì)額外影響變壓器的輸入輸出阻抗，需要增加或調(diào)節(jié)輸入輸出的匹配電容來(lái)調(diào)節(jié)阻抗，進(jìn)而產(chǎn)生額外的阻抗變換)，這會(huì)影響變壓器有效的阻抗變化比和轉(zhuǎn)換后的阻抗相位，也會(huì)降低能量傳輸效率。在本發(fā)明實(shí)施例中，增加輔次級(jí)線圈，可以在不影響初...

將從2019年開(kāi)始為GaN器件帶來(lái)巨大的市場(chǎng)機(jī)遇。相比現(xiàn)有的硅LDMOS（橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體技術(shù)）和GaAs（砷化鎵）解決方案，GaN器件能夠提供下一代高頻電信網(wǎng)絡(luò)所需要的功率和效能。而且，GaN的寬帶性能也是實(shí)現(xiàn)多頻帶載波聚合等重要新技術(shù)的關(guān)鍵因素之...

用于放大所述級(jí)間匹配電路輸出的信號(hào)；所述輸出匹配電路，用于使所述射頻功率放大器電路和后級(jí)電路之間阻抗匹配。本申請(qǐng)實(shí)施例中，通過(guò)射頻功率放大器電路中的可控衰減電路、反饋電路、驅(qū)動(dòng)放大電路、功率放大電路等電路對(duì)輸入信號(hào)進(jìn)行處理，實(shí)現(xiàn)射頻功率放大器電路的負(fù)增...

70年代末研制出了具有垂直溝道的絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管，即VMOS管，其全稱為V型槽MOS場(chǎng)效應(yīng)管，它是繼MOSFET之后新發(fā)展起來(lái)的高效功率器件，具有耐壓高，工作電流大，輸出功率高等優(yōu)良特性。垂直MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管（VMOSFET）的溝道長(zhǎng)度是由外延層的厚...

通過(guò)可控衰減電路中的電阻吸收和衰減射頻功率，使得進(jìn)入后續(xù)電路的射頻功率減小，輸入信號(hào)衰減，從而實(shí)現(xiàn)負(fù)增益。在一個(gè)可能的示例中，可控衰減電路包括電阻r1、第二電阻r2、電感l(wèi)1和開(kāi)關(guān)t1，開(kāi)關(guān)的柵級(jí)與電阻的端連接，電阻的第二端連接電壓信號(hào)，開(kāi)關(guān)的漏級(jí)與第...

單位為分貝)，再根據(jù)鏈路預(yù)算lb確定終端的發(fā)射功率(transmittingpower，pt)(單位為分貝瓦或者分貝毫瓦)。終端在與基站通信后，確定天線的發(fā)射功率pt，根據(jù)天線的發(fā)射功率pt和天線的增益確定射頻功率放大器電路的輸出功率，根據(jù)射頻功率放大...

比如橫豎屏切換、相關(guān)游戲、磁力計(jì)姿態(tài)校準(zhǔn))、振動(dòng)識(shí)別相關(guān)功能(比如計(jì)步器、敲擊)等；至于終端還可配置的陀螺儀、氣壓計(jì)、濕度計(jì)、溫度計(jì)、紅外線傳感器等其他傳感器，在此不再贅述。音頻電路406、揚(yáng)聲器，傳聲器可提供用戶與終端之間的音頻接口。音頻電路406可...

第七電感l(wèi)7與第五電容c5組成諧振電路。在具體實(shí)施中，射頻功率放大器還可以包括驅(qū)動(dòng)電路。驅(qū)動(dòng)電路的輸入端可以接收輸入信號(hào)，驅(qū)動(dòng)電路的輸出端可以輸出差分信號(hào)input_p，驅(qū)動(dòng)電路的第二輸出端可以輸出第二差分信號(hào)input_n。驅(qū)動(dòng)電路可以起到將輸入信號(hào)...

能夠快速設(shè)置各個(gè)射頻功率放大器。本申請(qǐng)實(shí)施例提供的一種移動(dòng)終端射頻功率放大器檢測(cè)方法，包括：預(yù)設(shè)射頻功率放大器的配置狀態(tài)電阻值；計(jì)算所述射頻功率放大器檢測(cè)模塊的電阻值；比較所述射頻功率放大器檢測(cè)模塊的電阻值與所述配置狀態(tài)電阻值；所述射頻功率放大器檢測(cè)模...

因此在寬帶應(yīng)用中的使用并不。新興GaN技術(shù)的工作電壓為28V至50V，優(yōu)勢(shì)在于更高功率密度及更高截止頻率(CutoffFrequency，輸出訊號(hào)功率超出或低于傳導(dǎo)頻率時(shí)輸出訊號(hào)功率的頻率)，擁有低損耗、高熱傳導(dǎo)基板，開(kāi)啟了一系列全新的可能應(yīng)用，尤其在5G多輸...

nmos管mn11的漏極連接電容c11，nmos管mn12的漏極連接電容c12。nmos管mn11的漏極和nmos管mn12的漏極為第二主體電路中激勵(lì)放大器的輸出端。變壓器副邊的中端和第二變壓器副邊的中端分別通過(guò)電阻連接偏置電壓，偏置電壓用于為激勵(lì)放大...