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在這些年的WiFi產(chǎn)品開發(fā)中，接觸了多種型號的射頻功率放大器（以下簡稱PA），本文對WiFi產(chǎn)品中常用的射頻功率放大器做個(gè)匯總，供讀者參考。本文中部分器件型號是FrontendModule，即包含內(nèi)PA，LNA，Switch，按不同廠牌對PA進(jìn)行介紹，...

圖10為本發(fā)明實(shí)施例提供的可控衰減電路和輸入匹配電路的示意圖。具體實(shí)施方式對于窄帶物聯(lián)網(wǎng)(narrowbandinternetofthings，nb-iot)的終端(userequipment，ue)來說，射頻前端系統(tǒng)中的射頻功率放大器電路一般要求發(fā)射...

第三變壓器t02、第四變壓器t04和電容c16構(gòu)成一個(gè)匹配網(wǎng)絡(luò)。第三變壓器t02的原邊連接有電容c07，第四變壓器t04的原邊連接有電容c14。第三變壓器t02的副邊連接射頻輸出端rfout，第四變壓器t04的副邊接地。每個(gè)主體電路中的激勵(lì)放大器包括2...

包括但不限于全球移動(dòng)通訊系統(tǒng)(gsm，globalsystemofmobilecommunication)、通用分組無線服務(wù)(gprs，generalpacketradioservice)、碼分多址(cdma，codedivisionmultiplea...

較小的線圈自感和較大的寄生電容會(huì)額外影響變壓器的輸入輸出阻抗，需要增加或調(diào)節(jié)輸入輸出的匹配電容來調(diào)節(jié)阻抗，進(jìn)而產(chǎn)生額外的阻抗變換)，這會(huì)影響變壓器有效的阻抗變化比和轉(zhuǎn)換后的阻抗相位，也會(huì)降低能量傳輸效率。在本發(fā)明實(shí)施例中，增加輔次級線圈，可以在不影響初...

Microsemi的產(chǎn)品包括元器件和集成電路解決方案等，可通過改善性能和可靠性、優(yōu)化電池、減小尺寸和保護(hù)電路而增強(qiáng)客戶的設(shè)計(jì)能力。Microsemi公司所服務(wù)的主要市場包括植入式醫(yī)療機(jī)構(gòu)、防御/航空和衛(wèi)星、筆記本電腦、監(jiān)視器和液晶電視、汽車和移動(dòng)通信等...

是為了便于描述本申請和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對本申請的限制。此外，術(shù)語“”、“第二”、“第三”用于描述目的，而不能理解為指示或暗示相對重要性。在本申請的描述中，需要說明的是，...

將導(dǎo)致更復(fù)雜的天線調(diào)諧器和多路復(fù)用器。RF系統(tǒng)級封裝（SiP）市場可分為一級和二級SiP封裝：各種RF器件的一級封裝，如芯片/晶圓級濾波器、開關(guān)和放大器（包括RDL、RSV和/或凸點(diǎn)步驟）；在表面貼裝（SMT）階段進(jìn)行的二級SiP封裝，其中各種器件與無源器件一...

包括：第五一電容c51、第五二電容c52、第五三電容c53、第五四電容c54、第五一電阻r51、第五二電阻r52、第五三電阻r53、第五一開關(guān)k51和第五二開關(guān)k52，第五一電容c51、第五一電阻r51、第五一開關(guān)k51和第五二電容順次連接構(gòu)成支路，第...

RF)微波和毫米波應(yīng)用，設(shè)計(jì)和開發(fā)高性能集成電路、模塊和子系統(tǒng)。這些應(yīng)用包括蜂窩、光纖和衛(wèi)星通信，以及醫(yī)學(xué)及科學(xué)成像、工業(yè)儀表、航空航天和防務(wù)電子。憑借近30年的經(jīng)驗(yàn)和創(chuàng)新實(shí)踐，Hittite在模擬、數(shù)字和混合信號半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域有著深厚的積淀，從器件級...

寬帶性能一致性差，諧波性能也較差。采用普通結(jié)構(gòu)變壓器級聯(lián)lc匹配實(shí)現(xiàn)功率合成和阻抗變換的pa，采用變壓器及其輸入輸出匹配電容，輸出級聯(lián)lc匹配濾波電路。這種結(jié)構(gòu)優(yōu)點(diǎn)是諧波性能好，可以實(shí)現(xiàn)寬帶一致的阻抗變換；缺點(diǎn)是寬帶性能一致性和插損之間存在折中，高頻點(diǎn)...

這個(gè)范圍叫做“放大區(qū)”，集電極電流近似等于基極電流的N倍。雙極性晶體管是一種較為復(fù)雜的非線性器件，如果偏置電壓分配不當(dāng)，將使其輸出信號失真，即使工作在特定范圍，其電流放大倍數(shù)也受到包括溫度在內(nèi)的因素影響。雙極性晶體管的大集電極耗散功率是器件在一定溫度與...

這個(gè)范圍叫做“放大區(qū)”，集電極電流近似等于基極電流的N倍。雙極性晶體管是一種較為復(fù)雜的非線性器件，如果偏置電壓分配不當(dāng)，將使其輸出信號失真，即使工作在特定范圍，其電流放大倍數(shù)也受到包括溫度在內(nèi)的因素影響。雙極性晶體管的大集電極耗散功率是器件在一定溫度與...

驅(qū)動(dòng)放大電路和功率放大電路的電路結(jié)構(gòu)一樣，但二者對應(yīng)的各個(gè)器件的尺寸差異很大。相比較而言，功率放大電路更加注重輸出放大信號的效率，驅(qū)動(dòng)放大電路更加注重放大信號的增益控制。射頻功率放大器電路的高、中、低功率模式下，電路結(jié)構(gòu)和dc偏置都需要進(jìn)行切換，即，通...

用于使所述可控衰減電路和所述驅(qū)動(dòng)放大電路之間阻抗匹配；所述驅(qū)動(dòng)放大電路，用于放大所述輸入匹配電路輸出的信號；所述反饋電路，用于調(diào)節(jié)所述射頻功率放大器電路的增益；所述級間匹配電路，用于使所述驅(qū)動(dòng)放大電路和所述功率放大電路之間阻抗匹配；所述功率放大電路，用...

第四mos管的漏級與第五mos管的源級連接，第四mos管的源級接地，第五mos管的柵級連接第九電容的端，第九電容的第二端接地。其中，第四mos管t4和第五mos管t5的器件尺寸一樣，第二mos管t2與第四mos管t4的器件尺寸之比為2:5。在一個(gè)可能的...

本申請涉及射頻處理技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種移動(dòng)終端射頻功率放大器檢測方法及裝置。背景技術(shù)：通話是移動(dòng)終端的為基本的功能之一，射頻功率放大器(rfpa)是發(fā)射系統(tǒng)中的主要部分，其重要性不言而喻。在發(fā)射機(jī)的前級電路中，調(diào)制振蕩電路所產(chǎn)生的射頻信號功率很小，需...

氮化鎵集更高功率、更高效率和更寬帶寬的特性于一身，能夠?qū)崿F(xiàn)比GaAsMESFET器件高10倍的功率密度，擊穿電壓達(dá)300伏，可工作在更高的工作電壓，簡化了設(shè)計(jì)寬帶高功率放大器的難度。目前氮化鎵（GaN）HEMT器件的成本是LDMOS的5倍左右，已經(jīng)開始...

由射頻功率放大器的配置狀態(tài)得知射頻功率放大器的配置狀態(tài)電阻值。其中，頻段與射頻功率放大器的對應(yīng)情況包括兩種：一個(gè)頻段對應(yīng)一個(gè)射頻功率放大器或多個(gè)頻段對應(yīng)一個(gè)射頻功率放大器。移動(dòng)終端在進(jìn)行頻段切換前，移動(dòng)終端的射頻功率放大器的狀態(tài)包括開啟狀態(tài)或關(guān)閉狀態(tài)，...

nmos管mn14和nmos管mn16構(gòu)成一個(gè)共源共柵放大器。在每個(gè)主體電路率放大器源放大器的柵極連接自適應(yīng)動(dòng)態(tài)偏置電路的輸出端，功率放大器柵放大器的柵極連接自適應(yīng)動(dòng)態(tài)偏置電路的第二輸出端。如圖3所示，nmos管mn05的柵極通過電阻r03連接自適應(yīng)動(dòng)...

由射頻功率放大器的配置狀態(tài)得知射頻功率放大器的配置狀態(tài)電阻值。其中，頻段與射頻功率放大器的對應(yīng)情況包括兩種：一個(gè)頻段對應(yīng)一個(gè)射頻功率放大器或多個(gè)頻段對應(yīng)一個(gè)射頻功率放大器。移動(dòng)終端在進(jìn)行頻段切換前，移動(dòng)終端的射頻功率放大器的狀態(tài)包括開啟狀態(tài)或關(guān)閉狀態(tài)，...

則該阻抗與rfin端的輸入阻抗zin共軛匹配，zin＝r0-jx0；加入可控衰減電路后，在輸入匹配電路101之前并聯(lián)接地的r2和sw1所在的支路中，為保證有效的功率衰減，r2一般控制得較小，故對r0影響可以忽略。sw1關(guān)斷時(shí)，r2和sw1所在的支路可以...

第三子濾波電路的端可以與輔次級線圈122的第二端耦接，第三子濾波電路的第二端可以接地。在本發(fā)明實(shí)施例中，第三子濾波電路可以包括第三電容c3；第三電容c3的端可以與輔次級線圈122的第二端耦接，第三電容c3的第二端可以接地。在具體實(shí)施中，第三子濾波電路還...

LX5535+LX5530出現(xiàn)在AtherosAP96高功率版本參考設(shè)計(jì)中，F(xiàn)EM多次出現(xiàn)在無線網(wǎng)卡參考設(shè)計(jì)中。LX5518則是近年應(yīng)用較多的一款高功率PA，與后文即將出現(xiàn)的SkyworksSE2576十分接近。毫不夸張地講，MicrosemiLX55...

RF)領(lǐng)域成為全球的IC供貨商。立積電子的產(chǎn)品主要分為兩個(gè)產(chǎn)品線：一是射頻技術(shù)相關(guān)的收發(fā)器，另一個(gè)是射頻前端的相關(guān)射頻組件。Richwave的WiFiPA多見于Mediatek（Ralink）的參考設(shè)計(jì)，眾所周知，中國臺灣半導(dǎo)體廠商喜歡在參考設(shè)計(jì)中選用...

gr為基站的接收機(jī)天線增益，單位為分貝；rs為接收機(jī)靈敏度，是在可接受的信噪比(signaltonoiseratio，snr)情況下，系統(tǒng)能探測到的小的射頻信號。rs的計(jì)算可以參見公式(3)：rs＝-174dbm/hz+nf+10logb+snrmin...

nmos管mn14和nmos管mn16構(gòu)成一個(gè)共源共柵放大器。在每個(gè)主體電路率放大器源放大器的柵極連接自適應(yīng)動(dòng)態(tài)偏置電路的輸出端，功率放大器柵放大器的柵極連接自適應(yīng)動(dòng)態(tài)偏置電路的第二輸出端。如圖3所示，nmos管mn05的柵極通過電阻r03連接自適應(yīng)動(dòng)...

因?yàn)檫@些特性，GaAs器件被應(yīng)用在無線通信、衛(wèi)星通訊、微波通信、雷達(dá)系統(tǒng)等領(lǐng)域，能夠在更高的頻率下工作，高達(dá)Ku波段。與LDMOS相比，擊穿電壓較低。通常由12V電源供電，由于電源電壓較低，使得器件阻抗較低，因此使得寬帶功率放大器的設(shè)計(jì)變得比較困難。G...

nmos管mn07的漏極和nmos管mn08的漏極分別連接第三變壓器t03的原邊。在第二主體電路率放大器中源放大器的柵極與激勵(lì)放大器的輸出端連接，功率放大器柵放大器的漏極連接第四變壓器的原邊。如圖3所示，nmos管mn13的柵極、nmos管mn14的柵...

本申請實(shí)施例涉及但不限于射頻前端電路，尤其涉及一種射頻功率放大器電路及增益控制方法。背景技術(shù)：射頻前端系統(tǒng)中的功率放大器(poweramplifier，pa)一般要求發(fā)射功率可調(diào)，當(dāng)pa之前射頻收發(fā)器的輸出動(dòng)態(tài)范圍有限時(shí)，就要求功率放大器增益高低可調(diào)節(jié)...