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反應(yīng)結(jié)束，取出fto電極，水洗3次，60℃下真空干燥8h；干燥后，將薄膜放入管式爐內(nèi)，氮?dú)獗Ｗo(hù)條件下煅燒一定時(shí)間，即可得sr摻雜batio3/znte光電極。地，步驟1所述乙酸鋇的濃度為5-100mmol/l，乙酸鍶的濃度為5-100ummol/l，鈦...

當(dāng)反向工作電壓大于10伏時(shí)，光電流基本上不隨反向電壓增加而增加，反映在平行曲線簇上就是平直那段（例如AB段）。由圖③清楚地看出在反向工作電壓大于10伏的條件下管子有較高的靈敏度。圖④表示在反向工作電壓大于10伏情況下，光電流與入射光強(qiáng)度的關(guān)系。從圖④看...

霍爾集成電路與外電路的接口霍爾開關(guān)集成電路的輸出級(jí)一般是一個(gè)集電極開路的NPN晶體管，其使用規(guī)則和一般的NPN開關(guān)管相同。輸出管截止時(shí)，輸漏電流很小，一般只有幾nA，可以忽略。深圳市世華高半導(dǎo)體有限公司（SIVAGO）成立于2004年，總部設(shè)在深圳。主...

可以在約10mm的彎曲半徑處獲得接近零的光學(xué)損耗。因此，基于圖8的曲線圖，取決于例如光耦合器220的可接受的或期望的光學(xué)損耗和期望的厚度“t”，可以選擇波導(dǎo)的厚度、彎曲半徑和數(shù)量，以獲得實(shí)現(xiàn)期望的光學(xué)特性的多個(gè)波導(dǎo)。圖9示出了包括不同厚度901、902...

深圳市世華高半導(dǎo)體有限公司（SIVAGO）成立于2004年，總部設(shè)在深圳，主要負(fù)責(zé)研發(fā)和銷售工作。該公司選擇將汕尾深汕特別合作區(qū)作為生產(chǎn)基地，負(fù)責(zé)光電器件的制造。其產(chǎn)品范圍包括光電二極管、光電三極管、紅外線接收頭、發(fā)射管、發(fā)光二極管、硅光電池、霍爾元件...

半導(dǎo)體薄片置于磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的磁場(chǎng)中，磁場(chǎng)方向垂直于薄片，如圖所示。當(dāng)有電流I流過薄片時(shí)，在垂直于電流和磁場(chǎng)的方向上將產(chǎn)生電動(dòng)勢(shì)EH，這種現(xiàn)象稱為霍爾效應(yīng)，該電動(dòng)勢(shì)稱為霍爾電勢(shì)，上述半導(dǎo)體薄片稱為霍爾元件。原理簡(jiǎn)述如下：激勵(lì)電流I從a、b端流入，磁場(chǎng)B...

其產(chǎn)品范圍包括光電二極管、光電三極管、紅外線接收頭、發(fā)射管、發(fā)光二極管、硅光電池、霍爾元件、光電開關(guān)、光電編碼器、紙張感應(yīng)器和光電耦合器等。經(jīng)過十余年的發(fā)展，世華高半導(dǎo)體已成為一家先進(jìn)的半導(dǎo)體器件制造商。公司在全球范圍內(nèi)設(shè)有多個(gè)銷售機(jī)構(gòu)，分布在中國(guó)、印...

深圳市世華高半導(dǎo)體有限公司（SIVAGO）成立于2004年，總部設(shè)在深圳，主要負(fù)責(zé)研發(fā)和銷售工作。該公司選擇將汕尾深汕特別合作區(qū)作為生產(chǎn)基地，負(fù)責(zé)光電器件的制造。其產(chǎn)品范圍包括光電二極管、光電三極管、紅外線接收頭、發(fā)射管、發(fā)光二極管、硅光電池、霍爾元件...

設(shè)置靜電紡絲工藝參數(shù)：注射器推進(jìn)速度3mm/h，紡絲電壓12kv，接收距離10cm，滾筒轉(zhuǎn)速300r/min，在固定于滾筒上的fto玻璃上接收固化的復(fù)合纖維，150℃烘箱中干燥過夜，烘干后置于650℃馬弗爐中煅燒2h，熱分解后即可獲得sr摻雜batio...

這一N型層與光敏面的N型層連在一起則使光電管在加上反向電壓后產(chǎn)生很大的表面漏電流，因而使管子的暗電流變得很大。為了解決這個(gè)問題，在工藝上采取這樣一個(gè)措施，即在光刻光敏面窗口的同時(shí)在光敏面周圍同時(shí)刻出一個(gè)環(huán)形窗口（見圖②），在這環(huán)形窗口中同時(shí)擴(kuò)散進(jìn)磷雜質(zhì)...

其產(chǎn)品范圍包括光電二極管、光電三極管、紅外線接收頭、發(fā)射管、發(fā)光二極管、硅光電池、霍爾元件、光電開關(guān)、光電編碼器、紙張感應(yīng)器和光電耦合器等。經(jīng)過十余年的發(fā)展，世華高半導(dǎo)體已成為一家先進(jìn)的半導(dǎo)體器件制造商。公司在全球范圍內(nèi)設(shè)有多個(gè)銷售機(jī)構(gòu)，分布在中國(guó)、印...

并且光耦合器220可以被表示為沿著非線性軸線投影的光耦合器220的恒定的橫截面輪廓。在一些實(shí)施例中，該多個(gè)同心波導(dǎo)中的每一個(gè)波導(dǎo)300a、300b、300c的邊緣303a、303b、303c可以面對(duì)導(dǎo)光板210的外邊緣213。另外，在一些實(shí)施例中，光源...

一百多年前，人們發(fā)現(xiàn)了霍爾效應(yīng)。然而，在近的三十年中才開發(fā)出實(shí)際用途。它的一些應(yīng)用包括在1950年代的微波傳感器和1960年代的固態(tài)鍵盤中使用。自1970年代以來，霍爾效應(yīng)傳感設(shè)備已廣泛應(yīng)用于各種工業(yè)和消費(fèi)產(chǎn)品，例如縫紉機(jī)，汽車，機(jī)械工具，e0c47b...

因此在為支承體涂層時(shí)自動(dòng)建立了在接觸元件與可導(dǎo)電的涂層之間的可導(dǎo)電的連接。地，支承體裝備有用于連接線纜或電纜接線夾的元件。這些元件與所述至少一個(gè)接觸元件電接觸。閉鎖體可以裝備有用于與傳感體的可導(dǎo)電的表面和/或可導(dǎo)電的第二表面可導(dǎo)電地觸點(diǎn)接通的至少一個(gè)另...

SIVAGO）成立于2004年，總部設(shè)在深圳，主要負(fù)責(zé)研發(fā)和銷售工作。該公司選擇將汕尾深汕特別合作區(qū)作為生產(chǎn)基地，負(fù)責(zé)光電器件的制造。其產(chǎn)品范圍包括光電二極管、光電三極管、紅外線接收頭、發(fā)射管、發(fā)光二極管、硅光電池、霍爾元件、光電開關(guān)、光電編碼器、紙張...

Bop與BRP之間的滯后使開關(guān)動(dòng)作更為可靠。另外還有一種“鎖鍵型”（或稱“鎖存型”）開關(guān)型霍爾傳感器，其特性如圖5所示。當(dāng)磁感應(yīng)強(qiáng)度超過動(dòng)作點(diǎn)Bop時(shí)。深圳市世華高半導(dǎo)體有限公司（SIVAGO）成立于2004年，總部設(shè)在深圳，主要負(fù)責(zé)研發(fā)和銷售工作。該...

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測(cè)量的、感知的或計(jì)算的實(shí)際功率相對(duì)于參考功率的百分比可以定義光透射百分比。因此，例如，光透射百分比為100％對(duì)應(yīng)于參考功率與實(shí)際功率之間沒有差，而光透射百分比值小于100％對(duì)應(yīng)于實(shí)際功率相對(duì)于參考功率的減小。光透射百分比越接近100％，波導(dǎo)300a、3...

便于操作人員將高壓二極管硅疊從石英玻璃罩1中取出；上固定板3的一側(cè)設(shè)有控制面板，控制面板的一側(cè)固定設(shè)有電磁鐵開關(guān)、溫度檢測(cè)儀開關(guān)、熔深檢測(cè)儀開關(guān)和感應(yīng)線圈開關(guān)，電磁鐵6、溫度檢測(cè)儀13、熔深檢測(cè)儀14分別通過電磁鐵開關(guān)、溫度檢測(cè)儀開關(guān)、熔深檢測(cè)儀開關(guān)和...

深圳市世華高半導(dǎo)體有限公司（SIVAGO）成立于2004年，總部設(shè)在深圳，主要負(fù)責(zé)研發(fā)和銷售工作。該公司選擇將汕尾深汕特別合作區(qū)作為生產(chǎn)基地，負(fù)責(zé)光電器件的制造。汽車霍爾傳感器的原理和應(yīng)用南京中旭電子科技有限公司總工程師汪1引言霍爾傳感器是全球排名第三...

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有可以檢測(cè)磁場(chǎng)強(qiáng)度的開關(guān)類型和可以檢測(cè)磁場(chǎng)極性的鎖存類型。輸出特性根據(jù)垂直施加到傳感器的磁場(chǎng)強(qiáng)度，將輸出電壓確定為高或低。極點(diǎn)檢測(cè)結(jié)果共有三種：S極，N極和雙極。當(dāng)磁場(chǎng)的大小超過Bop時(shí)，輸出電壓變低。深圳市世華高半導(dǎo)體有限公司（SIVAGO）成立于2...

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這就隨之帶來一個(gè)問題，如果我們以凸輪軸對(duì)準(zhǔn)瓦蓋上的記號(hào)的常規(guī)方法進(jìn)行裝配，就會(huì)存在這個(gè)正常的自由行程。進(jìn)氣凸輪軸在3個(gè)輪齒角內(nèi)部可對(duì)正瓦蓋上的標(biāo)記，因此這種對(duì)正時(shí)的方法是錯(cuò)誤的，不能作為ANQ發(fā)動(dòng)機(jī)的兩個(gè)凸輪軸間驗(yàn)證正時(shí)的標(biāo)準(zhǔn)。維修手冊(cè)中詳細(xì)的說明了凸...

本發(fā)明具有以下有益的技術(shù)效果：本發(fā)明提供的高速高響應(yīng)度的硅基光電二極管，通過適當(dāng)減小耗盡區(qū)寬度和減小擴(kuò)散區(qū)電阻率，耗盡區(qū)寬度減小導(dǎo)致響應(yīng)度的降低，本發(fā)明通過增加高反層使得光子在耗盡區(qū)中二次吸收來補(bǔ)償；高反層的形成使得器件保持對(duì)長(zhǎng)波響應(yīng)度的同時(shí)，降低響應(yīng)...

霍爾傳感器技術(shù)應(yīng)用于汽車工業(yè)霍爾傳感器技術(shù)在汽車工業(yè)中有著廣泛的應(yīng)用，包括動(dòng)力、車身控制、牽引力控制以及防抱死制動(dòng)系統(tǒng)。為了滿足不同系統(tǒng)的需要，霍爾傳感器有開關(guān)式、模擬式和數(shù)字式傳感器三種形式?；魻杺鞲衅骺梢圆捎媒饘俸桶雽?dǎo)體等制成，效應(yīng)質(zhì)量的改變?nèi)Q于...

具體實(shí)施方式下面結(jié)合實(shí)施例對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步詳細(xì)描述，所述是對(duì)本發(fā)明的解釋而不是限定。參見圖1～圖4，一種高速高響應(yīng)度的硅基光電二極管，包括背面設(shè)有背面電極108的襯底107；襯底107正面依次設(shè)有高反層(109、外延層101、注入層、氧化硅層、氮化硅層...