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雪崩失效分析（電壓失效），底什么是雪崩失效呢，簡單來說MOSFET在電源板上由于母線電壓、變壓器反射電壓、漏感尖峰電壓等等系統(tǒng)電壓疊加在MOSFET漏源之間，導致的一種失效模式。簡而言之就是由于就是MOSFET漏源極的電壓超過其規(guī)定電壓值并達到一定的能量限度而...

功耗低場效應管在電動汽車電池管理系統(tǒng)中的應用：電動汽車的續(xù)航里程和電池壽命很大程度上取決于電池管理系統(tǒng)，功耗低場效應管在其中發(fā)揮著關鍵作用。電池管理系統(tǒng)需要實時監(jiān)測電池的電壓、電流、溫度等參數(shù)，精確控制充放電過程，以確保電池的安全和高效使用。功耗低場效應管應用...

光電二極管，光電二極管又稱光敏二極管，英文名稱為Photo-Diode，光電二極管是在反向電壓作用之下工作的，在一般照度的光線照射下，所產(chǎn)生的電流叫光電流。如果在外電路上接上負載，負載上就獲得了電信號，而且這個電信號隨著光的變化而相應變化。光電二極管和發(fā)光二極...

三極管結(jié)構(gòu)，三極管的種類很多，按功率大小可分為大功率管和小功率管；按電路中的工作頻率可分為高頻管和低頻管；按半導體材料不同可分為硅管和鍺管；按結(jié)構(gòu)不同可分為NPN管和PNP管。無論是NPN型還是PNP型都分為三個區(qū)，分別稱為發(fā)射區(qū)、基區(qū)和集電區(qū)，由三個區(qū)各引出...

LED 燈具的驅(qū)動。設計LED燈具的時候經(jīng)常要使用MOS管，對LED恒流驅(qū)動而言，一般使用NMOS。功率MOSFET和雙極型晶體管不同，它的柵極電容比較大，在導通之前要先對該電容充電，當電容電壓超過閾值電壓(VGS-TH)時MOSFET才開始導通。因此，設計時...

晶體二極管分類如下：1、臺面型二極管，PN結(jié)的制作方法雖然與擴散型相同，但是，只保留PN結(jié)及其必要的部分，把不必要的部分用藥品腐蝕掉。其剩余的部分便呈現(xiàn)出臺面形，因而得名。初期生產(chǎn)的臺面型，是對半導體材料使用擴散法而制成的。因此，又把這種臺面型稱為擴散臺面型。...

漏極電流iD沿溝道產(chǎn)生的電壓降使溝道內(nèi)各點與柵極間的電壓不再相等，靠近源極一端的電壓較大，這里溝道較厚，而漏極一端電壓較小，其值為VGD=vGS－vDS，因而這里溝道較薄。但當vDS較?。╲DS 隨著vDS的增大，靠近漏極的溝道越來越薄，當vDS增加到使VGD...

三極管的功能應用：1、三極管放大電路，三極管是一種電流放大器件，可制成交流或直流信號放大器，由基極輸入一個很小的電流從而控制集電極輸出很大的電流。三極管基極（b）電流較小，且遠小于另兩個引腳的電流；發(fā)射極（e）電流較大（等于集電極電流和基極電流之和）；集電極（...

Source和drain不同摻雜不同幾何形狀的就是非對稱MOS管，制造非對稱晶體管有很多理由，但所有的較終結(jié)果都是一樣的，一個引線端被優(yōu)化作為drain，另一個被優(yōu)化作為source，如果drain和source對調(diào)，這個器件就不能正常工作了。晶體管有N型ch...

晶體二極管分類如下：平面型二極管，在半導體單晶片（主要地是N型硅單晶片）上，擴散P型雜質(zhì)，利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用，在N型硅單晶片上只選擇性地擴散一部分而形成的PN結(jié)。因此，不需要為調(diào)整PN結(jié)面積的藥品腐蝕作用。由于半導體表面被制作得平整，故而得名。并且，...

場效應管由源極（Source）、漏極（Drain）和柵極（Gate）三個主要部分組成。在JFET中，柵極和通道之間通過PN結(jié)隔離；而在MOSFET中，柵極和通道之間由一層絕緣材料（通常是二氧化硅）隔離。當在柵極施加適當?shù)碾妷簳r，會在柵極下方的半導體中形成一個導...

場效應管注意事項：（1）在安裝場效應管時，注意安裝的位置要盡量避免靠近發(fā)熱元件；為了防管件振動，有必要將管殼體緊固起來；管腳引線在彎曲時，應當大于根部尺寸5毫米處進行，以防止彎斷管腳和引起漏氣等。（2）使用VMOS管時必須加合適的散熱器后。以VNF306為例，...

續(xù)流，續(xù)流二極管通常是指反向并聯(lián)在電感線圈,繼電器,可控硅等儲能元件兩端,在 電路中電壓或電流出現(xiàn)突變時,對電路中其它元件起保護作用的二極管.續(xù)流二極管由于在電路中起到續(xù)流的作用而得名，一般選擇快速恢復二極管或者肖特基二極管來作為續(xù)流二極管。以電感線圈為例，當...

功能，二極管具有陽極和陰極兩個端子，電流只能往單一方向流動。也就是說，電流可以從陽極流向陰極，而不能從陰極流向陽極。對二極管所具備的這種單向特性的應用，通常稱之為“整流”功能。在真空管內(nèi)，借由電極之間加上的電壓能夠讓熱電子從陰極到達陽極，因而有整流的作用。將交...

增強型場效應管的工作機制充滿智慧。在常態(tài)下，其溝道如同關閉的閥門，處于截止狀態(tài)，沒有電流通過。而當柵源電壓逐漸升高并達到特定的開啟閾值時，如同閥門被打開，溝道迅速形成，電流得以順暢導通。這種獨特的特性使其在數(shù)字電路領域成為構(gòu)建邏輯控制的元件。在微控制器芯片里，...

二極管是什么樣子的？二極管在電路中應用和之前介紹的電阻，電容，電感一樣，非常常見。可以說正是因為半導體材料的發(fā)現(xiàn)和半導體技術(shù)的發(fā)展才有我們現(xiàn)今琳瑯滿目的電子產(chǎn)品世界。二極管作為半導體材料較原始的應用，其在電子技術(shù)中的地位可想而知。那么它究竟是何方神圣呢？二極管...

三極管其作用是把微弱信號放大成輻值較大的電信號，也用作無觸點開關。晶體三極管，是半導體基本元器件之一，具有電流放大作用，是電子電路的主要元件。接下來小編為大家介紹三極管的作用及三極管工作原理。三極管的作用：電流放大，三極管的作用之一就是電流放大，這也是其較基本...

MOS管發(fā)熱情況有：1.電路設計的問題，就是讓MOS管工作在線性的工作狀態(tài)，而不是在開關狀態(tài)。這也是導致MOS管發(fā)熱的一個原因。如果N-MOS做開關，G級電壓要比電源高幾V，才能完全導通，P-MOS則相反。沒有完全打開而壓降過大造成功率消耗，等效直流阻抗比較大...

三極管的3種狀態(tài)：三極管有三種狀態(tài)：截止狀態(tài)、放大狀態(tài)和飽和狀態(tài)。我們可以把三極管想象成一個水管。①截止狀態(tài)，首先，當我們沒有對水龍頭施加任何外力時，水龍頭是關閉的，水流無法通過，這時的狀態(tài)相當于三極管的截止狀態(tài)。具體來說，就是加在三極管發(fā)射結(jié)的電壓小于PN結(jié)...

靜電放電（ESD）二極管，靜電放電的英文全稱為Electro-Static Discharge，簡稱ESD，ESD二極管是一種具有兩個電極的半導體器件，當加在兩極間的電壓達到一定值時，在其間產(chǎn)生電場使電子移動而形成電流。當ESD二極管的兩只引腳之間加有交變電壓...

三極管的種類：1）開關三極管，利用控制飽和區(qū)、截止區(qū)相互轉(zhuǎn)換而工作的。開關三極管的開關需要一定的響應時間，開關響應時間的長短表示了三極管開關特性的好壞。2）差分對管，把兩只性能一致的三極管封裝在一起，能以較簡單的方式構(gòu)成性能優(yōu)良的差分放大器；3）復合三級管，復...

場效應管工作原理用一句話說，就是“漏極-源極間流經(jīng)溝道的ID， 用柵極與溝道間的pn結(jié)形成的反偏的柵極電壓進行控制”。更正確地說，ID流經(jīng)通路的寬度，即溝道截面積，它是由pn結(jié)反偏的變化，產(chǎn)生耗盡層擴展變化控制的緣故。在VGS=0的非飽和區(qū)域，表示的過渡層的擴...

MOSFET的作用如下：1.可應用于放大。由于場效應管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。2.很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換。3.可以用作可變電阻。4.可以方便地用作恒流源。5.可以用作電子...

三極管，全稱應為半導體三極管，也稱雙極型晶體管、晶體三極管，是一種電流控制電流的半導體器件·其作用是把微弱信號放大成輻值較大的電信號，具有電流放大作用，也用作無觸點開關，是電子電路的主要元件。三極管的作用：1、放大作用。三極管的單向?qū)щ娦?，使得它很容易把信號?..

頻率倍增用二極管，頻率倍增用二極管英文名稱為Frequency doubled diode，對二極管的頻率倍增作用而言，有依靠變?nèi)荻O管的頻率倍增和依靠階躍（即急變）二極管的頻率倍增。頻率倍增用的變?nèi)荻O管稱為可變電抗器，可變電抗器雖然和自動頻率控制用的變?nèi)荻?..

晶體二極管分類如下：1、臺面型二極管，PN結(jié)的制作方法雖然與擴散型相同，但是，只保留PN結(jié)及其必要的部分，把不必要的部分用藥品腐蝕掉。其剩余的部分便呈現(xiàn)出臺面形，因而得名。初期生產(chǎn)的臺面型，是對半導體材料使用擴散法而制成的。因此，又把這種臺面型稱為擴散臺面型。...

二極管反向區(qū)也分兩個區(qū)域：當VBR＜V＜0時，反向電流很小，且基本不隨反向電壓的變化而變化，此時的反向電流也稱反向飽和電流IS。當V≥VBR時，反向電流急劇增加，VBR稱為反向擊穿電壓。在反向區(qū)，硅二極管和鍺二極管的特性有所不同。硅二極管的反向擊穿特性比較硬、...

SOA失效的預防措施：1：確保在較差條件下，MOSFET的所有功率限制條件均在SOA限制線以內(nèi)。2：將OCP功能一定要做精確細致。在進行OCP點設計時，一般可能會取1.1-1.5倍電流余量的工程師居多，然后就根據(jù)IC的保護電壓比如0.7V開始調(diào)試RSENSE電...

反向擊穿按機理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況。在高摻雜濃度的情況下，因勢壘區(qū)寬度很小，反向電壓較大時，破壞了勢壘區(qū)內(nèi)共價鍵結(jié)構(gòu)，使價電子脫離共價鍵束縛，產(chǎn)生電子-空穴對，致使電流急劇增大，這種擊穿稱為齊納擊穿。如果摻雜濃度較低，勢壘區(qū)寬度較寬，不容易產(chǎn)生齊納擊...

早期的真空電子二極管；它是一種能夠單向傳導電流的電子器件。在半導體二極管內(nèi)部有一個PN結(jié)兩個引線端子，這種電子器件按照外加電壓的方向，具備單向電流的傳導性。一般來講，晶體二極管是一個由p型半導體和n型半導體燒結(jié)形成的p-n結(jié)界面。在其界面的兩側(cè)形成空間電荷層，...