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DFB-LD多采用Ⅲ和Ⅴ族元素組成的三元化合物、四元化合物，在1550nm波段內(nèi)，**成熟的材料是InGaAsP/InP。新型AIGaInAs/InP材料的研發(fā)日趨成熟，國際上*少數(shù)幾家廠商可提供商用產(chǎn)品。優(yōu)化器件結(jié)構(gòu)，有源區(qū)為應(yīng)變超晶格QW。有源區(qū)周邊一般為雙溝掩埋或脊型波導(dǎo)結(jié)構(gòu)。有源區(qū)附近的光波導(dǎo)區(qū)為DFB光柵，采用一些特殊的設(shè)計(jì)，如：波紋坡度可調(diào)分布耦合、復(fù)耦合、吸收耦合、增益耦合、復(fù)合非連續(xù)相移等結(jié)構(gòu)，提高器件性能。生產(chǎn)技術(shù)中，金屬有機(jī)化學(xué)汽相淀積MOCVD和光柵的刻蝕是其關(guān)鍵工藝。MOCVD可精確控制外延生長層的組分、摻雜濃度、薄到幾個(gè)原子層的厚度，生長效率高，適合大批量制作，反應(yīng)離...

PGS適用人群播報(bào)編輯高齡孕婦(年齡≥35歲)反復(fù)自然流產(chǎn)史的孕婦（自然流產(chǎn)≥3次）反復(fù)胚胎種植失敗的孕婦（失敗≥3次）生育過染色體異常疾病患兒的夫婦染色體數(shù)目及結(jié)構(gòu)異常的夫婦注意事項(xiàng)播報(bào)編輯選擇了PGS，常規(guī)產(chǎn)前檢查仍不可忽視。因?yàn)槿澜绺鞣N遺傳性疾病有4000余種，而PGS只能檢查胚胎23對(duì)染色體結(jié)構(gòu)和數(shù)目的異常，無法覆蓋所有疾病。因?yàn)镻GS取材有限，只是取一定數(shù)量的卵裂球或者囊胚期細(xì)胞，雖然不會(huì)影響胚胎的正常發(fā)育，但取材細(xì)胞和留下繼續(xù)發(fā)育的細(xì)胞團(tuán)遺傳構(gòu)成并非完全相同，故對(duì)于某些染色體嵌合型疾病可能出現(xiàn)篩查結(jié)果不符。另外染色體疾病的發(fā)病原因至今不明，也沒有預(yù)防的辦法。雖然挑選了健康的胚胎，...

工作原理播報(bào)編輯圖6 激光二極管晶體二極管為一個(gè)由p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體形成的p-n結(jié)，在其界面處兩側(cè)形成空間電荷層，并建有自建電場。當(dāng)不存在外加電壓時(shí)，由于p-n結(jié)兩邊載流子濃度差引起的擴(kuò)散電流和自建電場引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)。當(dāng)外界有正向電壓偏置時(shí)，外界電場和自建電場的互相抑消作用使載流子的擴(kuò)散電流增加引起了正向電流。當(dāng)外界有反向電壓偏置時(shí)，外界電場和自建電場進(jìn)一步加強(qiáng)，形成在一定反向電壓范圍內(nèi)與反向偏置電壓值無關(guān)的反向飽和電流I0。當(dāng)外加的反向電壓高到一定程度時(shí)，p-n結(jié)空間電荷層中的電場強(qiáng)度達(dá)到臨界值產(chǎn)生載流子的倍增過程，產(chǎn)生大量電子空穴對(duì)，產(chǎn)生了數(shù)值很大的反向擊穿電流，稱...

基因檢測減少流產(chǎn)和胚胎發(fā)育異常風(fēng)險(xiǎn)染色體異常是導(dǎo)致流產(chǎn)和胚胎發(fā)育不良的主要原因之一。通過基因檢測，醫(yī)生可以篩查出攜帶染色體異常的受精卵，并選擇正常的受精卵進(jìn)行移植，減少流產(chǎn)和胚胎發(fā)育異常的風(fēng)險(xiǎn)。在試管胚胎移植前進(jìn)行染色體篩查可以有效預(yù)防常見染色體異常疾病，如唐氏綜合征、愛德華氏綜合征等。這些篩查項(xiàng)目可以通過羊水穿刺、臍血抽取等方式進(jìn)行。如果提前發(fā)現(xiàn)胚胎攜帶染色體異常，可以選擇性終止妊娠或者采取其他措施?；驒z測提高移植成功率在進(jìn)行試管嬰兒移植前，醫(yī)生通常會(huì)選擇比較好質(zhì)的受精卵進(jìn)行移植。通過基因檢測，醫(yī)生可以了解受精卵的遺傳信息、染色體情況等，并根據(jù)這些信息選擇**適合移植的受精卵，提高著床率和...

基因檢測減少流產(chǎn)和胚胎發(fā)育異常風(fēng)險(xiǎn)染色體異常是導(dǎo)致流產(chǎn)和胚胎發(fā)育不良的主要原因之一。通過基因檢測，醫(yī)生可以篩查出攜帶染色體異常的受精卵，并選擇正常的受精卵進(jìn)行移植，減少流產(chǎn)和胚胎發(fā)育異常的風(fēng)險(xiǎn)。在試管胚胎移植前進(jìn)行染色體篩查可以有效預(yù)防常見染色體異常疾病，如唐氏綜合征、愛德華氏綜合征等。這些篩查項(xiàng)目可以通過羊水穿刺、臍血抽取等方式進(jìn)行。如果提前發(fā)現(xiàn)胚胎攜帶染色體異常，可以選擇性終止妊娠或者采取其他措施?；驒z測提高移植成功率在進(jìn)行試管嬰兒移植前，醫(yī)生通常會(huì)選擇比較好質(zhì)的受精卵進(jìn)行移植。通過基因檢測，醫(yī)生可以了解受精卵的遺傳信息、染色體情況等，并根據(jù)這些信息選擇**適合移植的受精卵，提高著床率和...

檢測方法播報(bào)編輯（1）阻值測量法：拆下激光二極管，用萬用表R×1k或R×10k檔測量其正、反向電阻值。正常時(shí)，正向電阻值為20~40kΩ之間，反向電阻值為∞（無窮大）。若測得正向電阻值已超過50kΩ，則說明激光二極管的性能已下降。若測得的正向電阻值大于90kΩ，則說明該二極管已嚴(yán)重老化，不能再使用了。（2）電流測量法：用萬用表測量激光二極管驅(qū)動(dòng)電路中負(fù)載電阻兩端的電壓降，再根據(jù)歐姆定律估算出流過該管的電流值，當(dāng)電流超過100mA時(shí)，若調(diào)節(jié)激光功率電位器，而電流無明顯的變化，則可判斷激光二極管嚴(yán)重老化。若電流劇增而失控，則說明激光二極管的光學(xué)諧振腔已損壞。極體活組織檢查也離不開激光破膜儀的精確協(xié)...

有哪些疾病與染色體有關(guān)？染色體/基因異常導(dǎo)致的常見疾病:1.染色體數(shù)目丟失(非整倍體):定義:一個(gè)健康人有23對(duì)染色體，每對(duì)都是二倍體，也就是兩對(duì)。如果有1，3或更多的染色體，這是染色體數(shù)目錯(cuò)誤的跡象。遺傳性疾病:由異常數(shù)字引起的遺傳病有上百種，如21三體即先天性愚型(或唐氏綜合征)、18三體(愛德華氏病)、13三體(佩吉特病)、5p綜合征(貓叫綜合征)、特納綜合征、克氏綜合征、兩性畸形等。2.異常染色體結(jié)構(gòu):定義:每條染色體上有許多基因片段。如果一條染色體上的基因片段出現(xiàn)易位、倒位、重疊等問題。，這是結(jié)構(gòu)異常，平衡易位**常見。如果發(fā)現(xiàn)患者是易位攜帶者，流產(chǎn)或IVF周期失敗的風(fēng)險(xiǎn)更大。遺傳病...

在移植前對(duì)胚胎的遺傳病和缺陷進(jìn)行篩查和診斷，將會(huì)提高植入率，降低晚期流產(chǎn)的風(fēng)險(xiǎn)和嬰兒的健康。PGS和PGD有什么不同？PGS和PGD都是在移植前檢測胚胎的健康狀況，但**重要的區(qū)別是PGS是基因篩查，PGD是基因診斷。PGS是一種基因篩選測試，用于篩選胚胎的所有染色體。它可以檢查染色體是否缺失，形態(tài)和結(jié)構(gòu)是否正確。在受精卵形成胚胎(孵化的第3天)或囊胚(孵化的第5天)后檢查PGS。染色體有問題的胚胎很難自然成熟，懷孕第五、六個(gè)月中斷流產(chǎn)的情況并不少見。即使胚胎能夠存活到自然分娩，未來出生的嬰兒也很可能有健康問題。因此，對(duì)于高齡、反復(fù)流產(chǎn)的孕婦，PGS是一項(xiàng)非常有價(jià)值的技術(shù)。PGD是基因診斷的一...

其它類型LD光模塊激光二極管內(nèi)置MQWF-P腔LD或DFB-LD、控制電路、驅(qū)動(dòng)電路，輸出光信號(hào)。其體積小，可靠性高，使用方便，在城域網(wǎng)、同步傳輸系統(tǒng)、同步光纖網(wǎng)絡(luò)中都大量采用2.5Gb/s光發(fā)射模塊，10Gb/s、40Gb/s處于初期試用階段，向高速化、低成本、微型化發(fā)展。利用高分子材料Polymer折射率隨溫度變化特性，加熱器改變高分子材料光柵溫度，引發(fā)其折射率和光柵節(jié)距變化，使其反射波長改變。已研制出Polymer-AWG波長可調(diào)的集成模塊,有16個(gè)波長通道，波長間隔200GHz，插損8--9dB，串?dāng)_-25dB。用一個(gè)高速調(diào)制器對(duì)每個(gè)波長進(jìn)行時(shí)間調(diào)制的多波長LD正處于研制階段。這是一種...

二、激光打孔技術(shù)在薄膜材料中的應(yīng)用1.微孔加工在薄膜材料中，微孔加工是一種常見的應(yīng)用場景。利用激光打孔技術(shù)，可以在薄膜材料上形成微米級(jí)的孔洞，滿足各種不同的應(yīng)用需求。例如，在太陽能電池板的生產(chǎn)中，利用激光打孔技術(shù)可以在硅片表面形成微孔，提高太陽能的吸收效率。在濾膜的制備中，通過激光打孔技術(shù)可以制備出具有微孔結(jié)構(gòu)的濾膜，實(shí)現(xiàn)對(duì)氣體的過濾和分離。2.納米級(jí)加工隨著科技的發(fā)展，納米級(jí)加工成為了薄膜材料加工的重要方向。激光打孔技術(shù)作為一種先進(jìn)的加工手段，在納米級(jí)加工中具有廣泛的應(yīng)用前景。通過精確控制激光束的能量和運(yùn)動(dòng)軌跡，可以在薄膜材料上形成納米級(jí)的孔洞，實(shí)現(xiàn)納米級(jí)結(jié)構(gòu)的制備。這種加工方式可以顯著提高...

半導(dǎo)體激光二極管的基本結(jié)構(gòu)：垂直于PN結(jié)面的一對(duì)平行平面構(gòu)成法布里——珀羅諧振腔，它們可以是半導(dǎo)體晶體的解理面，也可以是經(jīng)過拋光的平面。其余兩側(cè)面則相對(duì)粗糙，用以消除主方向外其它方向的激光作用。半導(dǎo)體中的光發(fā)射通常起因于載流子的復(fù)合。當(dāng)半導(dǎo)體的PN結(jié)加有正向電壓時(shí)，會(huì)削弱PN結(jié)勢壘，迫使電子從N區(qū)經(jīng)PN結(jié)注入P區(qū)，空穴從P區(qū)經(jīng)過PN結(jié)注入N區(qū)，這些注入PN結(jié)附近的非平衡電子和空穴將會(huì)發(fā)生復(fù)合，從而發(fā)射出波長為λ的光子，其公式如下：λ = hc/Eg ⑴式中：h—普朗克常數(shù)； c—光速； Eg—半導(dǎo)體的禁帶寬度。上述由于電子與空穴的自發(fā)復(fù)合而發(fā)光的現(xiàn)象稱為自發(fā)輻射。當(dāng)自發(fā)輻射所產(chǎn)生的光子通過半導(dǎo)...