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與智能電網(wǎng)技術(shù)融合的發(fā)展趨勢隨著智能電網(wǎng)技術(shù)的蓬勃發(fā)展，亞利亞半導(dǎo)體（上海）有限公司熔斷器積極與之融合，展現(xiàn)出廣闊的發(fā)展前景。在智能電網(wǎng)中，電力系統(tǒng)需要實(shí)時(shí)監(jiān)測和精細(xì)控制，對電路保護(hù)元件的智能化程度提出了更高要求。該公司研發(fā)的智能熔斷器集成了傳感器和通信模塊，...

標(biāo)志標(biāo)志大多數(shù)保險(xiǎn)絲的標(biāo)記在身上或端蓋與標(biāo)記，指示其評級。但是“芯片類型”保險(xiǎn)絲功能很少或沒有標(biāo)記，使識別非常困難。保險(xiǎn)絲可能出現(xiàn)類似的***不同的特性，確定了它們的標(biāo)記。保險(xiǎn)絲標(biāo)記通常會傳達(dá)以下信息：安培的保險(xiǎn)絲的額定電壓等級的保險(xiǎn)絲時(shí)間 - 電流特性，...

正常工作電流在25℃條件下運(yùn)行，保險(xiǎn)絲的電流額定值通常要減少25%以避免有害熔斷。大多數(shù)傳統(tǒng)的保險(xiǎn)絲其采用的材料具有較低的熔化溫度。因此，該種保險(xiǎn)絲對環(huán)境溫度的變化比較敏感。例如一個(gè)電流額定值為10A的保險(xiǎn)絲通常不推薦在25℃環(huán)境溫度下在大于7.5A的電流下運(yùn)...

按分?jǐn)嗄芰Ψ?，可分為：高、低分?jǐn)嗄芰ΡｋU(xiǎn)絲。按形狀分，可分為：平頭管狀保險(xiǎn)絲（又可分為內(nèi)焊保險(xiǎn)絲與外焊保險(xiǎn)絲）、尖頭管狀保險(xiǎn)絲、鍘刀式保險(xiǎn)絲、螺旋式保險(xiǎn)絲、插片式保險(xiǎn)絲、平板式保險(xiǎn)絲、裹敷式保險(xiǎn)絲、貼片式保險(xiǎn)絲。按熔斷速度分，可分為：特慢速保險(xiǎn)絲（一般用TT表...

IGBT模塊的封裝流程包括一次焊接、一次邦線、二次焊接、二次邦線、組裝、上外殼與涂密封膠、固化、灌硅凝膠以及老化篩選等多個(gè)步驟。需要注意的是，這些流程并非一成不變，而是會根據(jù)具體模塊有所不同，有的可能無需多次焊接或邦線，而有的則可能需要。同時(shí)，還有諸如等離子處...

快速熔斷器：快速熔斷器主要用于半導(dǎo)體整流元件或整流裝置的短路保護(hù)。由于半導(dǎo)體元件的過載能力很低。只能在極短時(shí)間內(nèi)承受較大的過載電流，因此要求短路保護(hù)具有快速熔斷的能力。快速熔斷器的結(jié)構(gòu)和有填料封閉式熔斷器基本相同，但熔體材料和形狀不同，它是以銀片沖制的有V形深...

此時(shí)，MAX810輸出高電平，MAX4544的公共端COM與其常開端NO（Q1的源極）相連。當(dāng)MAX668使能時(shí)，與MAX4544公共端相連的電阻網(wǎng)絡(luò)為MAX668提供反饋電壓。由于5V電壓時(shí)MAX4544的導(dǎo)通電阻比較大可達(dá)60Ω，因此為了得到**小輸出電壓...

快速熔斷器：快速熔斷器主要用于半導(dǎo)體整流元件或整流裝置的短路保護(hù)。由于半導(dǎo)體元件的過載能力很低。只能在極短時(shí)間內(nèi)承受較大的過載電流，因此要求短路保護(hù)具有快速熔斷的能力。快速熔斷器的結(jié)構(gòu)和有填料封閉式熔斷器基本相同，但熔體材料和形狀不同，它是以銀片沖制的有V形深...

靜態(tài)測量:把萬用表放在乘100檔,測量黑表筆接1端子、紅表筆接2端子,顯示電阻應(yīng)為無窮大; 表筆對調(diào),顯示電阻應(yīng)在400歐左右.用同樣的方法,測量黑表筆接3端子、紅表筆接1端子, 顯示電阻應(yīng)為無窮大;表筆對調(diào),顯示電阻應(yīng)在400歐左右.若符合上述情況表明此IG...

安秒特性：熔斷器的動作是靠熔體的熔斷來實(shí)現(xiàn)的，熔斷器有個(gè)非常明顯的特性，就是安秒特性。熔斷器（圖6）對熔體來說，其動作電流和動作時(shí)間特性即熔斷器的安秒特性，也叫反時(shí)延特性，即：過載電流小時(shí)，熔斷時(shí)間長；過載電流大時(shí)，熔斷時(shí)間短。對安秒特性的理解，我們從焦耳定律...

按引腳和極性分類晶閘管按其引腳和極性可分為二極晶閘管、三極晶閘管和四極晶閘管。（三）按封裝形式分類晶閘管按其封裝形式可分為金屬封裝晶閘管、塑封晶閘管和陶瓷封裝晶閘管三種類型。其中，金屬封裝晶閘管又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種；塑封晶閘管又分為帶散熱片型和不...

大小對晶閘管性能的深入影響（亞利亞半導(dǎo)體（上海）有限公司）亞利亞半導(dǎo)體（上海）有限公司深入研究了大小對晶閘管性能的影響。小尺寸晶閘管由于芯片面積小，內(nèi)部電阻相對較大，但其電容也較小，這使得它在高頻應(yīng)用中具有優(yōu)勢，能夠快速響應(yīng)高頻信號的變化。而大尺寸晶閘管芯片面...

1957年美國通用電器公司開發(fā)出世界上***款晶閘管產(chǎn)品，并于1958年將其商業(yè)化；晶閘管是PNPN四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，它有三個(gè)極：陽極，陰極和門極；晶閘管工作條件為：加正向電壓且門極有觸發(fā)電流；其派生器件有：快速晶閘管，雙向晶閘管，逆導(dǎo)晶閘管，光控晶閘管等。晶閘...

在新能源電池生產(chǎn)設(shè)備中的應(yīng)用隨著新能源電池產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，上海榮耀實(shí)業(yè)有限公司機(jī)械密封在電池生產(chǎn)設(shè)備中得到了廣泛應(yīng)用。在鋰電池生產(chǎn)過程中，從原材料攪拌、涂布到電芯裝配等環(huán)節(jié)，都需要可靠的密封。在電池漿料攪拌設(shè)備中，機(jī)械密封防止?jié){料泄漏，確保漿料成分的均勻性和穩(wěn)...

IGBT模塊封裝過程中的技術(shù)詳解首先，我們談?wù)労附蛹夹g(shù)。在實(shí)現(xiàn)優(yōu)異的導(dǎo)熱性能方面，芯片與DBC基板的焊接質(zhì)量至關(guān)重要。它直接影響到模塊在運(yùn)行過程中的傳熱效果。我們采用真空焊接技術(shù)，可以清晰地觀察到DBC和基板的空洞率，從而確保不會形成熱積累，進(jìn)而保護(hù)IGBT模...

產(chǎn)品研發(fā)中的材料創(chuàng)新與優(yōu)化上海榮耀實(shí)業(yè)有限公司在機(jī)械密封產(chǎn)品研發(fā)過程中，高度重視材料創(chuàng)新與優(yōu)化。不斷探索新型材料，以提升機(jī)械密封在各種復(fù)雜工況下的性能。例如，研發(fā)出一種新型的碳化硅復(fù)合材料，用于制造動環(huán)和靜環(huán)。這種材料兼具碳化硅的高硬度、耐磨性和良好的熱傳導(dǎo)性...

快速保險(xiǎn)絲在軌道交通領(lǐng)域的特殊要求及亞利亞半導(dǎo)體（上海）有限公司的應(yīng)對方案軌道交通領(lǐng)域?qū)焖俦ｋU(xiǎn)絲有著極為特殊的要求。地鐵、高鐵等軌道交通設(shè)備運(yùn)行時(shí)，供電系統(tǒng)電壓高、電流大，且設(shè)備處于高速運(yùn)行和頻繁啟停的狀態(tài)，這對快速保險(xiǎn)絲的可靠性、分?jǐn)嗄芰褪褂脡勖岢隽藝?yán)...

亞利亞半導(dǎo)體（上海）有限公司快速保險(xiǎn)絲在電力系統(tǒng)中的重要作用在龐大復(fù)雜的電力系統(tǒng)中，亞利亞半導(dǎo)體（上海）有限公司的快速保險(xiǎn)絲發(fā)揮著不可或缺的作用。在變電站中，快速保險(xiǎn)絲用于保護(hù)電力變壓器、高壓開關(guān)柜等重要設(shè)備。當(dāng)電力系統(tǒng)發(fā)生故障，如線路短路、過載等情況時(shí)，快速...

IGBT模塊封裝過程中的技術(shù)詳解首先，我們談?wù)労附蛹夹g(shù)。在實(shí)現(xiàn)優(yōu)異的導(dǎo)熱性能方面，芯片與DBC基板的焊接質(zhì)量至關(guān)重要。它直接影響到模塊在運(yùn)行過程中的傳熱效果。我們采用真空焊接技術(shù)，可以清晰地觀察到DBC和基板的空洞率，從而確保不會形成熱積累，進(jìn)而保護(hù)IGBT模...

亞利亞半導(dǎo)體（上海）有限公司IGBT模塊的額定電壓與電流參數(shù)意義額定電壓和電流是亞利亞半導(dǎo)體（上海）有限公司IGBT模塊的重要參數(shù)。額定電壓表示模塊能夠安全承受的最大電壓值，在實(shí)際應(yīng)用中，電路的工作電壓必須低于該額定值，否則可能會導(dǎo)致模塊擊穿損壞。額定電流則是...

為了獲得增強(qiáng)型通道及較低的導(dǎo)通電阻，上述電路均需要采用邏輯電平控制的P溝道MOSFET，如果Q1的導(dǎo)通電阻值較大且在其兩端產(chǎn)生較大的壓降（特別是低輸出電壓應(yīng)用場合或負(fù)載離電源的距離較遠(yuǎn)時(shí)），則應(yīng)該從Q1漏極端反饋電壓調(diào)節(jié)輸出。設(shè)計(jì)電路時(shí)，必須**小化寄生參數(shù)同...

將萬用表撥在R×10KΩ擋，用黑表筆接IGBT 的漏極(D)，紅表筆接IGBT 的源極(S)，此時(shí)萬用表的指針指在無窮處。用手指同時(shí)觸及一下柵極(G)和漏極(D)，這時(shí)IGBT 被觸發(fā)導(dǎo)通，萬用表的指針擺向阻值 較小的方向，并能站住指示在某一位置。然后再用手指...

熔斷器的定制化服務(wù)與客戶需求滿足亞利亞半導(dǎo)體（上海）有限公司深知不同客戶在電路保護(hù)方面存在多樣化的需求，因此提供***的定制化服務(wù)。對于一些具有特殊應(yīng)用場景的客戶，如**企業(yè)、科研機(jī)構(gòu)等，公司技術(shù)團(tuán)隊(duì)會深入了解其電路參數(shù)、工作環(huán)境、可靠性要求等細(xì)節(jié)，為客戶量身...

快速保險(xiǎn)絲在醫(yī)療設(shè)備中的特殊需求及亞利亞半導(dǎo)體（上海）有限公司的解決方案醫(yī)療設(shè)備對快速保險(xiǎn)絲有著特殊的嚴(yán)格需求，因?yàn)槠渖婕暗交颊叩纳踩?。亞利亞半?dǎo)體（上海）有限公司針對醫(yī)療設(shè)備的特點(diǎn)，提供了專門的解決方案。在醫(yī)療設(shè)備中，快速保險(xiǎn)絲不僅要具備快速切斷電流的能...

從晶閘管的內(nèi)部分析工作過程：晶閘管是四層三端器件，它有J1、J2、J3三個(gè)PN結(jié)圖1，可以把它中間的NP分成兩部分，構(gòu)成一個(gè)PNP型三極管和一個(gè)NPN型三極管的復(fù)合管。當(dāng)晶閘管承受正向陽極電壓時(shí)，為使晶閘管導(dǎo)通，必須使承受反向電壓的PN結(jié)J2失去阻擋作用。圖2...

亞利亞半導(dǎo)體（上海）有限公司IGBT模塊的散熱設(shè)計(jì)與優(yōu)化良好的散熱設(shè)計(jì)對于亞利亞半導(dǎo)體（上海）有限公司IGBT模塊的性能和壽命至關(guān)重要。IGBT模塊在工作過程中會產(chǎn)生一定的熱量，如果不能及時(shí)有效地散發(fā)出去，會導(dǎo)致模塊溫度升高，從而影響其性能甚至損壞模塊。亞利亞...

大小對晶閘管性能的深入影響（亞利亞半導(dǎo)體（上海）有限公司）亞利亞半導(dǎo)體（上海）有限公司深入研究了大小對晶閘管性能的影響。小尺寸晶閘管由于芯片面積小，內(nèi)部電阻相對較大，但其電容也較小，這使得它在高頻應(yīng)用中具有優(yōu)勢，能夠快速響應(yīng)高頻信號的變化。而大尺寸晶閘管芯片面...

1979年，MOS柵功率開關(guān)器件作為IGBT概念的先驅(qū)即已被介紹到世間。這種器件表現(xiàn)為一個(gè)類晶閘管的結(jié)構(gòu)(P-N-P-N四層組成)，其特點(diǎn)是通過強(qiáng)堿濕法刻蝕工藝形成了V形槽柵。80年代初期，用于功率MOSFET制造技術(shù)的DMOS(雙擴(kuò)散形成的金屬-氧化物-半導(dǎo)...

亞利亞半導(dǎo)體（上海）有限公司快速保險(xiǎn)絲的研發(fā)趨勢與未來展望展望未來，亞利亞半導(dǎo)體（上海）有限公司在快速保險(xiǎn)絲研發(fā)方面有著明確的趨勢和宏偉的規(guī)劃。隨著科技的不斷進(jìn)步，對快速保險(xiǎn)絲的性能要求將越來越高。亞利亞半導(dǎo)體將持續(xù)投入研發(fā)資源，致力于提高快速保險(xiǎn)絲的分?jǐn)嗄芰?..

亞利亞半導(dǎo)體（上海）有限公司晶閘管的技術(shù)創(chuàng)新與**亞利亞半導(dǎo)體（上海）有限公司始終站在晶閘管技術(shù)創(chuàng)新的前沿。公司持續(xù)投入大量資金用于研發(fā)，與國內(nèi)外**科研機(jī)構(gòu)和高校緊密合作，共同開展前沿技術(shù)研究。在晶閘管的控制技術(shù)方面，研發(fā)出先進(jìn)的數(shù)字控制算法，能夠?qū)崿F(xiàn)對晶閘...