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對(duì)于鍺二極管，開(kāi)啟電壓為0.2V，導(dǎo)通電壓UD約為0.3V。在二極管加有反向電壓，當(dāng)電壓值較小時(shí)，電流極小，其電流值為反向飽和電流IS。當(dāng)反向電壓超過(guò)某個(gè)值時(shí)，電流開(kāi)始急劇增大，稱(chēng)之為反向擊穿，稱(chēng)此電壓為二極管的反向擊穿電壓，用符號(hào)UBR表示。不同型號(hào)的二極管...

在正常工作情況下，電流可以從引線端子A進(jìn)入，通過(guò)瓷心細(xì)孔內(nèi)的金屬鈉，傳導(dǎo)到不銹鋼外殼，并由出線端子B引出。當(dāng)短路電流通過(guò)熔斷器時(shí)，短路電流將瓷心細(xì)孔部分的金屬鈉迅速加熱，使之由固體變成高溫高壓狀態(tài)的等離子體蒸氣，電阻率迅速增加，從而對(duì)短路電流起強(qiáng)烈的限流作用，...

?IGBT電源模塊?是一種由絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）構(gòu)成的功率模塊。IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半...

最高反向工作電壓加在二極管兩端的反向電壓高到一定值時(shí)，會(huì)將管子擊穿，失去單向?qū)щ娔芰?。為了保證使用安全，規(guī)定了最高反向工作電壓值。 [4]小功率晶體二極管1. 判別正、負(fù)電極（1）觀察外殼上的符號(hào)標(biāo)記。通常在二極管的外殼上標(biāo)有二極管的符號(hào)，帶有三角形箭頭的一端...

雙向可控硅屬于NPNPN五層器件，三個(gè)電極分別是T1、T2、G。因該器件可以雙向?qū)?，故除門(mén)極G以外的兩個(gè)電極統(tǒng)稱(chēng)為主端子，用T1、T2表示，不再劃分成陽(yáng)極或陰極。其特點(diǎn)是，當(dāng)G極和T2極相對(duì)于T1，的電壓均為正時(shí)，T2是陽(yáng)極，T1是陰極。反之，當(dāng)G極和T2極...

[3](2)如果主電極T2仍加正向電壓，而把觸發(fā)信號(hào)改為反向信號(hào)(圖5b)，這時(shí)雙向可控硅觸發(fā)導(dǎo)通后，通態(tài)電流的方向仍然是從T2到T1。我們把這種觸發(fā)叫做“***象限的負(fù)觸發(fā)”或稱(chēng)為I-觸發(fā)方式。(3)兩個(gè)主電極加上反向電壓U12(圖5c)，輸入正向觸發(fā)信號(hào)，...

光敏二極管是將光信號(hào)變成電信號(hào)的半導(dǎo)體器件。它的**部分也是一個(gè)PN結(jié)，和普通二極管相比，在結(jié)構(gòu)上不同的是，為了便于接受入射光照，PN結(jié)面積盡量做的大一些，電極面積盡量小些，而且PN結(jié)的結(jié)深很淺，一般小于1微米。光敏二極管是在反向電壓作用之下工作的。沒(méi)有光照時(shí)...

熔體額定電流不等于熔斷器額定電流，熔體額定電流按被保護(hù)設(shè)備的負(fù)荷電流選擇，熔斷器額定電流應(yīng)大于熔體額定電流，與主電器配合確定。熔斷器主要由熔體、外殼和支座3部分組成，其中熔體是控制熔斷特性的關(guān)鍵元件。熔體的材料、尺寸和形狀決定了熔斷特性。熔體材料分為低熔點(diǎn)和高...

熔斷器是**簡(jiǎn)單的保護(hù)電器，它用來(lái)保護(hù)電氣設(shè)備免受過(guò)載和短路電流的損害；按安裝條件及用途選擇不同類(lèi)型高壓熔斷器如屋外跌落式、屋內(nèi)式，對(duì)于一些**設(shè)備的高壓熔斷器應(yīng)選**系列；我們常說(shuō)的保險(xiǎn)絲就是熔斷器類(lèi)。當(dāng)今社會(huì)能源危機(jī)和環(huán)境污染問(wèn)題與日俱增，全國(guó)大面積的霧霾...

晶閘管T在工作過(guò)程中，它的陽(yáng)極A和陰極K與電源和負(fù)載連接，組成晶閘管的主電路，晶閘管的門(mén)極G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接，組成晶閘管的控制電路雙向晶閘管的結(jié)構(gòu)與符號(hào)。它屬于NPNP四層器件，三個(gè)電極分別是T1、T2、G。因該器件可以雙向?qū)?，故除門(mén)極G以外的...

動(dòng)態(tài)電阻二極管特性曲線靜態(tài)工作點(diǎn)附近電壓的變化與相應(yīng)電流的變化量之比。 [4]電壓溫度系數(shù)電壓溫度系數(shù)指溫度每升高一攝氏度時(shí)的穩(wěn)定電壓的相對(duì)變化量。 [4]比較高工作頻率比較高工作頻率是二極管工作的上限頻率。因二極管與PN結(jié)一樣，其結(jié)電容由勢(shì)壘電容組成。所以比...

維持電流： IH 是維持可控硅保持通態(tài)所必需的**小主電流，它與結(jié)溫有關(guān)，結(jié)溫越高， 則 IH 越小。 [1]·電壓上升率的**： dv/dt指的是在關(guān)斷狀態(tài)下電壓的上升斜率，這是防止誤觸發(fā)的一個(gè)關(guān)鍵參數(shù)。此值超限將可能導(dǎo)致可控硅出現(xiàn)誤導(dǎo)通的現(xiàn)象。由于可控硅的...

（4）變?nèi)蓦娐吩谧內(nèi)蓦娐分谐Ｓ米內(nèi)荻O管來(lái)實(shí)現(xiàn)電路的自動(dòng)頻率控制、調(diào)諧、調(diào)頻以及掃描振蕩等。 [6]工業(yè)產(chǎn)品應(yīng)用經(jīng)過(guò)多年來(lái)科學(xué)家們不懈努力，半導(dǎo)體二極管發(fā)光的應(yīng)用已逐步得到推廣，發(fā)光二極管廣泛應(yīng)用于各種電子產(chǎn)品的指示燈、光纖通信用光源、各種儀表的指示器以及照明...

1、柵極上的噪聲電平在有電噪聲的環(huán)境中，如果柵極上的噪聲電壓超過(guò)VGT，并有足夠的柵電流激發(fā)可控硅(晶閘管)內(nèi)部的正反饋，則也會(huì)被觸發(fā)導(dǎo)通。應(yīng)用安裝時(shí)，首先要使柵極外的連線盡可能短。當(dāng)連線不能很短時(shí)，可用絞線或屏蔽線來(lái)減小干擾的侵入。在然后G與MT1之間加一個(gè)...

反向電流反向電流是指二極管在常溫（25℃）和比較高反向電壓作用***過(guò)二極管的反向電流。反向電流越小，管子的單方向?qū)щ娦阅茉胶?。值得注意的是反向電流與溫度有著密切的關(guān)系，大約溫度每升高10℃，反向電流增大一倍。例如2AP1型鍺二極管，在25℃時(shí)反向電流若為25...

大電流高電壓的IGBT已模塊化，它的驅(qū)動(dòng)電路除上面介紹的由分立元件構(gòu)成之外，已制造出集成化的IGBT**驅(qū)動(dòng)電路。其性能更好，整機(jī)的可靠性更高及體積更小。選擇IGBT模塊的電壓規(guī)格與所使用裝置的輸入電源即試電電源電壓緊密相關(guān)。其相互關(guān)系見(jiàn)下表。使用中當(dāng)IGBT...

自復(fù)熔斷器的特點(diǎn)是分?jǐn)嚯娏鞔螅梢苑謹(jǐn)?00千安交流（有效值），甚至更大的電流。這種熔斷器具有非常***的限流作用，當(dāng)瞬時(shí)電流達(dá)到接近165千安時(shí)即能被迅速限流。自復(fù)熔斷器的結(jié)構(gòu)主要由電流端子（又叫電極）、云母玻璃（填充劑）、絕緣管、熔體、活塞、氬氣和外殼等組...

由于現(xiàn)代的開(kāi)關(guān)電源工作頻率都在20khz以上，比起一般的整流二極管，快速恢復(fù)二極管和超快速恢復(fù)二極管的反向恢復(fù)時(shí)間減小到了毫微秒極。因此，**提高了電源的效率。據(jù)經(jīng)驗(yàn)，在選擇快速恢復(fù)二極管時(shí),其反向恢復(fù)時(shí)間至少應(yīng)該比開(kāi)關(guān)晶體管的上升時(shí)間低三倍。這兩種整流二極管...

IGBT 的開(kāi)關(guān)特性是指漏極電流與漏源電壓之間的關(guān)系。IGBT 處于導(dǎo)通態(tài)時(shí)，由于它的PNP 晶體管為寬基區(qū)晶體管，所以其B 值極低。盡管等效電路為達(dá)林頓結(jié)構(gòu)，但流過(guò)MOSFET 的電流成為IGBT 總電流的主要部分。由于N+ 區(qū)存在電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)，所以IGBT...

快速熔斷器的結(jié)構(gòu)熔斷器由磁殼、導(dǎo)電板、熔體、石英砂、消弧劑、指示器六部分組成。熔體的材質(zhì)為純銀，形狀為矩形薄片，且具有圓孔狹頸 [1]。快速熔斷器的滅弧原理快速熔斷器的熔體是由純銀制成的，由于純銀的電阻率低、延展性好、化學(xué)穩(wěn)定性好，因此快速熔斷器的熔體可做成薄...

紅外發(fā)光二極管1. 判別紅外發(fā)光二極管的正、負(fù)電極。紅外發(fā)光二極管有兩個(gè)引腳，通常長(zhǎng)引腳為正極，短引腳為負(fù)極。因紅外發(fā)光二極管呈透明狀，所以管殼內(nèi)的電極清晰可見(jiàn)，內(nèi)部電極較寬較大的一個(gè)為負(fù)極，而較窄且小的一個(gè)為正極。 [8]2. 先測(cè)量紅個(gè)發(fā)光二極管的正、反向...

晶閘管T在工作過(guò)程中，它的陽(yáng)極A和陰極K與電源和負(fù)載連接，組成晶閘管的主電路，晶閘管的門(mén)極G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接，組成晶閘管的控制電路雙向晶閘管的結(jié)構(gòu)與符號(hào)。它屬于NPNP四層器件，三個(gè)電極分別是T1、T2、G。因該器件可以雙向?qū)?，故除門(mén)極G以外的...

因硼原子只有三個(gè)價(jià)電子，它與周?chē)墓柙有纬晒矁r(jià)鍵，因缺少一個(gè)電子，在晶體中便產(chǎn)生一個(gè)空位，當(dāng)相鄰共價(jià)鍵上的電子獲得能量時(shí)就有可能填補(bǔ)這個(gè)空位，使硼原子成了不能移動(dòng)的負(fù)離子，而原來(lái)的硅原子的共價(jià)鍵則因缺少一個(gè)電子，形成了空穴，但整個(gè)半導(dǎo)體仍呈中性。這種P型半導(dǎo)...

熔斷器：1、熔斷器的主要優(yōu)點(diǎn)和特點(diǎn)（1）選擇性好。上下級(jí)熔斷器的熔斷體額定電流只要符合國(guó)標(biāo)和IEC標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的過(guò)電流選擇比為1.6：1 的要求，即上級(jí)熔斷體額定電流不小于下級(jí)的該值的1.6 倍，就視為上下級(jí)能有選擇性切斷故障電流；（2）限流特性好，分?jǐn)嗄芰Ω?；?..

噴射式熔斷器是將熔體裝在由固體產(chǎn)氣材料制成的絕緣管內(nèi)。固體產(chǎn)氣材料可采用電工反白紙板或有機(jī)玻璃材料等。當(dāng)短路電流通過(guò)熔體時(shí)，熔體隨即熔斷產(chǎn)生電弧，高溫電弧使固體產(chǎn)氣材料迅速分解產(chǎn)生大量高壓氣體，從而將電離的氣體帶電弧在管子兩端噴出，發(fā)出極大的聲光，并在交流電流...

電壓測(cè)方法可控硅為什么其有“以小控大”的可控性呢？下面我們用圖表-27來(lái)簡(jiǎn)單分析可控硅的工作原理。首先，可以把從陰極向上數(shù)的***、二、三層看面是一只NPN型號(hào)晶體管，而二、三四層組成另一只PNP型晶體管。其中第二、第三層為兩管交迭共用。當(dāng)在陽(yáng)極和陰極之間加上...

點(diǎn)接觸型二極管是在鍺或硅材料的單晶片上壓觸一根金屬針后，再通過(guò)電流法而形成的。因此，其PN結(jié)的靜電容量小，適用于高頻電路。點(diǎn)接觸型與面結(jié)型相比，較少使用于大電流和整流。因?yàn)闃?gòu)造簡(jiǎn)單，所以?xún)r(jià)格便宜。對(duì)于小信號(hào)的檢波、整流、調(diào)制、混頻和限幅等一般用途而言，它是應(yīng)用...

②限流特性好，分?jǐn)嗄芰Ω?；③相?duì)尺寸較??；NT系列熔斷器④價(jià)格較便宜。（2）熔斷器的主要缺點(diǎn)①故障熔斷后必須更換熔斷體；②保護(hù)功能單一，只有一段過(guò)電流反時(shí)限特性，過(guò)載、短路和接地故障都用此防護(hù)；③發(fā)生一相熔斷時(shí)，對(duì)三相電動(dòng)機(jī)將導(dǎo)致兩相運(yùn)轉(zhuǎn)的不良后果，當(dāng)然可用帶...

（3）以阻值較小的一次測(cè)量為準(zhǔn)，黑表筆所接的一端為正極，紅表筆所接的一端則為負(fù)極。(d)觀察二極管外殼，帶有銀色帶一端為負(fù)極。 [7]2. 檢測(cè)比較高反向擊穿電壓。對(duì)于交流電來(lái)說(shuō)，因?yàn)椴粩嘧兓?，因此最高反向工作電壓也就是二極管承受的交流峰值電壓。 [7]雙向觸...

當(dāng)無(wú)光照時(shí)，光電二極管的伏安特性與普通二極管一樣。光電二極管作為光控元件可用于各種物體檢測(cè)、光電控制、自動(dòng)報(bào)警等方面。當(dāng)制成大面積的光電二極管時(shí)，可當(dāng)作一種能源而稱(chēng)為光電池。此時(shí)它不需要外加電源，能夠直接把光能變成電能。 [4]發(fā)光二極管發(fā)光二極管發(fā)光二極管是...