一般硅管的反向電流比鍺管小得多,小功率硅管的反向飽和電流在nA數(shù)量級,小功率鍺管在μA數(shù)量級。溫度升高時,半導體受熱激發(fā),少數(shù)載流子數(shù)目增加,反向飽和電流也隨之增加。 [4]擊穿特性外加反向電壓超過某一數(shù)值時,反向電流會突然增大,這種現(xiàn)象稱為電擊穿。引起電擊穿...
Discrete devices - Part 9: Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs)所給出的測試方法測量出開通能量E,然后再計算出QG。E = ∫IG · ΔUGE · dt= QG · ΔUGE這種方法雖...
在性能上,可控硅不僅具有單向導電性,而且還具有比硅整流元件(俗稱"死硅")更為可貴的可控性。它只有導通和關斷兩種狀態(tài)??煽毓枘芤院涟布夒娏骺刂拼蠊β实臋C電設備,如果超過此功率,因元件開關損耗***增加,允許通過的平均電流相降低,此時,標稱電流應降級使用。可控硅...
按電路結構可分為零式電路和橋式電路1)零式電路指帶零點或中性點的電路,又稱半波電路。它的特點所有整流元件的陰極(或陽極)都接到一個公共接點﹐向直流負載供電﹐負載的另一根線接到交流電源的零點。2)橋式電路實際上是由兩個半波電路串聯(lián)而成,故又稱全波電路。3、按電網(wǎng)...
推挽驅動是兩不同極性晶體管輸出電路無輸出變壓器(有OTL、OCL等)。是兩個參數(shù)相同的功率 BJT 管或 MOSFET 管,以推挽方式存在于電路中,各負責正負半周的波形放大任務,電路工作時,兩只對稱的功率開關管每次只有一個導通,所以導通損耗小效率高。推挽輸出既...
工作過程全波整流電路的工作過程是:在u2的正半周(ωt=0~π)D1正偏導通,D2反偏截止,RL上有自上而下的電流流過,RL上的電壓與u21相同。在u2的負半周(ωt=π~2π),D1反偏截止,D2正偏導通,RL上也有自上而下的電流流過,RL上的電壓與u22相...
高亮度單色發(fā)光二極管高亮度單色發(fā)光二極管和超高亮度單色發(fā)光二極管使用的半導體材料與普通單色發(fā)光二極管不同,所以發(fā)光的強度也不同。通常,高亮度單色發(fā)光二極管使用砷鋁化鎵(GaAlAs)等材料,超高亮度單色發(fā)光二極管使用磷銦砷化鎵(GaAsInP)等材料,而普通單...
推挽驅動是兩不同極性晶體管輸出電路無輸出變壓器(有OTL、OCL等)。是兩個參數(shù)相同的功率 BJT 管或 MOSFET 管,以推挽方式存在于電路中,各負責正負半周的波形放大任務,電路工作時,兩只對稱的功率開關管每次只有一個導通,所以導通損耗小效率高。推挽輸出既...
引言近年來,高亮度LED照明以高光效、長壽命、高可靠性和無污染等優(yōu)點正在逐步取代白熾燈、熒光燈等傳統(tǒng)光源。在一些應用中,希望在某些情況下可調節(jié)燈光的亮度,以便進一步節(jié)能和提供舒適的照明。常見的調光有雙向可控硅調光、后沿調光、ON/OFF調光、遙控調光等??煽毓?..
四象限/非絕緣/雙向可控硅:BTB06-600C、BTB12-600B、BTB16-600B、BTB41-600B等等;ST公司所有產品型號的后綴字母(型號***一個字母)帶“W”的,均為“三象限雙向可控硅”。如“BW”、“CW”、“SW”、“TW”;**型號...
2)三相整流電路是交流測由三相電源供電,負載容量較大,或要求直流電壓脈動較小,容易濾波。三相可控整流電路有三相半波可控整流電路,三相半控橋式整流電路,三相全控橋式整流電路。因為三相整流裝置三相是平衡的﹐輸出的直流電壓和電流脈動小,對電網(wǎng)影響小,且控制滯后時間短...
N型半導體形成的原理和P型原理相似。在本征半導體中摻入五價原子,如磷等。摻入后,它與硅原子形成共價鍵,產生了自由電子。在N型半導體中,電子為多數(shù)載流子,空穴為少數(shù)載流子。 [6]PN結因此,在本征半導體的兩個不同區(qū)域摻入三價和五價雜質元素,便形成了P型區(qū)和N型...
變壓器次級電壓u21和u22大小相等,相位相反,即 u21 = - u22 。式中,U2 是變壓器次級半邊繞組交流電壓的有效值。全波整流電路的工作過程是:在u2 的正半周(ωt = 0~π)D1正偏導通,D2反偏截止,RL上有自上而下的電流流過,RL上的電壓與...
Windows怎樣知道安裝的是什么設備,以及要拷貝哪些文件。答案在于.inf文件。.inf是從Windows 95時***始引入的一種描述設備安裝信息的文件,它用特定語法的文字來說明要安裝的設備類型、生產廠商、型號、要拷貝的文件、拷貝到的目標路徑,以及要添加到...
推挽驅動是兩不同極性晶體管輸出電路無輸出變壓器(有OTL、OCL等)。是兩個參數(shù)相同的功率 BJT 管或 MOSFET 管,以推挽方式存在于電路中,各負責正負半周的波形放大任務,電路工作時,兩只對稱的功率開關管每次只有一個導通,所以導通損耗小效率高。推挽輸出既...
引言近年來,高亮度LED照明以高光效、長壽命、高可靠性和無污染等優(yōu)點正在逐步取代白熾燈、熒光燈等傳統(tǒng)光源。在一些應用中,希望在某些情況下可調節(jié)燈光的亮度,以便進一步節(jié)能和提供舒適的照明。常見的調光有雙向可控硅調光、后沿調光、ON/OFF調光、遙控調光等。可控硅...
驅動程序作為Windows 10必備的組件,為系統(tǒng)安全平穩(wěn)地運行提供了有力的保障。為了驅動程序的安全,系統(tǒng)或軟件在安裝時會對驅動程序做必要的儲備,這一儲備具體體現(xiàn)在系統(tǒng)DriverStore驅動文件夾。然而,該文件夾中的文件不一定是當前系統(tǒng)必不可少的,*在驅動...
雙向可控硅固定到散熱器的主要方法有三種,夾子壓接、螺栓固定和鉚接。前二種方法的安裝工具很容易取得。 很多場合下,鉚接不是一種推薦的方法。 [1]夾子壓接:是推薦的方法,熱阻**小。夾子對器件的塑封施加壓力。這同樣適用于非絕緣封裝(sot82 和sot78 ) ...
變容二極管將萬用表紅、黑表筆怎樣對調測量,變容二極管的兩引腳間的電阻值均應為無窮大。如果在測量中,發(fā)現(xiàn)萬用表指針向右有輕微擺動或阻值為零,說明被測變容二極管有漏電故障或已經(jīng)擊穿壞。 [8]單色發(fā)光二極管在萬用表外部附接一節(jié)能1.5V干電池,將萬用表置R×10或...
這種器件在電路中能夠實現(xiàn)交流電的無觸點控制,以小電流控制大電流,具有無火花、動作快、壽命長、可靠性高以及簡化電路結構等優(yōu)點。從外表上看,雙向可控硅和普通可控硅很相似,也有三個電極。但是,它除了其中一個電極G仍叫做控制極外,另外兩個電極通常卻不再叫做陽極和陰極,...
驅動程序作為Windows 10必備的組件,為系統(tǒng)安全平穩(wěn)地運行提供了有力的保障。為了驅動程序的安全,系統(tǒng)或軟件在安裝時會對驅動程序做必要的儲備,這一儲備具體體現(xiàn)在系統(tǒng)DriverStore驅動文件夾。然而,該文件夾中的文件不一定是當前系統(tǒng)必不可少的,*在驅動...
PN結形成原理P型和N型半導體P型半導體是在本征半導體(一種完全純凈的、結構完整的半導體晶體)摻入少量三價元素雜質,如硼等。因硼原子只有三個價電子,它與周圍的硅原子形成共價鍵,因缺少一個電子,在晶體中便產生一個空位,當相鄰共價鍵上的電子獲得能量時就有可能填補這...
四種觸發(fā)方式可控硅四種觸發(fā)方式可控硅四種觸發(fā)方式由于在雙向可控硅的主電極上,無論加以正向電壓或是反向電壓,也不管觸發(fā)信號是正向還是反向,它都能被觸發(fā)導通,因此它有以下四種觸發(fā)方式:(1)當主電極T2對Tl所加的電壓為正向電壓,控制極G對***電極Tl所加的也是...
驅動電路(Drive Circuit),位于主電路和控制電路之間,用來對控制電路的信號進行放大的中間電路(即放大控制電路的信號使其能夠驅動功率晶體管),稱為驅動電路。驅動電路的作用:將控制電路輸出的PWM脈沖放大到足以驅動功率晶體管—開關功率放大作用?;救蝿?..
表1 IGBT門極驅動條件與器件特性的關系由于IGBT的開關特性和安全工作區(qū)隨著柵極驅動電路的變化而變化,因而驅動電路性能的好壞將直接影響IGBT能否正常工作。為使IGBT能可靠工作。IGBT對其驅動電路提出了以下要求。1)向IGBT提供適當?shù)恼驏艍?。并且?..
這樣一來,輸出高低電平時,T3 一路和 T4 一路將交替工作,從而減低了功耗,提高了每個管的承受能力。又由于不論走哪一路,管子導通電阻都很小,使 RC 常數(shù)很小,轉變速度很快。因此,推拉式輸出級既提高電路的負載能力,又提高開關速度。推挽結構一般是指兩個三極管分...
按電流方向方向是單向或雙向,又分為單拍電路和雙拍電路。其中所有半波整流電路都是單拍電路,所有全波整流電路都是雙拍電路。按控制方式可分為相控式電路和斬波式電路(斬波器);1)通過控制觸發(fā)脈沖的相位來控制直流輸出電壓大小的方式稱為相位控制方式,簡稱相控方式。2)斬...
“整流電路”(rectifying circuit)是把交流電能轉換為直流電能的電路。大多數(shù)整流電路由變壓器、整流主電路和濾波器等組成。它在直流電動機的調速、發(fā)電機的勵磁調節(jié)、電解、電鍍等領域得到廣泛應用。20世紀70年代以后,主電路多用硅整流二極管和晶閘管組...
由于門極的測量電壓太低(VGE=0V )而不是門極的門檻電壓,在實際開關中存在的米勒效應(Miller 效應)在測量中也沒有被包括在內,在實際使用中的門極電容Cin值要比IGBT 數(shù)據(jù)手冊中給出的電容Cies 值大很多。因此,在IGBT數(shù)據(jù)手冊中給出的電容Ci...
(3)沖擊電流問題。由于可控硅前沿斬波使得輸入電壓可能一直處于峰值附近,輸入濾波電容將承受大的沖擊電流,同時還可能使得可控硅意外截止,導致可控硅不斷重啟,所以一般需要在驅動器輸入端串接電阻來減小沖擊。(4)導通角較小時LED會出現(xiàn)閃爍。當可控硅導通角較小時,由...