安裝過程中,螺絲刀決不能對(duì)器件塑料體施加任何力量;和接頭片接觸的散熱器表面應(yīng)處理,保證平坦,10mm上允許偏差0.02mm;安裝力矩(帶墊圈)應(yīng)在0.55nm 和0.8nm 之間;應(yīng)避免使用自攻絲螺釘,因?yàn)閿D壓可能導(dǎo)致安裝孔周圍的隆起,影響器件和散熱器之間的熱...
可控硅這種通過觸發(fā)信號(hào)(小的觸發(fā)電流)來控制導(dǎo)通(可控硅中通過大電流)的可控特性,正是它區(qū)別于普通硅整流二極管的重要特征。普通可控硅的三個(gè)電極可以用萬(wàn)用表歐姆擋R×100擋位來測(cè)。大家知道,晶閘管G、K之間是一個(gè)PN結(jié)(a),相當(dāng)于一個(gè)二極管,G為正極、K為負(fù)...
額定速態(tài)平均屯成系列共分為14個(gè),如表1一5所示。正反向重復(fù)蜂值屯壓級(jí)別規(guī)定1000V以下的管子每100V為一級(jí),1000V以上的管子每200V為一級(jí)。取電壓教除以100做為級(jí)別標(biāo)志,如表1-6所示。通態(tài)平均電壓組別依電壓大小分為9組,用宇毋表示,如表1一所示...
可控硅從外形上分類主要有:螺栓形、平板形和平底形??煽毓柙慕Y(jié)構(gòu)不管可控硅的外形如何,它們的管芯都是由P型硅和N型硅組成的四層P1N1P2N2結(jié)構(gòu)。見圖1。它有三個(gè)PN結(jié)(J1、J2、J3),從J1結(jié)構(gòu)的P1層引出陽(yáng)極A,從N2層引出陰級(jí)K,從P2層引出控制...
晶閘管特性單向晶聞管的結(jié)構(gòu)與符號(hào)為了能夠直觀地認(rèn)識(shí)晶閘管的工作特性,大家先看這塊示教板(圖3)。晶閘管VS與小燈泡EL串聯(lián)起來,通過開關(guān)S接在直流電源上。注意陽(yáng)極A是接電源的正極,陰極K接電源的負(fù)極,控制極G通過按鈕開關(guān)SB接在1.5V直流電源的正極(這里使用...
按整流變壓器的類型可以分為傳統(tǒng)的多脈沖變壓整流器和自耦式多脈沖變壓整流器。傳統(tǒng)的多脈沖變壓整流器采用隔離變壓器實(shí)現(xiàn)輸入電壓和輸出電壓的隔離,但整流變壓器的等效容量大,體積龐大。自耦變壓整流器與傳統(tǒng)的多脈沖變壓器不同,自耦變壓整流不采用隔離技術(shù),而是把繞組放在同...
常用的有阻容移相橋觸發(fā)電路、單結(jié)晶體管觸發(fā)電路、晶體三極管觸發(fā)電路、利用小晶閘管觸發(fā)大晶閘管的觸發(fā)電路,等等??煽毓璧闹饕獏?shù)有:1、 額定通態(tài)平均電流IT 在一定條件下,陽(yáng)極---陰極間可以連續(xù)通過的50赫茲正弦半波電流的平均值。2、 正向阻斷峰值電壓VPF...
IGBT柵極驅(qū)動(dòng)功率 P=FUQ,其中:F 為工作頻率;U 為驅(qū)動(dòng)輸出電壓的峰峰值;Q 為柵極電荷,可參考IGBT模塊參數(shù)手冊(cè)。例如,常見IGBT驅(qū)動(dòng)器(如TX-KA101)輸出正電壓15V,負(fù)電壓-9V,則U=24V,假設(shè) F=10KHz,Q=2.8uC可計(jì)...
**型號(hào)如:PHILIPS的BT131-600D、BT134-600E、BT136-600E、BT138-600E、BT139-600E、等等。這些都是四象限/非絕緣型/雙向可控硅;Philips公司的產(chǎn)品型號(hào)前綴為“BTA”字頭的,通常是指三象限的雙向可控硅...
6、在全波和橋式整流電路中,都將輸入交流電壓的負(fù)半周轉(zhuǎn)到正半周或?qū)⒄胫苻D(zhuǎn)到負(fù)半周,這一點(diǎn)與半波整流電路不同,在半波整流電路中,將輸入交流電壓一個(gè)半周切除。7、在整流電路中,輸入交流電壓的幅值遠(yuǎn)大于二極管導(dǎo)通的管壓降,所以可將整流二極管的管壓降忽略不計(jì)。8、對(duì)...
設(shè)PNP管和NPN管的集電極電流相應(yīng)為Ic1和Ic2;發(fā)射極電流相應(yīng)為Ia和Ik;電流放大系數(shù)相應(yīng)為a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik,設(shè)流過J2結(jié)的反相漏電電流為Ic0,晶閘管的陽(yáng)極電流等于兩管的集電極電流和漏電流的總和:Ia=Ic1+Ic2+Ic0 或...
安裝過程中,螺絲刀決不能對(duì)器件塑料體施加任何力量;和接頭片接觸的散熱器表面應(yīng)處理,保證平坦,10mm上允許偏差0.02mm;安裝力矩(帶墊圈)應(yīng)在0.55nm 和0.8nm 之間;應(yīng)避免使用自攻絲螺釘,因?yàn)閿D壓可能導(dǎo)致安裝孔周圍的隆起,影響器件和散熱器之間的熱...
盡管從形式上可將雙向可控硅看成兩只普通可控硅的組合,但實(shí)際上它是由7只晶體管和多只電阻構(gòu)成的功率集成器件。小功率雙向可控硅一般采用塑料封裝,有的還帶散熱板。典型產(chǎn)品有BCMlAM(1A/600V)、BCM3AM(3A/600V)、2N6075(4A/600V)...
Discrete devices - Part 9: Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs)所給出的測(cè)試方法測(cè)量出開通能量E,然后再計(jì)算出QG。E = ∫IG · ΔUGE · dt= QG · ΔUGE這種方法雖...
意法ST公司:TW=5mA,SW=10mA,CW=35mA,BW=50mA,C=25mA,B=50mA,H=15mA,T=15mA,注意:以上觸發(fā)電流均有一個(gè)上下起始誤差范圍,產(chǎn)品PDF文件中均有詳細(xì)說明一般分為最小值/典型值/最大值,而非“=”一個(gè)參數(shù)值。雙...
如果IGBT數(shù)據(jù)表給出的Cies的條件為VCE = 10 V, VGE = 0 V, f= 1 MHz,那么可以近似的認(rèn)為Cin=2.2Cies,門極電荷 QG ≈ ΔUGE · Cies · 2.2 = [ VG(on) - VG(off) ] · Cies...
PNPN四層組成(2)可控硅由關(guān)斷轉(zhuǎn)為導(dǎo)通必須同時(shí)具備兩個(gè)條件:(1〕受正向陽(yáng)極電壓;(2)受正向門極電壓。(3)可控硅導(dǎo)通后,當(dāng)陽(yáng)極電流小干維持電流In時(shí).可控硅關(guān)斷。(4)可控硅的特性主要是:1.陽(yáng)極伏安特性曲線,2.門極伏安特性區(qū)。(5)應(yīng)在額定參數(shù)范圍...
它們?cè)诜聪螂妷鹤饔孟聟⒓悠七\(yùn)動(dòng),使反向電流明顯變大,光的強(qiáng)度越大,反向電流也越大。這種特性稱為“光電導(dǎo)”。光敏二極管在一般照度的光線照射下,所產(chǎn)生的電流叫光電流。如果在外電路上接上負(fù)載,負(fù)載上就獲得了電信號(hào),而且這個(gè)電信號(hào)隨著光的變化而相應(yīng)變化。光敏二極管是...
MOSFET驅(qū)動(dòng)器是一款高頻高電壓柵極驅(qū)動(dòng)器,可利用一個(gè)同步 DC/DC 轉(zhuǎn)換器和高達(dá) 100V 的電源電壓來驅(qū)動(dòng)兩個(gè) N 溝道 MOSFET。強(qiáng)大的驅(qū)動(dòng)能力降低了具高柵極電容 MOSFET 中的開關(guān)損耗。針對(duì)兩個(gè)與電源無(wú)關(guān)的輸入進(jìn)行配置。高壓側(cè)輸入邏輯信號(hào)在...
a)驅(qū)動(dòng)器靠近IGBT減小引線長(zhǎng)度;b) 驅(qū)動(dòng)的柵射極引線絞合,并且不要用過粗的線;c) 線路板上的 2 根驅(qū)動(dòng)線的距離盡量靠近;d) 柵極電阻使用無(wú)感電阻;e) 如果是有感電阻,可以用幾個(gè)并聯(lián)以減小電感。2、IGBT 開通和關(guān)斷選取不同的柵極電阻通常為達(dá)到更...
反向擊穿按機(jī)理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況。在高摻雜濃度的情況下,因勢(shì)壘區(qū)寬度很小,反向電壓較大時(shí),破壞了勢(shì)壘區(qū)內(nèi)共價(jià)鍵結(jié)構(gòu),使價(jià)電子脫離共價(jià)鍵束縛,產(chǎn)生電子-空穴對(duì),致使電流急劇增大,這種擊穿稱為齊納擊穿。如果摻雜濃度較低,勢(shì)壘區(qū)寬度較寬,不容易產(chǎn)生齊納擊...
橋式整流是交流電轉(zhuǎn)換成直流電的***個(gè)步驟。橋式整流器 BRIDGE RECTIFIERS,也叫做整流橋堆。橋式整流器是由多只整流二極管作橋式連接,外用絕緣塑料封裝而成,大功率橋式整流器在絕緣層外添加金屬殼包封,增強(qiáng)散熱。橋式整流器品種多,性能優(yōu)良,整流效率高...
晶閘管T在工作過程中,它的陽(yáng)極A和陰極K與電源和負(fù)載連接,組成晶閘管的主電路,晶閘管的門極G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接,組成晶閘管的控制電路雙向晶閘管的結(jié)構(gòu)與符號(hào)。它屬于NPNP四層器件,三個(gè)電極分別是T1、T2、G。因該器件可以雙向?qū)ǎ食T極G以外的...
驅(qū)動(dòng)電路(Drive Circuit),位于主電路和控制電路之間,用來對(duì)控制電路的信號(hào)進(jìn)行放大的中間電路(即放大控制電路的信號(hào)使其能夠驅(qū)動(dòng)功率晶體管),稱為驅(qū)動(dòng)電路。驅(qū)動(dòng)電路的作用:將控制電路輸出的PWM脈沖放大到足以驅(qū)動(dòng)功率晶體管—開關(guān)功率放大作用?;救蝿?wù)...
驅(qū)動(dòng),計(jì)算機(jī)軟件術(shù)語(yǔ),是指驅(qū)使計(jì)算機(jī)里硬件動(dòng)作的軟件程序。驅(qū)動(dòng)程序全稱設(shè)備驅(qū)動(dòng)程序,是添加到操作系統(tǒng)中的特殊程序,其中包含有關(guān)硬件設(shè)備的信息。此信息能夠使計(jì)算機(jī)與相應(yīng)的設(shè)備進(jìn)行通信。驅(qū)動(dòng)程序是硬件廠商根據(jù)操作系統(tǒng)編寫的配置文件,可以說沒有驅(qū)動(dòng)程序,計(jì)算機(jī)中的硬...
主要廠家品牌:ST,NXP/PHILIPS,NEC,ON/MOTOROLA,RENESAS/MITSUBISHI,LITTELFUSE/TECCOR,TOSHIBA,JX ,SANREX,SANKEN ,SEMIKRON ,EUPEC,IR,JBL等。IT(A...
相對(duì)于傳統(tǒng)的隔離式12脈沖變壓整流器為1.03P的等效容量,自耦式變壓整流器的等效容量減小到了0.18P,大大減小了整流變壓器的等效容量。 [3]脈沖自耦變壓整流器右圖給出自耦式12脈沖變壓整流器,變壓器用于產(chǎn)生滿足整流器要求的兩組三相電壓,兩組三相電壓(Va...
穩(wěn)壓管與一般二極管不一樣,它的反向擊穿是可逆的,只要不超過穩(wěn)壓管電流的允許值,PN結(jié)就不會(huì)過熱損壞,當(dāng)外加反向電壓去除后,穩(wěn)壓管恢復(fù)原性能,所以穩(wěn)壓管具有良好的重復(fù)擊穿特性。 [4]光電二極管光電二極管光電二極管又稱光敏二極管。它的管殼上備有一個(gè)玻璃窗口,以便...
雙向可控硅固定到散熱器的主要方法有三種,夾子壓接、螺栓固定和鉚接。前二種方法的安裝工具很容易取得。 很多場(chǎng)合下,鉚接不是一種推薦的方法。 [1]夾子壓接:是推薦的方法,熱阻**小。夾子對(duì)器件的塑封施加壓力。這同樣適用于非絕緣封裝(sot82 和sot78 ) ...
3)多相整流電路 隨著整流電路的功率進(jìn)一步增大(如軋鋼電動(dòng)機(jī),功率達(dá)數(shù)兆瓦),為了減輕對(duì)電網(wǎng)的干擾﹐特別是減輕整流電路高次諧波對(duì)電網(wǎng)的影響,可采用十二相﹑十八相﹑二十四相,乃至三十六相的多相整流電路。采用多相整流電路能改善功率因數(shù),提高脈動(dòng)頻率,使變壓器初級(jí)電...