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可控硅(Silicon Controlled Rectifier) 簡(jiǎn)稱SCR，是一種大功率電器元件，也稱晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)。在自動(dòng)控制系統(tǒng)中，可作為大功率驅(qū)動(dòng)器件，實(shí)現(xiàn)用小功率控件控制大功率設(shè)備。它在交直流電機(jī)調(diào)速系統(tǒng)、調(diào)功系統(tǒng)及隨動(dòng)系統(tǒng)中得到了廣泛的應(yīng)用。可控硅分單向可控硅和雙向可控硅兩種。雙向可控硅也叫三端雙向可控硅，簡(jiǎn)稱TRIAC。雙向可控硅在結(jié)構(gòu)上相當(dāng)于兩個(gè)單向可控硅反向連接，這種可控硅具有雙向?qū)üδ?。其通斷狀態(tài)由控制極G決定。在控制極G上加正脈沖(或負(fù)脈沖)可使其正向(或反向)導(dǎo)通。這種裝置的優(yōu)點(diǎn)是控制電路簡(jiǎn)單，沒有反向耐壓?jiǎn)栴}，因此特別適合做交流無觸點(diǎn)開...

⒊ 控制極觸發(fā)電流（IGT），俗稱觸發(fā)電流。常用可控硅的IGT一般為幾微安到幾十毫安。4，在規(guī)定環(huán)境溫度和散熱條件下，允許通過陰極和陽極的電流平均值。常用可控硅的封裝形式有TO-92、TO-126、TO-202AB、TO-220、TO-220ABC、TO-3P、SOT-89、TO-251、TO-252、SOT-23、SOT23-3L等普通晶閘管**基本的用途就是可控整流。大家熟悉的二極管整流電路屬于不可控整流電路。如果把二極管換成晶閘管，就可以構(gòu)成可控整流電路。以**簡(jiǎn)單的單相半波可控整流電路為例，在正弦交流電壓U2的正半周期間，如果VS的控制極沒有輸入觸發(fā)脈沖Ug，VS仍然不能導(dǎo)通，只有在U...

雙向可控硅固定到散熱器的主要方法有三種，夾子壓接、螺栓固定和鉚接。前二種方法的安裝工具很容易取得。 很多場(chǎng)合下，鉚接不是一種推薦的方法。 [1]夾子壓接：是推薦的方法，熱阻**小。夾子對(duì)器件的塑封施加壓力。這同樣適用于非絕緣封裝（sot82 和sot78 ） 和絕緣封裝（ sot186 f-pack 和更新的sot186a x-pack）。注意，sot78 就是to220ab。螺栓固定：sot78 組件帶有m3 成套安裝零件，包括矩形墊圈，墊圈放在螺栓頭和接頭片之間。應(yīng)該不對(duì)器件的塑料體施加任何力量?？煽毓枋强煽毓枵髟暮?jiǎn)稱，是一種具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。寶山區(qū)優(yōu)勢(shì)可控...

意法ST公司：TW=5mA，SW=10mA，CW=35mA，BW=50mA，C=25mA，B=50mA，H=15mA，T=15mA，注意：以上觸發(fā)電流均有一個(gè)上下起始誤差范圍，產(chǎn)品PDF文件中均有詳細(xì)說明一般分為最小值/典型值/最大值，而非“=”一個(gè)參數(shù)值。雙向可控硅可被認(rèn)為是一對(duì)反并聯(lián)連接的普通可控硅的集成，工作原理與普通單向可控硅相同。雙向可控硅有兩個(gè)主電極T1和T2， 一個(gè)門極G， 門極使器件在主電極的正反兩個(gè)方向均可觸發(fā)導(dǎo)通，所以雙向可控硅在第1和第3象限有對(duì)稱的伏安特性。雙向可控硅門極加正、負(fù)觸發(fā)脈沖都能使管子觸發(fā)導(dǎo)通，因此有四種觸發(fā)方式。雙向可控硅應(yīng)用為正常使用雙向可控硅，需定量掌...

1、柵極上的噪聲電平在有電噪聲的環(huán)境中，如果柵極上的噪聲電壓超過VGT，并有足夠的柵電流激發(fā)可控硅(晶閘管)內(nèi)部的正反饋，則也會(huì)被觸發(fā)導(dǎo)通。應(yīng)用安裝時(shí)，首先要使柵極外的連線盡可能短。當(dāng)連線不能很短時(shí)，可用絞線或屏蔽線來減小干擾的侵入。在然后G與MT1之間加一個(gè)1KΩ的電阻來降低其靈敏度，也可以再并聯(lián)一個(gè)100nf的電容，來濾掉高頻噪聲。2、關(guān)于轉(zhuǎn)換電壓變化率當(dāng)驅(qū)動(dòng)一個(gè)大的電感性負(fù)載時(shí)，在負(fù)載電壓和電流間有一個(gè)很大的相移。當(dāng)負(fù)載電流過零時(shí)，雙向可控硅(晶閘管)開始換向，但由于相移的關(guān)系，電壓將不會(huì)是零。所以要求可控硅(晶閘管)要迅速關(guān)斷這個(gè)電壓。如果這時(shí)換向電壓的變化超過允許值時(shí)，就沒有足夠的時(shí)...

控 制：Controlled(取***個(gè)字母)整流器：Rectifier(取***個(gè)字母)再由這三組英文名詞的較早字母組合而成:“BCR”中文譯意:雙向可控硅。以“BCR”來命名雙向可控硅的典型廠家如日本三菱，如:BCR1AM-12、BCR8KM、BCR08AM等等。雙 向：Bi-directional(取***個(gè)字母)三 端：Triode(取***個(gè)字母)由以上兩組單詞組合成“BT”，也是對(duì)雙向可控硅產(chǎn)品的型號(hào)命名，典型的生產(chǎn)商如：意法ST公司、荷蘭飛利浦-Philips公司，均以此來命名雙向可控硅。按引腳和極性分類：可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅、三極可控硅和四極可控硅。楊浦區(qū)優(yōu)勢(shì)可...

在應(yīng)用可控硅時(shí)，只要在控制極加上很小的電流或電壓，就能控制很大的陽極電流或電壓。電流容量達(dá)幾百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。電壓測(cè)方法可控硅為什么其有“以小控大”的可控性呢？下面我們用圖表-27來簡(jiǎn)單分析可控硅的工作原理。首先，可以把從陰極向上數(shù)的***、二、三層看面是一只NPN型號(hào)晶體管，而二、三四層組成另一只PNP型晶體管。其中第二、第三層為兩管交迭共用?？刂茦O的作用是通過外加正向觸發(fā)脈沖使晶閘管導(dǎo)通，卻不能使它關(guān)斷。閔行區(qū)本地可控硅售價(jià)這種器件在電路中能夠?qū)崿F(xiàn)交流電的無觸點(diǎn)控制，以小電流控制大電流，具有無火花、動(dòng)...

意法ST公司：TW=5mA，SW=10mA，CW=35mA，BW=50mA，C=25mA，B=50mA，H=15mA，T=15mA，注意：以上觸發(fā)電流均有一個(gè)上下起始誤差范圍，產(chǎn)品PDF文件中均有詳細(xì)說明一般分為最小值/典型值/最大值，而非“=”一個(gè)參數(shù)值。雙向可控硅可被認(rèn)為是一對(duì)反并聯(lián)連接的普通可控硅的集成，工作原理與普通單向可控硅相同。雙向可控硅有兩個(gè)主電極T1和T2， 一個(gè)門極G， 門極使器件在主電極的正反兩個(gè)方向均可觸發(fā)導(dǎo)通，所以雙向可控硅在第1和第3象限有對(duì)稱的伏安特性。雙向可控硅門極加正、負(fù)觸發(fā)脈沖都能使管子觸發(fā)導(dǎo)通，因此有四種觸發(fā)方式。雙向可控硅應(yīng)用為正常使用雙向可控硅，需定量掌...

可控硅從外形上分類主要有：螺栓形、平板形和平底形。可控硅元件的結(jié)構(gòu)不管可控硅的外形如何，它們的管芯都是由P型硅和N型硅組成的四層P1N1P2N2結(jié)構(gòu)。見圖1。它有三個(gè)PN結(jié)（J1、J2、J3），從J1結(jié)構(gòu)的P1層引出陽極A，從N2層引出陰級(jí)K，從P2層引出控制極G，所以它是一種四層三端的半導(dǎo)體器件?？煽毓杞Y(jié)構(gòu)示意圖和符號(hào)圖結(jié)構(gòu)原件可控硅類型可控硅是P1N1P2N2四層三端結(jié)構(gòu)元件，共有三個(gè)PN結(jié)，分析原理時(shí)，可以把它看作由一個(gè)PNP管和一個(gè)NPN管所組成，其等效圖解如右圖所示。雙向可控硅：雙向可控硅是一種硅可控整流器件，也稱作雙向晶閘管。在規(guī)定環(huán)境溫度和散熱條件下，允許通過陰極和陽極的電流平均...

可控硅(Silicon Controlled Rectifier) 簡(jiǎn)稱SCR，是一種大功率電器元件，也稱晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)。在自動(dòng)控制系統(tǒng)中，可作為大功率驅(qū)動(dòng)器件，實(shí)現(xiàn)用小功率控件控制大功率設(shè)備。它在交直流電機(jī)調(diào)速系統(tǒng)、調(diào)功系統(tǒng)及隨動(dòng)系統(tǒng)中得到了廣泛的應(yīng)用?？煽毓璺謫蜗蚩煽毓韬碗p向可控硅兩種。雙向可控硅也叫三端雙向可控硅，簡(jiǎn)稱TRIAC。雙向可控硅在結(jié)構(gòu)上相當(dāng)于兩個(gè)單向可控硅反向連接，這種可控硅具有雙向?qū)üδ堋Ｆ渫〝酄顟B(tài)由控制極G決定。在控制極G上加正脈沖(或負(fù)脈沖)可使其正向(或反向)導(dǎo)通。這種裝置的優(yōu)點(diǎn)是控制電路簡(jiǎn)單，沒有反向耐壓?jiǎn)栴}，因此特別適合做交流無觸點(diǎn)開...

我們把這種觸發(fā)叫做“***象限的負(fù)觸發(fā)”或稱為I-觸發(fā)方式。(3)兩個(gè)主電極加上反向電壓U12(圖5c)，輸入正向觸發(fā)信號(hào)，雙向可控硅導(dǎo)通后，通態(tài)電流從T1流向T2。雙向可控硅按第三象限特性曲線工作，因此把這種觸發(fā)叫做Ⅲ+觸發(fā)方式。 (4)兩個(gè)主電極仍然加反向電壓U12，輸入的是反向觸發(fā)信號(hào)(圖5d)，雙向可控硅導(dǎo)通后，通態(tài)電流仍從T1流向T2。這種觸發(fā)就叫做Ⅲ-觸發(fā)方式。 雙向可控硅雖然有以上四種觸發(fā)方式，但由于負(fù)信號(hào)觸發(fā)所需要的觸發(fā)電壓和電流都比較小。工作比較可靠，因此在實(shí)際使用時(shí)，負(fù)觸發(fā)方式應(yīng)用較多。大家熟悉的二極管整流電路屬于不可控整流電路。楊浦區(qū)優(yōu)勢(shì)可控硅量大從優(yōu)晶閘管T在工作過程中...

4、 觸發(fā)電壓VGT 在規(guī)定的環(huán)境溫度下，陽極---陰極間加有一定電壓時(shí)，可控硅從關(guān)斷狀態(tài)轉(zhuǎn)為導(dǎo)通狀態(tài)所需要的**小控制極電流和電壓。5、 維持電流IH 在規(guī)定溫度下，控制極斷路，維持可控硅導(dǎo)通所必需的**小陽極正向電流。許多新型可控硅元件相繼問世，如適于高頻應(yīng)用的快速可控硅，可以用正或負(fù)的觸發(fā)信號(hào)控制兩個(gè)方向?qū)ǖ碾p向可控硅，可以用正觸發(fā)信號(hào)使其導(dǎo)通，用負(fù)觸發(fā)信號(hào)使其關(guān)斷的可控硅等等可控硅有多種分類方法。（一）按關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式分類：可控硅按其關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式可分為普通可控硅、雙向可控硅、逆導(dǎo)可控硅、門極關(guān)斷可控硅（GTO）、BTG可控硅、溫控可控硅和光控可控硅等多種。。按引腳和極性...

可控硅這種通過觸發(fā)信號(hào)（小的觸發(fā)電流）來控制導(dǎo)通（可控硅中通過大電流）的可控特性，正是它區(qū)別于普通硅整流二極管的重要特征。普通可控硅的三個(gè)電極可以用萬用表歐姆擋R×100擋位來測(cè)。大家知道，晶閘管G、K之間是一個(gè)PN結(jié)（a），相當(dāng)于一個(gè)二極管，G為正極、K為負(fù)極，所以，按照測(cè)試二極管的方法，找出三個(gè)極中的兩個(gè)極，測(cè)它的正、反向電阻，電阻小時(shí)，萬用表黑表筆接的是控制極G，可以用剛才演示用的示教板電路。接通電源開關(guān)S，按一下按鈕開關(guān)SB，燈泡發(fā)光就是好的，不發(fā)光就是壞的?？煽毓?Silicon Controlled Rectifier) 簡(jiǎn)稱SCR，是一種大功率電器元件，也稱晶閘管。浦東新區(qū)好的可...

⒊ 控制極觸發(fā)電流（IGT），俗稱觸發(fā)電流。常用可控硅的IGT一般為幾微安到幾十毫安。4，在規(guī)定環(huán)境溫度和散熱條件下，允許通過陰極和陽極的電流平均值。常用可控硅的封裝形式有TO-92、TO-126、TO-202AB、TO-220、TO-220ABC、TO-3P、SOT-89、TO-251、TO-252、SOT-23、SOT23-3L等普通晶閘管**基本的用途就是可控整流。大家熟悉的二極管整流電路屬于不可控整流電路。如果把二極管換成晶閘管，就可以構(gòu)成可控整流電路。以**簡(jiǎn)單的單相半波可控整流電路為例，在正弦交流電壓U2的正半周期間，如果VS的控制極沒有輸入觸發(fā)脈沖Ug，VS仍然不能導(dǎo)通，只有在U...

在性能上，可控硅不僅具有單向?qū)щ娦?，而且還具有比硅整流元件（俗稱“死硅”）更為可貴的可控性。它只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種狀態(tài)?？煽毓枘芤院涟布?jí)電流控制大功率的機(jī)電設(shè)備，如果超過此頻率，因元件開關(guān)損耗***增加，允許通過的平均電流相降低，此時(shí)，標(biāo)稱電流應(yīng)降級(jí)使用?？煽毓璧膬?yōu)點(diǎn)很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍數(shù)高達(dá)幾十萬倍；反應(yīng)極快，在微秒級(jí)內(nèi)開通、關(guān)斷；無觸點(diǎn)運(yùn)行，無火花、無噪音；效率高，成本低等等。可控硅的弱點(diǎn)：靜態(tài)及動(dòng)態(tài)的過載能力較差；容易受干擾而誤導(dǎo)通。鑒別可控硅三個(gè)極的方法很簡(jiǎn)單，根據(jù)P-N結(jié)的原理，只要用萬用表測(cè)量一下三個(gè)極之間的電阻值就可以。徐匯區(qū)優(yōu)勢(shì)可控硅貨源充足可控硅有多種分類...

為了克服上述問題，可以在端子MT1和MT2之間加一個(gè)RC網(wǎng)絡(luò)來限制電壓的變化，以防止誤觸發(fā)。一般，電阻取100R，電容取100nF。值得注意的是此電阻不能省掉。3、關(guān)于轉(zhuǎn)換電流變化率當(dāng)負(fù)載電流增大，電源頻率的增高或電源為非正弦波時(shí)，會(huì)使轉(zhuǎn)換電流變化率變高，這種情況**易在感性負(fù)載的情況下發(fā)生，很容易導(dǎo)致器件的損壞。此時(shí)可以在負(fù)載回路中串聯(lián)一只幾毫亨的空氣電感。4、關(guān)于可控硅(晶閘管)開路電壓變化率DVD/DT在處于截止?fàn)顟B(tài)的雙向可控硅(晶閘管)兩端加一個(gè)小于它的VDFM的高速變化的電壓時(shí)，內(nèi)部電容的電流會(huì)產(chǎn)生足夠的柵電流來使可控硅(晶閘管)導(dǎo)通。如果把二極管換成晶閘管，就可以構(gòu)成可控整流電路。...

從晶閘管的內(nèi)部分析工作過程：晶閘管是四層三端器件，它有J1、J2、J3三個(gè)PN結(jié)，可以把它中間的NP分成兩部分，構(gòu)成一個(gè)PNP型三極管和一個(gè)NPN型三極管的復(fù)合管.當(dāng)晶閘管承受正向陽極電壓時(shí)，為使晶閘管導(dǎo)通，必須使承受反向電壓的PN結(jié)J2失去阻擋作用。中每個(gè)晶體管的集電極電流同時(shí)就是另一個(gè)晶體管的基極電流。因此，兩個(gè)互相復(fù)合的晶體管電路，當(dāng)有足夠的門極電流Ig流入時(shí)，就會(huì)形成強(qiáng)烈的正反饋，造成兩晶體管飽和導(dǎo)通，晶體管飽和導(dǎo)通。可控硅從外形上分類主要有：螺栓形、平板形和平底形。奉賢區(qū)推廣可控硅現(xiàn)價(jià)當(dāng)在陽極和陰極之間加上一個(gè)正向電壓Ea，又在控制極G和陰極C之間（相當(dāng)BG1的基一射間）輸入一個(gè)正的...

若測(cè)得元件陰陽極正反向已短路，或陽極與控制極短路，或控制極與陰極反向短路，或控制極與陰極斷路，說明元件已損壞?？煽毓枋强煽毓枵髟暮?jiǎn)稱，是一種具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。實(shí)際上，可控硅的功用不僅是整流，它還可以用作無觸點(diǎn)開關(guān)以快速接通或切斷電路，實(shí)現(xiàn)將直流電變成交流電的逆變，將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電，等等?？煽毓韬推渌雽?dǎo)體器件一樣，其有體積小、效率高、穩(wěn)定性好、工作可靠等優(yōu)點(diǎn)。它的出現(xiàn)，使半導(dǎo)體技術(shù)從弱電領(lǐng)域進(jìn)入了強(qiáng)電領(lǐng)域，成為工業(yè)、農(nóng)業(yè)、交通運(yùn)輸、***科研以至商業(yè)、民用電器等方面爭(zhēng)相采用的元件。大功率可控硅多采用金屬殼封裝，而中、小功率可控硅則多采用塑...

這在高溫下尤為嚴(yán)重，在這種情況下可以在MT1和MT2間加一個(gè)RC緩沖電路來限制VD/DT，或可采用高速可控硅(晶閘管)。5、關(guān)于連續(xù)峰值開路電壓VDRM在電源不正常的情況下，可控硅(晶閘管)兩端的電壓會(huì)超過連續(xù)峰值開路電壓VDRM的最大值，此時(shí)可控硅(晶閘管)的漏電流增大并擊穿導(dǎo)通。如果負(fù)載能允許很大的浪涌電流，那么硅片上局部的電流密度就很高，使這一小部分先導(dǎo)通。導(dǎo)致芯片燒毀或損壞。另外白熾燈，容性負(fù)載或短路保護(hù)電路會(huì)產(chǎn)生較高的浪涌電流，這時(shí)可外加濾波器和鉗位電路來防止尖峰（毛刺）電壓加到雙向可控硅(晶閘管)上 [2]。按電流容量分類：可控硅按電流容量可分為大功率可控硅可控硅和小功率可控硅三種...

額定速態(tài)平均屯成系列共分為14個(gè)，如表1一5所示。正反向重復(fù)蜂值屯壓級(jí)別規(guī)定1000V以下的管子每100V為一級(jí)，1000V以上的管子每200V為一級(jí)。取電壓教除以100做為級(jí)別標(biāo)志，如表1-6所示。通態(tài)平均電壓組別依電壓大小分為9組，用宇毋表示，如表1一所示。例如.KP500-12D表示的是通態(tài)平均電流為500A,額定(正反向重復(fù)峰值)電壓為1200V，管壓降(通態(tài)平均電壓)為0.6---0.7V的普通型可控硅綜上所述，小結(jié)如下:(1)可控硅一般做成螺栓形和平板形，有三個(gè)電極，用硅半導(dǎo)體材料制成的管芯由雙向可控硅也叫三端雙向可控硅，簡(jiǎn)稱TRIAC。閔行區(qū)本地可控硅現(xiàn)價(jià)（二）按引腳和極性分類：...

在性能上，可控硅不僅具有單向?qū)щ娦?，而且還具有比硅整流元件（俗稱"死硅")更為可貴的可控性。它只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種狀態(tài)?？煽毓枘芤院涟布?jí)電流控制大功率的機(jī)電設(shè)備，如果超過此功率，因元件開關(guān)損耗***增加，允許通過的平均電流相降低，此時(shí)，標(biāo)稱電流應(yīng)降級(jí)使用?？煽毓璧膬?yōu)點(diǎn)很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍數(shù)高達(dá)幾十萬倍；反應(yīng)極快，在微秒級(jí)內(nèi)開通、關(guān)斷；無觸點(diǎn)運(yùn)行，無火花、無噪音；效率高，成本低等等。可控硅的弱點(diǎn)：靜態(tài)及動(dòng)態(tài)的過載能力較差；容易受干擾而誤導(dǎo)通。它在交直流電機(jī)調(diào)速系統(tǒng)、調(diào)功系統(tǒng)及隨動(dòng)系統(tǒng)中得到了廣泛的應(yīng)用。青浦區(qū)本地可控硅服務(wù)熱線這在高溫下尤為嚴(yán)重，在這種情況下可以在MT1和MT...

在應(yīng)用可控硅時(shí)，只要在控制極加上很小的電流或電壓，就能控制很大的陽極電流或電壓。電流容量達(dá)幾百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。電壓測(cè)方法可控硅為什么其有“以小控大”的可控性呢？下面我們用圖表-27來簡(jiǎn)單分析可控硅的工作原理。首先，可以把從陰極向上數(shù)的***、二、三層看面是一只NPN型號(hào)晶體管，而二、三四層組成另一只PNP型晶體管。其中第二、第三層為兩管交迭共用。它具有體積小、效率高、壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)。黃浦區(qū)制造可控硅量大從優(yōu)PNPN四層組成(2)可控硅由關(guān)斷轉(zhuǎn)為導(dǎo)通必須同時(shí)具備兩個(gè)條件:(1〕受正向陽極電壓;(2)受正向門極...

晶閘管T在工作過程中，它的陽極A和陰極K與電源和負(fù)載連接，組成晶閘管的主電路，晶閘管的門極G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接，組成晶閘管的控制電路雙向晶閘管的結(jié)構(gòu)與符號(hào)。它屬于NPNP四層器件，三個(gè)電極分別是T1、T2、G。因該器件可以雙向?qū)?，故除門極G以外的兩個(gè)電極統(tǒng)稱為主端子，用T1、T2。表示，不再劃分成陽極或陰極。其特點(diǎn)是，當(dāng)G極和T2極相對(duì)于T1，的電壓均為正時(shí)，T2是陽極，T1是陰極。反之，當(dāng)G極和T2極相對(duì)于T1的電壓均為負(fù)時(shí)，T1變成陽極，T2為陰極。雙向晶閘管的伏安特性，由于正、反向特性曲線具有對(duì)稱性，所以它可在任何一個(gè)方向?qū)??？煽毓鑿耐庑紊戏诸愔饕校郝菟ㄐ?、平板形和平?..

在性能上，可控硅不僅具有單向?qū)щ娦?，而且還具有比硅整流元件（俗稱“死硅”）更為可貴的可控性。它只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種狀態(tài)。可控硅能以毫安級(jí)電流控制大功率的機(jī)電設(shè)備，如果超過此頻率，因元件開關(guān)損耗***增加，允許通過的平均電流相降低，此時(shí)，標(biāo)稱電流應(yīng)降級(jí)使用?？煽毓璧膬?yōu)點(diǎn)很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍數(shù)高達(dá)幾十萬倍；反應(yīng)極快，在微秒級(jí)內(nèi)開通、關(guān)斷；無觸點(diǎn)運(yùn)行，無火花、無噪音；效率高，成本低等等?？煽毓璧娜觞c(diǎn)：靜態(tài)及動(dòng)態(tài)的過載能力較差；容易受干擾而誤導(dǎo)通。額定通態(tài)平均電流IT 在一定條件下，陽極---陰極間可以連續(xù)通過的50赫茲正弦半波電流的平均值。奉賢區(qū)推廣可控硅哪家好安裝過程中，螺絲刀...

可控硅有多種分類方法。（一）按關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式分類：可控硅按其關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式可分為普通可控硅、雙向可控硅、逆導(dǎo)可控硅、門極關(guān)斷可控硅（GTO）、BTG可控硅、溫控可控硅和光控可控硅等多種。TY300/TY301可控硅調(diào)壓?jiǎn)卧ǘ┌匆_和極性分類：可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅、三極可控硅和四極可控硅。（三）按封裝形式分類：可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類型。其中，金屬封裝可控硅又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種；塑封可控硅又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。（四）按電流容量分類：可控硅按電流容量可分為大功率可控硅、**率可控硅和小功率可...

額定速態(tài)平均屯成系列共分為14個(gè)，如表1一5所示。正反向重復(fù)蜂值屯壓級(jí)別規(guī)定1000V以下的管子每100V為一級(jí)，1000V以上的管子每200V為一級(jí)。取電壓教除以100做為級(jí)別標(biāo)志，如表1-6所示。通態(tài)平均電壓組別依電壓大小分為9組，用宇毋表示，如表1一所示。例如.KP500-12D表示的是通態(tài)平均電流為500A,額定(正反向重復(fù)峰值)電壓為1200V，管壓降(通態(tài)平均電壓)為0.6---0.7V的普通型可控硅綜上所述，小結(jié)如下:(1)可控硅一般做成螺栓形和平板形，有三個(gè)電極，用硅半導(dǎo)體材料制成的管芯由可控硅從外形上分類主要有：螺栓形、平板形和平底形。崇明區(qū)質(zhì)量可控硅生產(chǎn)企業(yè)晶閘管特性單向晶...

可控硅是可控硅整流元件的簡(jiǎn)稱,是一種具有三個(gè)PN 結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件,一般由兩晶閘管反向連接而成.它的功用不僅是整流，還可以用作無觸點(diǎn)開關(guān)以快速接通或切斷電路，實(shí)現(xiàn)將直流電變成交流電的逆變，將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電等等?？煽毓韬推渌雽?dǎo)體器件一樣，具有體積小、效率高、穩(wěn)定性好、工作可靠等優(yōu)點(diǎn)。它的出現(xiàn)，使半導(dǎo)體技術(shù)從弱電領(lǐng)域進(jìn)入了強(qiáng)電領(lǐng)域，成為工業(yè)、農(nóng)業(yè)、交通運(yùn)輸、***科研以至商業(yè)、民用電器等方面爭(zhēng)相采用的元件。按引腳和極性分類：可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅、三極可控硅和四極可控硅。閔行區(qū)制造可控硅現(xiàn)價(jià)4、 觸發(fā)電壓VGT 在規(guī)定的環(huán)境溫度下，陽極---陰...

安裝過程中，螺絲刀決不能對(duì)器件塑料體施加任何力量；和接頭片接觸的散熱器表面應(yīng)處理，保證平坦，10mm上允許偏差0.02mm；安裝力矩（帶墊圈）應(yīng)在0.55nm 和0.8nm 之間；應(yīng)避免使用自攻絲螺釘，因?yàn)閿D壓可能導(dǎo)致安裝孔周圍的隆起，影響器件和散熱器之間的熱接觸。安裝力矩?zé)o法控制，也是這種安裝方法的缺點(diǎn)；器件應(yīng)首先機(jī)械固定，然后焊接引線。這可減少引線的不適當(dāng)應(yīng)力。IT(AV)--通態(tài)平均電流VRRM--反向反復(fù)峰值電壓IDRM--斷態(tài)重復(fù)峰值電流ITSM--通態(tài)一個(gè)周波不反復(fù)浪涌電流VTM--通態(tài)峰值電壓過零觸發(fā)-一般是調(diào)功，即當(dāng)正弦交流電交流電電壓相位過零點(diǎn)觸發(fā)，必須是過零點(diǎn)才觸發(fā)，導(dǎo)通可...

1、柵極上的噪聲電平在有電噪聲的環(huán)境中，如果柵極上的噪聲電壓超過VGT，并有足夠的柵電流激發(fā)可控硅(晶閘管)內(nèi)部的正反饋，則也會(huì)被觸發(fā)導(dǎo)通。應(yīng)用安裝時(shí)，首先要使柵極外的連線盡可能短。當(dāng)連線不能很短時(shí)，可用絞線或屏蔽線來減小干擾的侵入。在然后G與MT1之間加一個(gè)1KΩ的電阻來降低其靈敏度，也可以再并聯(lián)一個(gè)100nf的電容，來濾掉高頻噪聲。2、關(guān)于轉(zhuǎn)換電壓變化率當(dāng)驅(qū)動(dòng)一個(gè)大的電感性負(fù)載時(shí)，在負(fù)載電壓和電流間有一個(gè)很大的相移。當(dāng)負(fù)載電流過零時(shí)，雙向可控硅(晶閘管)開始換向，但由于相移的關(guān)系，電壓將不會(huì)是零。所以要求可控硅(晶閘管)要迅速關(guān)斷這個(gè)電壓。如果這時(shí)換向電壓的變化超過允許值時(shí)，就沒有足夠的時(shí)...

晶閘管T在工作過程中，它的陽極A和陰極K與電源和負(fù)載連接，組成晶閘管的主電路，晶閘管的門極G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接，組成晶閘管的控制電路雙向晶閘管的結(jié)構(gòu)與符號(hào)。它屬于NPNP四層器件，三個(gè)電極分別是T1、T2、G。因該器件可以雙向?qū)?，故除門極G以外的兩個(gè)電極統(tǒng)稱為主端子，用T1、T2。表示，不再劃分成陽極或陰極。其特點(diǎn)是，當(dāng)G極和T2極相對(duì)于T1，的電壓均為正時(shí)，T2是陽極，T1是陰極。反之，當(dāng)G極和T2極相對(duì)于T1的電壓均為負(fù)時(shí)，T1變成陽極，T2為陰極。雙向晶閘管的伏安特性，由于正、反向特性曲線具有對(duì)稱性，所以它可在任何一個(gè)方向?qū)?。維持電流IH 在規(guī)定溫度下，控制極斷路，維持可...