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不同品牌的IGBT模塊可能有各自的特定要求，可在其參數(shù)手冊的推薦值附近調試。2、柵極電阻功率的確定柵極電阻的功率由IGBT柵極驅動的功率決定，一般來說柵極電阻的總功率應至少是柵極驅動功率的2倍。IGBT柵極驅動功率 P=FUQ，其中：F 為工作頻率；U 為驅動...

普通晶閘管是一種半可控大功率半導體器件，出現(xiàn)于70年代。pnpn四層半導體結構，有三個極：陽極、陰極和門極。 晶閘管具有硅整流器件的特性，能在高電壓、大電流條件下工作，它的出現(xiàn)使半導體器件由弱電領域擴展到強電領域。普通晶閘管t在工作過程中，它的陽極a和陰極k與...

（4）過載能力強：產品具有較強的過負載能力和過電壓能力，可在額定負載情況下長期安全運行，可在110%過電壓情況下滿負載長期安全運行（環(huán)境溫度40℃）；變壓器與電機相聯(lián)的端子上能承受1.5倍額定電流，歷時5S。產品設計、制造充分考慮負載特性，從溫升、絕緣性能及附...

二者比較單向可控硅和雙向可控硅，都是三個電極。單向可控硅有陰極（K）、陽極（A）、控制極（G）。雙向可控硅等效于兩只單項可控硅反向并聯(lián)而成。即其中一只單向硅陽極與另一只陰極相關連，其引出端稱T1極，其中一只單向硅陰極與另一只陽極相連，其引出端稱T2極，剩下則為...

保護裝置整流變壓器微機保護裝置是由高集成度、總線不出芯片單片機、高精度電流電壓互感器、高絕緣強度出口中間繼電器、高可靠開關電源模塊等部件組成。是用于測量、控制、保護、通訊為一體化的一種經(jīng)濟型保護。整流變壓器微機保護裝置的優(yōu)點1、可以滿足庫存配制有二十幾種保護，...

當晶閘管全部導通時，靜態(tài)閂鎖出現(xiàn)。只在關斷時才會出現(xiàn)動態(tài)閂鎖。這一特殊現(xiàn)象嚴重地限制了安全操作區(qū)。為防止寄生NPN和PNP晶體管的有害現(xiàn)象，有必要采取以下措施：一是防止NPN部分接通，分別改變布局和摻雜級別。二是降低NPN和PNP晶體管的總電流增益。此外，閂鎖...

三相整流橋是將數(shù)個整流管封在一個殼內，從而構成的一個完整整流電路。當功率進一步增加或由于其他原因要求多相整流時三相整流電路就被提了出來。三相整流橋分為三相整流全橋和三相整流半橋兩種。選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。對輸出電壓要求高的整流電路需要裝電容器，對...

2010年，中國科學院微電子研究所成功研制國內***可產業(yè)化IGBT芯片，由中國科學院微電子研究所設計研發(fā)的15-43A /1200V IGBT系列產品（采用Planar NPT器件結構）在華潤微電子工藝平臺上流片成功，各項參數(shù)均達到設計要求，部分性能優(yōu)于國外...

90年代中期，溝槽柵結構又返回到一種新概念的IGBT，它是采用從大規(guī)模集成(LSI)工藝借鑒來的硅干法刻蝕技術實現(xiàn)的新刻蝕工藝，但仍然是穿通(PT)型芯片結構。[4]在這種溝槽結構中，實現(xiàn)了在通態(tài)電壓和關斷時間之間折衷的更重要的改進。硅芯片的重直結構也得到了急...

IGBT功率模塊采用IC驅動，各種驅動保護電路，高性能IGBT芯片，新型封裝技術，從復合功率模塊PIM發(fā)展到智能功率模塊IPM、電力電子積木PEBB、電力模塊IPEM。PIM向高壓大電流發(fā)展，其產品水平為1200—1800A/1800—3300V，IPM除用于...

雙向可控硅可被認為是一對反并聯(lián)連接的普通可控硅的集成，工作原理與普通單向可控硅相同。雙向可控硅有兩個主電極T1和T2， 一個門極G， 門極使器件在主電極的正反兩個方向均可觸發(fā)導通，所以雙向可控硅在第1和第3象限有對稱的伏安特性。雙向可控硅門極加正、負觸發(fā)脈沖都...

目前只能通過IGBT高壓串聯(lián)等技術來實現(xiàn)高壓應用。國外的一些廠家如瑞士ABB公司采用軟穿通原則研制出了8KV的IGBT器件，德國的EUPEC生產的6500V/600A高壓大功率IGBT器件已經(jīng)獲得實際應用，日本東芝也已涉足該領域。與此同時，各大半導體生產廠商不...

但是，它除了其中一個電極G仍叫做控制極外，另外兩個電極通常卻不再叫做陽極和陰極，而統(tǒng)稱為主電極Tl和T2。它的符號也和普通可控硅不同，是把兩個可控硅反接在一起畫成的，如圖2所示。它的型號，在我國一般用“3CTS”或“KS”表示；國外的資料也有用“TRIAC”來...

變壓器生產的ZSS、ZS系列整流變壓器用作整流裝置的電源變壓器，其作用是向整流器提供交流電源，整流器再將交流電變換為直流電，從而進行直流供電。主要應用于冶金、化工、機車牽引與傳動等行業(yè)。產品節(jié)能、低損耗、低噪聲、抗沖擊和抗短路能力強。過載能力強、結構緊湊、體積...

一、電化學工業(yè)這是應用整流變**多的行業(yè)，電解有色金屬化合物以制取鋁、鎂、銅及其它金屬；電解食鹽以制取氯堿；電解水以制取氫和氧。二、牽引用直流電源用于礦山或城市電力機車的直流電網(wǎng)。由于閥側接架空線，短路故障較多，直流負載變化輻度大，電機車經(jīng)常起動，造成不同程度...

(3) 在跨越檔相鄰兩側桿塔上的放線滑車均應采取接地保護措施。在跨越施工前，所有接地裝置必須安裝完畢且與鐵塔可靠連接。(4) 跨越不停電線路架線施工應在良好天氣下進行，遇雷電、雨、雪、霜、霧，相對濕度大于85%或5級以上大風時，應停止作業(yè)。如施工中遇到上述情況...

由于整流變繞組電流是非正弦的含有很多高次諧波，為了減小對電網(wǎng)的諧波污染，為了提高功率因數(shù)，必須提高整流設備的脈波數(shù)，這可以通過移相的方法來解決。移相的目的是使整流變壓器二次繞組的同名端線電壓之間有一個相位移。整流變壓器***用于各類行業(yè)之中，主要分為照明、機床...

觸發(fā)電壓范圍一般為 1.5V-3V 左右，觸發(fā)電流為 10mA-幾百 mA 左右。峰值觸發(fā) 電壓不宜超過10V，峰值觸發(fā)電流也不宜超過 2A。A、K 間導通壓降為 1-2V [1]。雙向可控硅單向可控硅的工作原理圖雙向可控硅具有兩個方向輪流導通、關斷的特性。雙...

門極電荷 QG ≈ QG(on) + ΔUGE · Cies · 4.5 = QG(on) + [ 0 - VG(off) ] · Cies · 4.5-- 適用于Cies 的測試條件為 VCE = 25 V, VGE = 0 V, f= 1 MHz 的IGB...

一、電化學工業(yè)這是應用整流變**多的行業(yè)，電解有色金屬化合物以制取鋁、鎂、銅及其它金屬；電解食鹽以制取氯堿；電解水以制取氫和氧。二、牽引用直流電源用于礦山或城市電力機車的直流電網(wǎng)。由于閥側接架空線，短路故障較多，直流負載變化輻度大，電機車經(jīng)常起動，造成不同程度...

右圖給出三相橋式不控整流電路示意圖，變壓器一次側繞組為三角形連接，二次側繞組為星形連接。六個整流二極管按其導通順序排列，VD1、VD3、VD5三個二極管構成共陰極三相半波整流，VD2、VD4、VD6三個二極管構成共陽極三相半波整流，電感L和電阻R串聯(lián)成阻感負載...

此外，在冶金、石油化工、新能源等行業(yè)，晶閘管模塊同樣發(fā)揮著重要作用。在冶金過程中，晶閘管模塊作為電力調整器的主要組成部分，能夠精確控制電能，提高冶煉過程的自動化水平和能源利用效率。在石油化工行業(yè)中，晶閘管模塊被用于加熱爐、裂解爐等電熱設備的溫度控制系統(tǒng)中，實現(xiàn)...

門極輸入電容Cies 由CGE 和CGC 來表示，它是計算IGBT 驅動器電路所需輸出功率的關鍵參數(shù)。該電容幾乎不受溫度影響，但與IGBT集電極-發(fā)射極電壓VCE 的電壓有密切聯(lián)系。在IGBT數(shù)據(jù)手冊中給出的電容Cies 的值，在實際電路應用中不是一個特別有用...

BG2又把比Ib2（Ib1）放大了β2的集電極電流IC2送回BG1的基極放大。如此循環(huán)放大，直到BG1、BG2完全導通。實際這一過程是“一觸即發(fā)”的過程，對可控硅來說，觸發(fā)信號加入控制極，可控硅立即導通。導通的時間主要決定于可控硅的性能?？煽毓枰唤?jīng)觸發(fā)導通后，...

常用的不控整流電路有四種。三相半波電路（圖2a）指在電源一個周期內有三個二極管輪流導電，就可得到三脈波整流電壓。該電路優(yōu)點是接線簡單，但變壓器次級繞組的導電角*120°，因此繞組的利用率較低，而且電流是單方向的，它的直流分量形成直流安匝的磁通勢并產生較大的漏磁...

“雙向可控硅”：是在普通可控硅的基礎上發(fā)展而成的，它不僅能代替兩只反極性并聯(lián)的可控硅，而且*需一個觸發(fā)電路，是比較理想的交流開關器件。其英文名稱TRIAC即三端雙向交流開關之意。雙向可控硅為什么稱為“TRIAC”?三端：TRIode(取**個字母)交流半導體開...

2．變壓器設計的基本問題是什么？變壓器設計的基本問題是磁通和電流密度。變壓器的電流與容量成正比，電流密度的大小（即導線的粗細）按照導體的發(fā)熱量來考慮。對于磁通，電磁學的基本關系式為u=4.44fwΦ，其中u為電壓；f為頻率，在這里為50Hz，定值；w為線圈的匝...

用R×1k或R×10k擋測陽極和控制極之間的電阻，正反向測量阻值均應幾百千歐以上。用R×1k或R×100擋，測控制極和陰極之間的PN結的正反向電阻在幾千歐左右，如出現(xiàn)正向阻值接近于零值或為無窮大，表明控制極和陰極之間的PN結已經(jīng)損壞。反向阻值應很大，但不能為無...

四種觸發(fā)方式可控硅四種觸發(fā)方式可控硅四種觸發(fā)方式由于在雙向可控硅的主電極上，無論加以正向電壓或是反向電壓，也不管觸發(fā)信號是正向還是反向，它都能被觸發(fā)導通，因此它有以下四種觸發(fā)方式：(1)當主電極T2對Tl所加的電壓為正向電壓，控制極G對***電極Tl所加的也是...

2、性能的差別：將旋鈕撥至R×1擋，對于1~6A單向可控硅，紅筆接K極，黑筆同時接通G、A極，在保持黑筆不脫離A極狀態(tài)下斷開G極，指針應指示幾十歐至一百歐，此時可控硅已被觸發(fā)，且觸發(fā)電壓低（或觸發(fā)電流?。?。然后瞬時斷開A極再接通，指針應退回∞位置，則表明可控硅...