香蕉久久久久久久av网站,亚洲一区二区观看播放,japan高清日本乱xxxxx,亚洲一区二区三区av

2.主要的輸出選項(xiàng)是CMOS(互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體)、LVDS(低壓差分信令)，以及CML(電流模式邏輯) [2]。3.要考慮的問題包括：功耗、瞬變、數(shù)據(jù)與時(shí)鐘的變形，以及對(duì)噪聲的抑制能力 [2]。4.對(duì)于布局的考慮也是轉(zhuǎn)換輸出選擇中的一個(gè)方面，尤其當(dāng)采用LV...

當(dāng)D1單獨(dú)作用時(shí)，T型電阻網(wǎng)絡(luò)如圖9-5中的圖(a)所示，其d點(diǎn)左下電路的戴維寧等效如圖9-5中的圖(b)所示。同理，D2單獨(dú)作用時(shí)d點(diǎn)左下電路的戴維寧等效電源如圖9-5中的圖(c)所示；D3單獨(dú)作用時(shí)d點(diǎn)左下電路的戴維南等效電源如圖9-5中的圖(d)所示。故...

轉(zhuǎn)換精度1、分辨率A/D轉(zhuǎn)換器的分辨率以輸出二進(jìn)制（或十進(jìn)制）數(shù)的位數(shù)來表示。它說明A/D轉(zhuǎn)換器對(duì)輸入信號(hào)的分辨能力。從理論上講，n位輸出的A/D轉(zhuǎn)換器能區(qū)分2n個(gè)不同等級(jí)的輸入模擬電壓，能區(qū)分輸入電壓的**小值為滿量程輸入的1/2n。在比較大輸入電壓一定時(shí)，...

1998年，華晶與上華合作生產(chǎn)MOS 圓片合約簽定，開始了中國大陸的Foundry時(shí)代；由北京有色金屬研究總院半導(dǎo)體材料國家工程研究中心承擔(dān)的我國***條8英寸硅單晶拋光生產(chǎn)線建成投產(chǎn)。1999年，上海華虹NEC的***條8英寸生產(chǎn)線正式建成投產(chǎn)。 [5]20...

3、按器件與電路板互連方式:引腳插入型(PTH)和表面貼裝型(SMT)4、按引腳分布形態(tài):單邊引腳、雙邊引腳、四邊引腳和底部引腳；SMT器件有L型、J型、I型的金屬引腳。SIP :單列式封裝 SQP:小型化封裝 MCP:金屬罐式封裝 DIP:雙列式封裝 CSP...

1998年，華晶與上華合作生產(chǎn)MOS 圓片合約簽定，開始了中國大陸的Foundry時(shí)代；由北京有色金屬研究總院半導(dǎo)體材料國家工程研究中心承擔(dān)的我國***條8英寸硅單晶拋光生產(chǎn)線建成投產(chǎn)。1999年，上海華虹NEC的***條8英寸生產(chǎn)線正式建成投產(chǎn)。 [5]20...

2.主要的輸出選項(xiàng)是CMOS(互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體)、LVDS(低壓差分信令)，以及CML(電流模式邏輯) [2]。3.要考慮的問題包括：功耗、瞬變、數(shù)據(jù)與時(shí)鐘的變形，以及對(duì)噪聲的抑制能力 [2]。4.對(duì)于布局的考慮也是轉(zhuǎn)換輸出選擇中的一個(gè)方面，尤其當(dāng)采用LV...

2006年，設(shè)立“國家重大科技專項(xiàng)”；無錫海力士意法半導(dǎo)體正式投產(chǎn)。2008年，中星微電子手機(jī)多媒體芯片全球銷量突破1億枚。2009年，國家“核高基”重大專項(xiàng)進(jìn)入申報(bào)與實(shí)施階段。2011年，《關(guān)于印發(fā)進(jìn)一步鼓勵(lì)軟件產(chǎn)業(yè)和繼承電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展若干政策的通知》。 [5...

IC芯片(Integrated Circuit Chip)是將大量的微電子元器件（晶體管、電阻、電容等）形成的集成電路放在一塊塑基上，做成一塊芯片。IC芯片包含晶圓芯片和封裝芯片，相應(yīng) IC 芯片生產(chǎn)線由晶圓生產(chǎn)線和封裝生產(chǎn)線兩部分組成。集成電路（integr...

該過程使用了對(duì)紫外光敏感的化學(xué)物質(zhì)，即遇紫外光則變軟。通過控制遮光物的位置可以得到芯片的外形。在硅晶片涂上光致抗蝕劑，使得其遇紫外光就會(huì)溶解。這時(shí)可以用上***份遮光物，使得紫外光直射的部分被溶解，這溶解部分接著可用溶劑將其沖走。這樣剩下的部分就與遮光物的形狀...

模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器即A/D轉(zhuǎn)換器，或簡稱ADC，通常是指一個(gè)將模擬信號(hào)轉(zhuǎn)變?yōu)閿?shù)字信號(hào)的電子元件。通常的模數(shù)轉(zhuǎn)換器是將一個(gè)輸入電壓信號(hào)轉(zhuǎn)換為一個(gè)輸出的數(shù)字信號(hào)。由于數(shù)字信號(hào)本身不具有實(shí)際意義，**表示一個(gè)相對(duì)大小。故任何一個(gè)模數(shù)轉(zhuǎn)換器都需要一個(gè)參考模擬量作為轉(zhuǎn)換的標(biāo)...

一些早期的轉(zhuǎn)換器的響應(yīng)類型呈對(duì)數(shù)關(guān)系，由此來執(zhí)行A-law算法或μ-law算法編碼。誤差模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器的誤差有若干種來源。量化錯(cuò)誤和非線性誤差（假設(shè)這個(gè)模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器標(biāo)稱具有線性特征）是任何模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換中都存在的內(nèi)在誤差。也有一種被稱作孔徑錯(cuò)誤（apertur...

C=0℃至60℃（商業(yè)級(jí)）；I=-20℃至85℃（工業(yè)級(jí)）；E=-40℃至85℃（擴(kuò)展工業(yè)級(jí)）；A=-40℃至82℃（航空級(jí)）；M=-55℃至125℃（**級(jí)）封裝類型：A—SSOP；B—CERQUAD；C-TO-200，TQFP﹔D—陶瓷銅頂；E—QSOP；...

更為少見的電感結(jié)構(gòu)，可以制作芯片載電感或由回旋器模擬。因?yàn)镃MOS設(shè)備只引導(dǎo)電流在邏輯門之間轉(zhuǎn)換，CMOS設(shè)備比雙極型組件（如雙極性晶體管）消耗的電流少很多。透過電路的設(shè)計(jì)，將多顆的晶體管管畫在硅晶圓上，就可以畫出不同作用的集成電路。隨機(jī)存取存儲(chǔ)器是**常見類...

輸入時(shí)其輸出值與理想輸出值(滿量程)之間的偏差表示，一般也用LSB的份數(shù)或用偏差值相對(duì)滿量程的百分?jǐn)?shù)來表示。非線性誤差D/A轉(zhuǎn)換器的非線性誤差定義為實(shí)際轉(zhuǎn)換特性曲線與理想特性曲線之間的比較大偏差，并以該偏差相對(duì)于滿量程的百分?jǐn)?shù)度量。在轉(zhuǎn)換器電路設(shè)計(jì)中，一般要求...

工作溫度范圍一般情況下，影響D/A轉(zhuǎn)換精度的主要環(huán)境和工作條件因素是溫度和電源電壓變化。由于工作溫度會(huì)對(duì)運(yùn)算放大器加權(quán)電阻網(wǎng)絡(luò)等產(chǎn)生影響，所以只有在一定的工作范圍內(nèi)才能保證額定精度指標(biāo)。較好的D/A轉(zhuǎn)換器的工作溫度范圍在-40℃～85℃之間，較差的D/A轉(zhuǎn)換器...

該過程使用了對(duì)紫外光敏感的化學(xué)物質(zhì)，即遇紫外光則變軟。通過控制遮光物的位置可以得到芯片的外形。在硅晶片涂上光致抗蝕劑，使得其遇紫外光就會(huì)溶解。這時(shí)可以用上***份遮光物，使得紫外光直射的部分被溶解，這溶解部分接著可用溶劑將其沖走。這樣剩下的部分就與遮光物的形狀...

晶圓光刻顯影、蝕刻光刻工藝的基本流程如圖1 [2]所示。首先是在晶圓（或襯底）表面涂上一層光刻膠并烘干。烘干后的晶圓被傳送到光刻機(jī)里面。光線透過一個(gè)掩模把掩模上的圖形投影在晶圓表面的光刻膠上，實(shí)現(xiàn)曝光，激發(fā)光化學(xué)反應(yīng)。對(duì)曝光后的晶圓進(jìn)行第二次烘烤，即所謂的曝光...

線性誤差線性誤差用來描述當(dāng)數(shù)字量變化時(shí)，D/A轉(zhuǎn)換輸出的電模擬量按比例關(guān)系變化的程度。 模擬量輸出偏離理想輸出的最大值稱為線性誤差。溫度系數(shù)溫度系數(shù)是指在規(guī)定的范圍內(nèi)，溫度每變化1℃增益、線性度、零點(diǎn)及偏移等參數(shù)的變化量。溫度系數(shù)直接影響轉(zhuǎn)換精度。 [1]集成...

模擬集成電路有，例如傳感器、電源控制電路和運(yùn)放，處理模擬信號(hào)。完成放大、濾波、解調(diào)、混頻的功能等。通過使用**所設(shè)計(jì)、具有良好特性的模擬集成電路，減輕了電路設(shè)計(jì)師的重?fù)?dān)，不需凡事再由基礎(chǔ)的一個(gè)個(gè)晶體管處設(shè)計(jì)起。集成電路可以把模擬和數(shù)字電路集成在一個(gè)單芯片上，以...

半導(dǎo)體集成電路工藝，包括以下步驟，并重復(fù)使用：光刻刻蝕薄膜（化學(xué)氣相沉積或物***相沉積）摻雜（熱擴(kuò)散或離子注入）化學(xué)機(jī)械平坦化CMP使用單晶硅晶圓（或III-V族，如砷化鎵）用作基層，然后使用光刻、摻雜、CMP等技術(shù)制成MOSFET或BJT等組件，再利用薄膜...

IC芯片(Integrated Circuit Chip)是將大量的微電子元器件（晶體管、電阻、電容等）形成的集成電路放在一塊塑基上，做成一塊芯片。IC芯片包含晶圓芯片和封裝芯片，相應(yīng) IC 芯片生產(chǎn)線由晶圓生產(chǎn)線和封裝生產(chǎn)線兩部分組成。集成電路（integr...

3、按器件與電路板互連方式:引腳插入型(PTH)和表面貼裝型(SMT)4、按引腳分布形態(tài):單邊引腳、雙邊引腳、四邊引腳和底部引腳；SMT器件有L型、J型、I型的金屬引腳。SIP :單列式封裝 SQP:小型化封裝 MCP:金屬罐式封裝 DIP:雙列式封裝 CSP...

C=0℃至60℃（商業(yè)級(jí)）；I=-20℃至85℃（工業(yè)級(jí)）；E=-40℃至85℃（擴(kuò)展工業(yè)級(jí)）；A=-40℃至82℃（航空級(jí)）；M=-55℃至125℃（**級(jí)）封裝類型：A—SSOP；B—CERQUAD；C-TO-200，TQFP﹔D—陶瓷銅頂；E—QSOP；...

2006年，設(shè)立“國家重大科技專項(xiàng)”；無錫海力士意法半導(dǎo)體正式投產(chǎn)。2008年，中星微電子手機(jī)多媒體芯片全球銷量突破1億枚。2009年，國家“核高基”重大專項(xiàng)進(jìn)入申報(bào)與實(shí)施階段。2011年，《關(guān)于印發(fā)進(jìn)一步鼓勵(lì)軟件產(chǎn)業(yè)和繼承電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展若干政策的通知》。 [5...

分辨率分辨率是指D/A轉(zhuǎn)換器能夠轉(zhuǎn)換的二進(jìn)制位數(shù)。位數(shù)越多，分辨率越高。對(duì)一個(gè)分辨率為n位的D/A轉(zhuǎn)換器，能夠分辨的輸入信號(hào)為滿量程的1/2n。 [1]例如：8位的D/A轉(zhuǎn)換器，若電壓滿量程為5V,則能分辨的**小電壓為5V/28≈20mV, 10位的D/A轉(zhuǎn)...

C=0℃至60℃（商業(yè)級(jí)）；I=-20℃至85℃（工業(yè)級(jí)）；E=-40℃至85℃（擴(kuò)展工業(yè)級(jí)）；A=-40℃至82℃（航空級(jí)）；M=-55℃至125℃（**級(jí)）封裝類型：A—SSOP；B—CERQUAD；C-TO-200，TQFP﹔D—陶瓷銅頂；E—QSOP；...

從1949年到1957年，維爾納·雅各比（Werner Jacobi）、杰弗里·杜默（Jeffrey Dummer）、西德尼·達(dá)林頓（Sidney Darlington）、樽井康夫（Yasuo Tarui）都開發(fā)了原型，但現(xiàn)代集成電路是由杰克·基爾比在1958...

IC芯片(Integrated Circuit Chip)是將大量的微電子元器件（晶體管、電阻、電容等）形成的集成電路放在一塊塑基上，做成一塊芯片。IC芯片包含晶圓芯片和封裝芯片，相應(yīng) IC 芯片生產(chǎn)線由晶圓生產(chǎn)線和封裝生產(chǎn)線兩部分組成。集成電路（integr...

晶圓光刻顯影、蝕刻光刻工藝的基本流程如圖1 [2]所示。首先是在晶圓（或襯底）表面涂上一層光刻膠并烘干。烘干后的晶圓被傳送到光刻機(jī)里面。光線透過一個(gè)掩模把掩模上的圖形投影在晶圓表面的光刻膠上，實(shí)現(xiàn)曝光，激發(fā)光化學(xué)反應(yīng)。對(duì)曝光后的晶圓進(jìn)行第二次烘烤，即所謂的曝光...