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四川24AA02E64T-E/OT存儲(chǔ)器只讀存儲(chǔ)

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2023-08-13

內(nèi)儲(chǔ)存器直接與 CPU 相連接,由存取速度較快的電子元件構(gòu)成,但儲(chǔ)存容量較小。用來(lái)存放當(dāng)前運(yùn)行程序的指令和數(shù)據(jù),并直接與 CPU 交換信息,是 CPU 處理數(shù)據(jù)的主要來(lái)源。內(nèi)儲(chǔ)存器由許多儲(chǔ)存單元組成,每個(gè)單元能存放一個(gè)二進(jìn)制數(shù)或一條由二進(jìn)制編碼表示的指令。內(nèi)儲(chǔ)存器是由隨機(jī)儲(chǔ)存器和只讀儲(chǔ)存器構(gòu)成的。只讀存儲(chǔ)器(ROM,Read Only Memory)用于機(jī)器的開(kāi)機(jī)初始化工作和系統(tǒng)默認(rèn)的設(shè)備參數(shù)設(shè)置。隨機(jī)內(nèi)存,即 RAM(Random access memory)通過(guò)使用二進(jìn)制數(shù)據(jù)儲(chǔ)存單元和直接與 CPU 聯(lián)系,極大減少了讀取數(shù)據(jù)的時(shí)間。RAM 上所存數(shù)據(jù)在關(guān)機(jī)或計(jì)算機(jī)異常是會(huì)自動(dòng)處理,所以人們才需要將數(shù)據(jù)保存在硬盤(pán)等外存上。內(nèi)存主要是指 RAM。存儲(chǔ)器的相關(guān)分類(lèi)區(qū)別有哪些?四川24AA02E64T-E/OT存儲(chǔ)器只讀存儲(chǔ)

25系列和24系列芯片雖然都是存儲(chǔ)芯片,但它們?cè)趹?yīng)用領(lǐng)域和技術(shù)特點(diǎn)等方面存在一些不同。24系列主要是EEPROM,且容量一般不超過(guò)1Mb,可編程空間小,工作頻率較低,一般常見(jiàn)的不超過(guò)100KHZ,只能運(yùn)用在一些運(yùn)算較簡(jiǎn)單的場(chǎng)景。25系列的FLASH,現(xiàn)在使用很廣,且容量目前已經(jīng)打到256Mb,編程空間大,工作頻率可以打到2MHZ以上,運(yùn)算速度快。綜上所述,25系列和24系列芯片都是常見(jiàn)的存儲(chǔ)芯片,它們各自具有獨(dú)特的應(yīng)用領(lǐng)域和技術(shù)特點(diǎn)。在選擇存儲(chǔ)芯片時(shí),應(yīng)根據(jù)具體應(yīng)用場(chǎng)景和需求,選擇合適的芯片類(lèi)型。四川24AA02E64T-E/OT存儲(chǔ)器只讀存儲(chǔ)想選擇質(zhì)量較好的存儲(chǔ)器,來(lái)找我們吧!

Flash存儲(chǔ)控制器功能包括存儲(chǔ)器組織、啟動(dòng)選擇、IAP、ISP、片上Flash編程及校驗(yàn)和計(jì)算。在存儲(chǔ)器組織中介紹了Flash存儲(chǔ)控制器映射和系統(tǒng)存儲(chǔ)器映射。Flash存儲(chǔ)控制器包含片上 Flash和 Boot loader片上存儲(chǔ)器是可編程的,包括APRON、 LDROM、數(shù)據(jù) Flash和用戶(hù)配置區(qū)。地址映射包括 Flash存儲(chǔ)映射和5個(gè)地址映射:支持IAP功能的 LDROM,不支持IAP功能的 LDROM,支持IAP功能的APRON,不支持IAP功能的 APROM,以及支持IAP功能的 Boot loader。這些要素組成了存儲(chǔ)器的相關(guān)要點(diǎn)。


PROM(ProgrammableROM):可編程程序只讀存儲(chǔ)器,是需要利用電流將其燒斷,寫(xiě)入所需的資料,但只能寫(xiě)錄一次EPROM(ErasableProgrammableROM):可抹除可編程只讀存儲(chǔ)器,可利用高電壓將資料編程寫(xiě)入,抹除時(shí)將線(xiàn)路曝光于紫外線(xiàn)下,則資料可被清空,并且可重復(fù)使用EEPROM(ElectricallyErasableProgrammableReadOnlyMemory):電子式可抹除可編程只讀存儲(chǔ)器,運(yùn)作原理類(lèi)似EPROM,但是抹除的方式是使用高電場(chǎng)來(lái)完成,完成之后的結(jié)果是會(huì)再次導(dǎo)入至相關(guān)的記憶存儲(chǔ)器之中存儲(chǔ)器可以分為緩存存儲(chǔ)器和主存存儲(chǔ)器。

存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)在MCS - 51系列單片機(jī)中,程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器互相,物理結(jié)構(gòu)也不相同。程序存儲(chǔ)器為只讀存儲(chǔ)器,數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器為隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。從物理地址空間看,共有4個(gè)存儲(chǔ)地址空間,即片內(nèi)程序存儲(chǔ)器、片外程序存儲(chǔ)器、片內(nèi)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器和片外數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器,I/O接口與外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器統(tǒng)一編址。為提高存儲(chǔ)器的性能,通常把各種不同存儲(chǔ)容量、存取速度和價(jià)格的存儲(chǔ)器按層次結(jié)構(gòu)組成多層存儲(chǔ)器,并通過(guò)管理軟件和輔助硬件有機(jī)組合成統(tǒng)一的整體,使所存放的程序和數(shù)據(jù)按層次分布在各存儲(chǔ)器中。存儲(chǔ)器究竟怎么工作的?上海24AA02E64T-I/OT存儲(chǔ)器EPPROM

存儲(chǔ)器也可以作為單獨(dú)的記憶元件使用。四川24AA02E64T-E/OT存儲(chǔ)器只讀存儲(chǔ)

RAM靜態(tài)RAM(觸發(fā)器原理寄存信息)動(dòng)態(tài)RAM(電容充電放電原理寄存信息)一丶靜態(tài)RAM(Intel2114為例)靜態(tài)RAM基本單元電路注:該芯片存儲(chǔ)1位,T1~T4是MOS管組成的觸發(fā)器基本電路,T1~T6組成基本單元電路,要寫(xiě)入到觸發(fā)器中,觸發(fā)器兩端需要完全相反的電平,所以左側(cè)寫(xiě)放大器取反,也正由于是觸發(fā)器依靠電,所以是掉電原信息丟失易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器2114(1kx4位)靜態(tài)RAM電路結(jié)構(gòu),RAM存儲(chǔ)器只要是應(yīng)用在靜態(tài)存儲(chǔ)器之中,采用更加高效的速度。四川24AA02E64T-E/OT存儲(chǔ)器只讀存儲(chǔ)

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