雪崩二極管能以多種模式產生振蕩，其中主要有碰撞雪崩渡越時間(IMPATT)模式，簡稱崩越模式。其基本工作原理是：利用半導體PN結中載流子的碰撞電離和渡越時間效應產生微波頻率下的負阻，從而產生振蕩。另一種重要的工作模式是俘獲等離子體雪崩觸發(fā)渡越時間(TRAPATT)模式,簡稱俘越模式。這種模式的工作過程是在電路中產生電壓過激以觸發(fā)器件，使二極管勢壘區(qū)充滿電子-空穴等離子體，造成器件內部電場突然降低,而等離子體在低場下逐漸漂移出勢壘區(qū)。因此這種模式工作頻率較低，但輸出功率和效率則大得多。除上述兩種主要工作模式以外，雪崩二極管還能以諧波模式、參量模式、靜態(tài)模式以及熱模式工作。交流光電生產廠家推薦成都意科科技有限責任公司。西安光電模塊

光電二極管的速度（帶寬）通常受到電氣參數(shù)（電容和外部電阻）或內部效應的限制，如耗竭區(qū)的載流子傳輸時間。(在某些情況下，耗盡區(qū)外產生的載流子的相對緩慢的擴散限制了帶寬）。幾十千兆赫的帶寬通常是通過小的有源區(qū)（直徑遠低于1毫米）和小的吸收體積實現(xiàn)的。這種小面積的有源器件仍然是實用的，特別是對于光纖耦合器件，但它們將可實現(xiàn)的光電流限制在1毫安或更少，對應的光功率為≈2毫瓦或更少。更高的光電流實際上對抑制射出噪聲和熱噪聲是可取的。(更高的光電流在值上會增加射出噪聲，但相對于信號來說會減少它）。較大的有源區(qū)（直徑可達1厘米）允許處理較大的光束和更高的光電流，但代價是速度較低。高帶寬（幾十千兆赫）和高光電流（幾十毫安培）的組合是在速度匹配的光電探測器中實現(xiàn)的，它包含幾個小面積的光電探測器，它們與光波導弱耦合并將其光電流輸送到一個共同的射頻波導結構中。激光光電采集卡深圳交流光電生產廠家推薦成都意科科技有限責任公司。

所謂的夾層探測器或雙色光電二極管，由兩個（或多個）光電二極管依次組成。頂部的光電二極管由具有帶隙能量的材料制成，吸收短波長的光，同時傳輸大部分不能被吸收的長波長的光。這些透射光然后照射到另一個光電二極管上。光電二極管檢測到的功率比取決于波長。同樣的原理也可以應用在由相同材料制成的光電二極管上，因為在較長的波長下（更接近帶隙），頂部的光電二極管不會吸收所有的光。人們再次從兩個光電二極管得到一個與波長有關的信號比例。夾層探測器可用于遠程溫度測量，例如，你使用兩個光電二極管的信號比率：溫度越高，短波長的相對輻射量就越高。多段式光電二極管和光電二極管陣列光電二極管不僅有單段檢測器。有雙段和四段光電二極管，可用于精密傳感，也有一維和二維光電二極管陣列。更多細節(jié)，請參見位置敏感探測器一文。光電二極管有時被集成到激光二極管的封裝中。它可以檢測到一些通過高反射背面的光，其功率與輸出功率成正比。獲得的信號可用于穩(wěn)定輸出功率，或檢測設備的退化。

影響光電二極管系統(tǒng)的主要非理想情況稱為暗電流，因為即使沒有照明，電流也會流過光電二極管。流過二極管的總電流是暗電流和光電流的總和。如果這些強度產生的光電流大小與暗電流的大小相似，則暗電流將限制系統(tǒng)準確測量低光強度的能力。這種運算放大器電路稱為跨阻放大器(TIA)。它專門用于將電流信號轉換為電壓信號，電流電壓比由反饋電阻RF的值決定。運算放大器的同相輸入端接地，如果我們應用虛擬短路假設，我們知道反相輸入端將始終處于大約0V。因此，光電二極管的陰極和陽極都保持在0V。我不相信“光伏”是這種基于運算放大器的實現(xiàn)的完全準確的名稱。我不認為光電二極管的功能類似于通過光伏效應產生電壓的太陽能電池。但是“光伏”是公認的術語，不管我喜不喜歡?！傲闫媚Ｊ健备茫艺J為，因為我們可以在光伏或光電導模式下使用相同的TIA和光電二極管，因此沒有反向偏置電壓是顯著的區(qū)別因素。綿陽紅外光電生產廠家推薦成都意科科技有限責任公司。

性能良好的雪崩光電二極管的光電流平均增益嚔可以達到幾十、幾百倍甚至更大。半導體中兩種載流子的碰撞離化能力可能不同，因而使具有較高離化能力的載流子注入到耗盡區(qū)有利于在相同的電場條件下獲得較高的雪崩倍增。但是，光電流的這種雪崩倍增并不是理想的。一方面，由于嚔隨注入光強的增加而下降，使雪崩光電二極管的線性范圍受到一定的限制，另一方面更重要的是，由于載流子的碰撞電離是一種隨機的過程，亦即每一個別的載流子在耗盡層內所獲得的雪崩增益可以有很泛的幾率分布，因而倍增后的光電流I比倍增前的光電流I0有更大的隨機起伏，即光電流中的噪聲有附加的增加。與真空光電倍增管相比，由于半導體中兩種載流子都具有離化能力，使得這種起伏更為嚴重。重慶高速光電生產廠家推薦成都意科科技有限責任公司。西安光電模塊

深圳皮安光電生產廠家推薦成都意科科技有限責任公司。西安光電模塊

光電二極管是經常使用的光電探測器，它在很大程度上已經取代了以前使用的真空光管。它們是含有p-n結的半導體器件，通常在n層和p層之間還有一個內在（未摻雜）層。具有內在層的器件被稱為p-i-n或PIN光電二極管。在耗盡區(qū)或本征區(qū)吸收的光會產生電子-空穴對，其中大部分有助于產生光電流。在很寬的光功率范圍內，光電流可以相當精確地與吸收（或入射）的光強度成正比。人們在n摻雜區(qū)和p摻雜區(qū)之間有一個固有的區(qū)域，大部分的電載流子在這里產生。通過電接觸（陽極和陰極），可以獲得產生的光電流。陽極可以有一個環(huán)形，這樣光就可以通過孔注入。一個大的活性區(qū)域可以通過一個相應的大環(huán)來獲得，但這往往會增加電容，從而降低檢測帶寬，并增加暗電流；另外，如果產生的載流子離電極太遠，效率可能會下降。西安光電模塊