定位短路故障點(diǎn)短路是造成芯片失效的關(guān)鍵誘因之一。

當(dāng)芯片內(nèi)部電路發(fā)生短路時(shí)，短路區(qū)域會(huì)形成異常電流通路，引發(fā)局部溫度驟升，并伴隨特定波長(zhǎng)的光發(fā)射現(xiàn)象。EMMI（微光顯微鏡）憑借其超高靈敏度，能夠捕捉這些由短路產(chǎn)生的微弱光信號(hào)，再通過對(duì)光信號(hào)的強(qiáng)度分布、空間位置等特征進(jìn)行綜合分析，可實(shí)現(xiàn)對(duì)短路故障點(diǎn)的精確定位。

以一款高性能微處理器芯片為例，其在測(cè)試中出現(xiàn)不明原因的功耗激增問題，技術(shù)人員初步判斷為內(nèi)部電路存在短路隱患。通過EMMI對(duì)芯片進(jìn)行全域掃描檢測(cè)，在極短時(shí)間內(nèi)便在芯片的某一特定功能模塊區(qū)域發(fā)現(xiàn)了光發(fā)射信號(hào)。結(jié)合該芯片的電路設(shè)計(jì)圖紙和版圖信息進(jìn)行深入分析，終鎖定故障點(diǎn)為兩條相鄰的鋁金屬布線之間因絕緣層破損而發(fā)生的短路。這一定位為后續(xù)的故障修復(fù)和工藝改進(jìn)提供了直接依據(jù)。 我司微光顯微鏡可檢測(cè) TFT LCD 面板及 PCB/PCBA 金屬線路缺陷和短路點(diǎn)，為質(zhì)量控制與維修提供高效準(zhǔn)確方法。半導(dǎo)體微光顯微鏡與光學(xué)顯微鏡對(duì)比

致晟光電作為專注于微光顯微鏡與熱紅外顯微鏡應(yīng)用的技術(shù)團(tuán)隊(duì)，設(shè)備在微小目標(biāo)定位、熱分布成像等場(chǎng)景中具備高分辨率優(yōu)勢(shì)，可廣泛應(yīng)用于芯片、PCB板、顯示屏等消費(fèi)電子元器件的檢測(cè)環(huán)節(jié)，為您提供客觀的物理位置或熱分布定位數(shù)據(jù)。

為讓您更直觀了解設(shè)備的定位精度與適用性，我們誠(chéng)摯邀請(qǐng)貴單位參與樣品測(cè)試合作：若您有需要進(jìn)行微光定位（如細(xì)微結(jié)構(gòu)位置標(biāo)記、表面瑕疵定位）或熱紅外定位（如元器件發(fā)熱點(diǎn)分布、溫度梯度成像）的樣品，可郵寄至我方實(shí)驗(yàn)室。我們將提供專業(yè)檢測(cè)服務(wù)，輸出包含圖像、坐標(biāo)、數(shù)值等在內(nèi)的定位數(shù)據(jù)報(bào)告（注：報(bào)告呈現(xiàn)客觀檢測(cè)結(jié)果，不做定性或定量結(jié)論判斷）。測(cè)試過程中，我們會(huì)根據(jù)您的需求調(diào)整檢測(cè)參數(shù)，確保定位數(shù)據(jù)貼合實(shí)際應(yīng)用場(chǎng)景。若您對(duì)設(shè)備的定位效果認(rèn)可，可進(jìn)一步洽談設(shè)備采購或長(zhǎng)期檢測(cè)服務(wù)合作。 半導(dǎo)體微光顯微鏡與光學(xué)顯微鏡對(duì)比針對(duì)納米級(jí)半導(dǎo)體器件，搭配超高倍物鏡，能分辨納米尺度的缺陷發(fā)光，推動(dòng)納米電子學(xué)研究。

EMMI 微光顯微鏡作為集成電路失效分析的重要設(shè)備，其漏電定位功能對(duì)于失效分析工程師而言是不可或缺的工具。在集成電路領(lǐng)域，對(duì)芯片的可靠性有著極高的要求。在芯片運(yùn)行過程中，微小漏電現(xiàn)象較為常見，且在特定條件下，這些微弱的漏電可能會(huì)被放大，導(dǎo)致芯片乃至整個(gè)控制系統(tǒng)的失效。因此，芯片微漏電現(xiàn)象在集成電路失效分析中占據(jù)著至關(guān)重要的地位。此外，考慮到大多數(shù)集成電路的工作電壓范圍在3.3V至20V之間，工作電流即便是微安或毫安級(jí)別的漏電流也足以表明芯片已經(jīng)出現(xiàn)失效。因此，準(zhǔn)確判斷漏流位置對(duì)于確定芯片失效的根本原因至關(guān)重要。

OBIRCH與EMMI技術(shù)在集成電路失效分析領(lǐng)域中扮演著互補(bǔ)的角色，其主要差異體現(xiàn)在檢測(cè)原理及應(yīng)用領(lǐng)域。具體而言，EMMI技術(shù)通過光子檢測(cè)手段來精確定位漏電或發(fā)光故障點(diǎn)，而OBIRCH技術(shù)則依賴于激光誘導(dǎo)電阻變化來識(shí)別短路或阻值異常區(qū)域。這兩種技術(shù)通常被整合于同一檢測(cè)系統(tǒng)（即PEM系統(tǒng)）中，其中EMMI技術(shù)在探測(cè)光子發(fā)射類缺陷，如漏電流方面表現(xiàn)出色，而OBIRCH技術(shù)則對(duì)金屬層遮蔽下的短路現(xiàn)象具有更高的敏感度。例如，EMMI技術(shù)能夠有效檢測(cè)未開封芯片中的失效點(diǎn)，而OBIRCH技術(shù)則能有效解決低阻抗（<10 ohm）短路問題。其搭載的圖像增強(qiáng)算法，能強(qiáng)化微弱光子信號(hào)，減少噪聲干擾，使故障點(diǎn)成像更鮮明，便于識(shí)別。

在半導(dǎo)體芯片的精密檢測(cè)領(lǐng)域，微光顯微鏡與熱紅外顯微鏡如同兩把功能各異的 “利劍”，各自憑借獨(dú)特的技術(shù)原理與應(yīng)用優(yōu)勢(shì)，在芯片質(zhì)量管控與失效分析中發(fā)揮著不可替代的作用。二者雖同服務(wù)于芯片檢測(cè)，但在邏輯與適用場(chǎng)景上的差異，使其成為互補(bǔ)而非替代的檢測(cè)組合。從技術(shù)原理來看，兩者的 “探測(cè)語言” 截然不同。

微光顯微鏡是 “光子的捕捉者”，其重心在于高靈敏度的光子傳感器，能夠捕捉芯片內(nèi)部因電性能異常釋放的微弱光信號(hào) —— 這些信號(hào)可能來自 PN 結(jié)漏電時(shí)的電子躍遷，或是柵氧擊穿瞬間的能量釋放，波長(zhǎng)多集中在可見光至近紅外范圍。

支持自定義檢測(cè)參數(shù)，測(cè)試人員可根據(jù)特殊樣品特性調(diào)整設(shè)置，獲得較為準(zhǔn)確的檢測(cè)結(jié)果。無損微光顯微鏡探測(cè)器

其低噪聲電纜連接設(shè)計(jì)，減少信號(hào)傳輸過程中的損耗，確保微弱光子信號(hào)完整傳遞至探測(cè)器。半導(dǎo)體微光顯微鏡與光學(xué)顯微鏡對(duì)比

考慮到部分客戶的特殊應(yīng)用場(chǎng)景，我們還提供Thermal&EMMI的個(gè)性化定制服務(wù)。無論是設(shè)備的功能模塊調(diào)整、性能參數(shù)優(yōu)化，還是外觀結(jié)構(gòu)適配，我們都能根據(jù)您的具體需求進(jìn)行專屬設(shè)計(jì)與研發(fā)。憑借高效的研發(fā)團(tuán)隊(duì)和成熟的生產(chǎn)體系，定制項(xiàng)目通常在 2-3 個(gè)月內(nèi)即可完成交付，在保證定制靈活性的同時(shí)，充分兼顧了交付效率，讓您的特殊需求得到及時(shí)且滿意的答案。致晟光電始終致力于為客戶提供更可靠、更貼心的服務(wù)，期待與您攜手共進(jìn)，共創(chuàng)佳績(jī)。半導(dǎo)體微光顯微鏡與光學(xué)顯微鏡對(duì)比