從90年代末至今，近場微波成像已經(jīng)引起了學(xué)者們的濃厚興趣，但由于常規(guī)目標散射近場的復(fù)雜性，致使近場微波成像遠遠滯后于遠場成像。近場微波成像中，著眼于潛在的應(yīng)用，目標函數(shù)既可以是理想導(dǎo)體目標的輪廓函數(shù)，也可以是目標介電常數(shù)的分布函數(shù)。從照射天線與成像目標的相對運動方式來看，近場微波成像有兩種模式：即直線掃描模式和轉(zhuǎn)臺模式，研究方法可分為電磁逆散射法和球背向投影法（SphericalBackProjection，簡寫為SBP）。其中電磁逆散射法散射機理清晰，但數(shù)學(xué)公式復(fù)雜且有很大的局限性，因而，實際中使用較少；而球背向投影法在實際中使用較多。利用球背向投影法在直線掃描模式和轉(zhuǎn)臺模式情況下的目標函數(shù)解析公式已經(jīng)給出。電場要比磁場強得多，對于電壓低電流大的場源(如某些感應(yīng)加熱設(shè)備的模具)，磁場要比電場大得多。廣州電磁場近場輻射
電場是由電壓產(chǎn)生，主要的發(fā)射源包括一些未端接器件的線纜、連接高阻器件的PCB布線等。簡單的電場探頭類似一根小天線。有人甚至把同軸電纜前端的一小段屏蔽層剝開，露出芯線來構(gòu)成簡單的電場探頭進行使用。在沒有屏蔽設(shè)備的情況下，電場探頭的問題是比較容易拾取到環(huán)境中存在的電磁波信號，如蜂窩通信的上下行信號，從而影響到整個測試系統(tǒng)的測量動態(tài)范圍。因為磁場是由電流產(chǎn)生的，所以常見的發(fā)射源包括芯片，器件的管腳、PCB上的布線、電源線及信號線纜。常見的磁場探頭多為環(huán)狀，當(dāng)磁場傳播線和探頭環(huán)面垂直的時候，測量數(shù)值很大。所以在測量過程中，工程師一般需要旋轉(zhuǎn)探頭的方向來測量到很大的磁場數(shù)值，同時避免遺漏重要的發(fā)射源。近場輻射抑制方式近場通常分為兩個區(qū)域。
近場探頭是用于配合頻譜分析儀查找干擾源的設(shè)備。在認證機構(gòu)中，使用經(jīng)過各類校準的天線進行輻射泄露測試，都是進行的遠場測量。標準的遠場輻射泄漏測試，可以準確定量的告訴我們被測件是否符合相應(yīng)的EMI標準。但是遠場測試無法告訴工程師，嚴重的輻射問題到底是來自于殼體的縫隙，還是來自連接的電纜，或USB，LAN之類的通信接口。在這種情況下，我們可以通過近場測試的方法來定位輻射的真正來源。電磁場是由電場和磁場構(gòu)成。在近場，電場和磁場共同存在，其強度不構(gòu)成固定關(guān)系。以電場為主還是磁場為主，主要是由發(fā)射源的類型決定的。簡而言之，在高電壓，低電流的區(qū)域，電場大于磁場。高電流，低電壓的區(qū)域，磁場大于電場。同時在主要的EMI測試頻段，磁場隨著距離的變化要快于電場。
在實際使用中，感興趣的是輻射遠場區(qū)。通常的應(yīng)用中，我們應(yīng)該避免收、發(fā)天線處在近場區(qū)范圍，因為此時不但天線的方向圖沒有形成，而且在近場范圍內(nèi)的任何導(dǎo)電體甚至介質(zhì)物體都被看成是天線電磁邊界條件的一部分，它影響了原來的天線，和原來的天線一起共同修正和改變了遠場的方向圖輻射特性，從而影響了實際使用效果。某些特殊應(yīng)用場合，天線和其它物體靠得很近，從而使天線的輻射特性變得極其復(fù)雜，比如手機天線置于人體附近的情況，這需要專門予以討論。近場成分指的立方衰減分量強度隨距離（觀測點的天線的距離）。
近場EMI測量的問題在于使用近場探頭的測量結(jié)果和使用天線進行遠場測量的結(jié)果無法直接進行數(shù)學(xué)轉(zhuǎn)換。但是存在一個基本原理：近場的輻射越大，遠場的輻射也必然越大。所以使用近場探頭測量，實際上是一個相對量的測量，而不是精確的一定量測量。使用近場探頭進行EMI預(yù)兼容測試時，我們常常把新被測件測試結(jié)果和一個已知合格被測件的近場探頭測試（近場測試）結(jié)果進行比較，來預(yù)測EMI輻射泄漏測試（遠場測試）的結(jié)果，而不是直接和符合EMI兼容標準的限制線進行比較。同時，測試的一定數(shù)值意義也不大，因為這個測試結(jié)果和諸多變量，包括探頭的位置方向、被測件的形狀等會密切相關(guān)。在衍射光學(xué)中，近場定義如下：當(dāng)入射光波是平面波，經(jīng)過透鏡會聚后。近場輻射抑制方式
在反應(yīng)區(qū)里，電場和磁場是很強的，并且可以單獨測量。廣州電磁場近場輻射
近區(qū)場通常具有如下特點：近區(qū)場內(nèi)，電場強度與磁場強度的大小沒有確定的比例關(guān)系。即：E377H。一般情況下，對于電壓高電流小的場源(如發(fā)射天線、饋線等)，電場要比磁場強得多，對于電壓低電流大的場源(如某些感應(yīng)加熱設(shè)備的模具)，磁場要比電場大得多。近區(qū)場的電磁場強度比遠區(qū)場大得多。從這個角度上說，電磁防護的重點應(yīng)該在近區(qū)場。近區(qū)場的電磁場強度隨距離的變化比較快，在此空間內(nèi)的不均勻度較大。遠區(qū)場的主要特點如下：在遠區(qū)場中，所有的電磁能量基本上均以電磁波形式輻射傳播，這種場輻射強度的衰減要比感應(yīng)場慢得多。在遠區(qū)場，電場強度與磁場強度有如下關(guān)系：在國際單位制中，E=377H，電場與磁場的運行方向互相垂直，并都垂直于電磁波的傳播方向。遠區(qū)場為弱場，其電磁場強度均較小廣州電磁場近場輻射
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