任何信號(hào)的傳輸都存在一個(gè)閉環(huán)的回路，當(dāng)電流從驅(qū)動(dòng)端流入接收端的時(shí)候，必然會(huì)有一個(gè)回流電流通過(guò)與之相鄰的導(dǎo)體從接收端回流至驅(qū)動(dòng)端，構(gòu)成一個(gè)閉合的環(huán)路，而環(huán)路的大小卻和EMI的產(chǎn)生有著很大的關(guān)系，我們都知道，每一個(gè)環(huán)路都可以等效為一個(gè)天線(xiàn)，環(huán)路數(shù)量或者面積越大，引起的EMI也越強(qiáng)。我們知道，交流信號(hào)會(huì)自動(dòng)選取阻抗小的路徑返回驅(qū)動(dòng)端，但實(shí)際情況中，信號(hào)不可能始終保持的理想路徑，特別是在高密度布線(xiàn)的PCB板上，過(guò)孔，縫隙等都可能降低參考平面理想的特性，而是表現(xiàn)為更復(fù)雜的回流形式。訊號(hào)電流經(jīng)過(guò)一個(gè)低阻抗的路徑返還其驅(qū)動(dòng)源，能夠有效減小輻射。北京手機(jī)EMI分析整改報(bào)告
訊號(hào)線(xiàn)下方的地要完整，要有完整的參考面。訊號(hào)電流經(jīng)過(guò)一個(gè)低阻抗的路徑返還其驅(qū)動(dòng)源，能夠有效減小輻射，而且由于地層的遮罩作用，使得電路對(duì)外輻射的靈敏度也會(huì)降低。如果兩個(gè)電路的參考電平不一致，就會(huì)產(chǎn)生功能問(wèn)題，如雜訊容限和邏輯開(kāi)關(guān)門(mén)限電平紊亂，這個(gè)接地雜訊電壓就會(huì)導(dǎo)致地環(huán)路干擾的產(chǎn)生。遮罩是好的解決EMI問(wèn)題的有效方法。輻射源遮罩能夠極大限度的解決EMI問(wèn)題。在干擾源和干擾物件之間插入一金屬遮罩物，以阻擋干擾的傳播，可以做好預(yù)留設(shè)計(jì)。上海PCB板EMI分析整改走線(xiàn)布線(xiàn)EMI是如何發(fā)生的？從技朮上EMI通常由變化的電磁場(chǎng)及把它們導(dǎo)通傳輸。
20-30MHZ，（整改建議）1、對(duì)于一類(lèi)產(chǎn)品可以采用調(diào)整對(duì)地Y2電容量或改變Y2電容位置；2、調(diào)整一二次側(cè)間的Y1電容位置及參數(shù)值；3、在變壓器外面包銅箔；變壓器里層加屏蔽層；調(diào)整變壓器的各繞組的排布。200MHZ以上，開(kāi)關(guān)電源已基本輻射量很小，一般均可過(guò)EMI標(biāo)準(zhǔn)。修改Inlet上L.N對(duì)GND并的CY電容（容量范圍470PF-4700PF），對(duì)輻射的50MHz-110MHz，190MHz-240MHz均有改善.高壓地對(duì)Case地跨CY電容（容量范圍470PF-4700PF），對(duì)輻射40MHz-55MHz，80MHz-130MHz，160MHz-180MHz，均有改善。高壓電容正負(fù)極并瓷片電或SMD電容（容量范圍1000PF-4700PF/1KV），對(duì)輻射40MHz-90MHz，110MHz-170MHz均有改善。
有效降低電路EMI的技巧：當(dāng)存在一個(gè)磁場(chǎng)時(shí)，一個(gè)由導(dǎo)電材料形成的環(huán)路充當(dāng)了天線(xiàn)，并且把磁場(chǎng)轉(zhuǎn)換為圍繞環(huán)路流動(dòng)的電流。電流的強(qiáng)度與閉合環(huán)路的面積成正比。有效降低電路EMI的技巧：出現(xiàn)在板級(jí)連接的場(chǎng)合。如智慧機(jī)上盒(STB)產(chǎn)品，在STB主機(jī)板和EOC主機(jī)板或者Wi-Fi模組連接時(shí)，會(huì)在GND鏈路形成一個(gè)板級(jí)環(huán)路，可以在GND中間串接一個(gè)電感或者鐵氧體磁珠進(jìn)行隔離。透過(guò)雙絞線(xiàn)電纜傳輸訊號(hào)時(shí)，每對(duì)差分發(fā)射/接收都形成一個(gè)環(huán)路，因雙絞線(xiàn)緊密耦合，對(duì)于鏈路的電纜部分而言環(huán)路面積很小。需要保持緊密耦合，減少環(huán)路面積。每根訊號(hào)好能做到與地的回流路徑短，回路面積越小，訊號(hào)的抗干擾能力越強(qiáng)，對(duì)外的EMI也達(dá)小。
整改方案，如下：從傳導(dǎo)的曲線(xiàn)上1MHz前超標(biāo)的情況可以看出差模電容X太小了，所以修改了X電容變成0。22uF。而1-5MHz之間也超標(biāo)，所以增加共模電感到50mH，這項(xiàng)頻率超標(biāo)一般主要是有變壓器的漏感造成的。在變壓器的外面增加了一個(gè)屏蔽銅箔，并接入熱地。（同時(shí)做了別外一個(gè)變壓器，去除原變壓器內(nèi)部的屏蔽層，改變了變壓器的繞線(xiàn)方式，在變壓器的外面做了屏蔽并接入熱地用備用）同時(shí)將MOS管和雙向二極管的散熱片也接入熱地。同時(shí)將MOS管的D、S兩腳間增加了一個(gè)101/1KV的電容，做完以上的整改方案后做了一次測(cè)試。在頻譜上不斷跳動(dòng)但是頻域不會(huì)變化，這是有用的信號(hào)，不能有所破壞。福建手機(jī)EMI分析整改設(shè)備
EMI 整改：對(duì)于共模干擾超標(biāo)可添加共模電感,選用合理的電感量來(lái)壓制。北京手機(jī)EMI分析整改報(bào)告
原板上所用變壓器，只在外面增加一個(gè)屏蔽層。測(cè)試可以通過(guò)不過(guò)余量很小只有1dB。顯然來(lái)能保障批量生產(chǎn)可能造成的不確定性。根據(jù)以上的情況做了第二次修改，將變壓器更新成前面提到過(guò)的改變了繞線(xiàn)方式的變壓器。用頻譜分析儀重新查看了一產(chǎn)品的變壓器的位置和MOS管的位置。發(fā)現(xiàn)MOS管的位置曲線(xiàn)不是有點(diǎn)高，并且成有規(guī)律的波形。用頻譜分別對(duì)MOS管的G、D、S三個(gè)腳接觸看一下是哪個(gè)腳是輻射源，發(fā)現(xiàn)D極的輻射源大。于是我在D極上串了一個(gè)通用的插件磁珠。北京手機(jī)EMI分析整改報(bào)告