電池濕法設備Topcon工藝，使用強堿腐蝕在硅片背面拋光形成近似鏡面的絨面結構，提高硅片對長波的吸收2.增加背鈍化膜的膜厚均勻性3.降低了背面的表面積，提升了少子壽命，降低背面復合速率。進口PLC控制，穩(wěn)步提升設備的產能。l慢提拉采用機械臂慢提方式，設備滿足干濕分離，匹配高效電池發(fā)展趨勢。l可配套無金屬化制程設備，提高設備潔凈度。工藝槽采用經典的內外槽的循環(huán)模式，能快速有效的將新添加藥水以及添加劑充分攪拌均勻，槽內控溫精度誤差＜±1℃。濕法刻蝕設備（Perc 工藝）去硅片除背面PSG和拋光處理。廣東半導體濕法設備報價

光伏濕法設備包括濕法制絨設備（Perc 工藝）、制絨設備（Topcon工藝）、濕法刻蝕設備（Perc 工藝）、RCA槽式清洗設備（Topcon工藝）、電池濕法背拋清洗設備（Topcon工藝）、濕法制絨設備（HJT工藝）、電池濕法背拋清洗設備（XBC工藝）、制絨清洗設備（XBC工藝）等；釜川生產制造的濕法設備能與多種主流工藝如PERC、TOPCON、HPBC等相匹配，在設備結構、功能、產能和安全性等方面進行了升級。其作用是對太陽能電池用硅片進行清洗制絨處理，從而提升電池的質量和效率。山東濕法設備XBC工藝光伏電池濕法背拋清洗設備（XBC工藝）可配套無金屬化制程設備，提高設備潔凈度。

專業(yè)濕法設備HJT工藝功能是去除切割損傷層和表面臟污l使用強堿腐蝕晶體硅表面形成規(guī)則金字塔狀絨面，增加硅片對太陽光的吸收，降低反射率l增加硅片表面積，進而PN結面積也相應增加。設備優(yōu)勢是進口PLC控制，兼容MES，UPS和RFID功能。機械手分配合理，有效避免藥液交叉污染和槽體反應超時。工藝槽采用經典的內外槽的循環(huán)模式，能快速有效的將新添加藥水以及添加劑充分攪拌均勻，槽內控溫精度誤差＜±1℃。所有與液體接觸的材料均采用進口材質，避免材料雜質析出；引進半導體清洗工藝，保證硅片表面的潔凈度。斜拉式慢提拉結構，有效提升脫水能力，匹配高效電池發(fā)展趨勢。采用低溫烘干技術，保證槽內的潔凈度和溫度均勻性。

電池濕法設備HJT工藝功能是去除切割損傷層和表面臟污l使用強堿腐蝕晶體硅表面形成規(guī)則金字塔狀絨面，增加硅片對太陽光的吸收，降低反射率l增加硅片表面積，進而PN結面積也相應增加。設備優(yōu)勢是進口PLC控制，兼容MES，UPS和RFID功能。機械手分配合理，有效避免藥液交叉污染和槽體反應超時。工藝槽采用經典的內外槽的循環(huán)模式，能快速有效的將新添加藥水以及添加劑充分攪拌均勻，槽內控溫精度誤差＜±1℃。所有與液體接觸的材料均采用進口材質，避免材料雜質析出；引進半導體清洗工藝，保證硅片表面的潔凈度。斜拉式慢提拉結構，有效提升脫水能力，匹配高效電池發(fā)展趨勢。采用低溫烘干技術，保證槽內的潔凈度和溫度均勻性。電池濕法RCA槽式清洗設備（Topcon工藝）拋光槽上表面采用水膜保護及輥輪帶液方式。

電池濕法去PSG設備主要是對太陽能電池用硅片進行清洗處理，雙六道大產能去PSG清洗設備，結構穩(wěn)定性、產能、安全性升級。去PSG工藝首先將繞擴層PSG進行去除，利用背面PSG保護，在槽式清洗中完成去繞度工藝。為尋求更為穩(wěn)定的硅片傳輸，整機設計為雙五道/雙六道分布結構，料臺歸正寬度可調，兼容更多規(guī)格的硅片，并為后續(xù)18X硅片更大產能改造提供了預留窗口；去PSG設備布局前后通透，給設備使用者提供了便捷性；上料臺搭配了大流量全新滴液泵；光伏電池濕法制絨設備（HJT工藝）機械手分配合理，有效避免藥液交叉污染和槽體反應超時。廣東半導體濕法設備報價

濕法刻蝕設備（Perc 工藝）工藝槽采用經典的內外槽的循環(huán)模式。廣東半導體濕法設備報價

光伏電池濕法設備Topcon工藝，拋清洗設備，功能是去除背面BSG和拋光處理。l閉環(huán)運動控制系統(tǒng)，保證輸送機構運動平穩(wěn)性。l拋光槽：上表面采用水膜保護及輥輪帶液方式，完整的保護正面的同時，對背面作拋光處理。l烘干槽：采用高壓風機+高效過濾器的方式，l鏈式去BSG+槽式堿拋設備，設備產能大，穩(wěn)定性好。l進口PLC控制，穩(wěn)步提升設備的產能。l慢提拉采用機械臂慢提方式，設備滿足干濕分離，匹配高效電池發(fā)展趨勢。l可配套無金屬化制程設備，提高設備潔凈度。l工藝槽采用經典的內外槽的循環(huán)模式，能快速有效的將新添加藥水以及添加劑充分攪拌均勻，槽內控溫精度誤差＜±1℃。廣東半導體濕法設備報價