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深圳晶片濕法設(shè)備Perc工藝

來源: 發(fā)布時(shí)間:2023-12-25

光伏濕法工藝設(shè)備是光伏電池生產(chǎn)中不可或缺的設(shè)備之一。它主要用于制備光伏電池的電極材料,包括陽極和陰極。在光伏電池的制造過程中,陽極和陰極的制備是非常關(guān)鍵的步驟,因?yàn)樗鼈冎苯佑绊懙焦夥姵氐男阅芎托省9夥鼭穹üに囋O(shè)備可以通過化學(xué)反應(yīng)的方式制備出高質(zhì)量的電極材料。它可以控制反應(yīng)的溫度、時(shí)間、濃度等參數(shù),從而得到具有良好電化學(xué)性能的電極材料。此外,光伏濕法工藝設(shè)備還可以實(shí)現(xiàn)多種化學(xué)反應(yīng),以滿足不同類型的光伏電池的制備需求。光伏濕法工藝設(shè)備還可以提高光伏電池的生產(chǎn)效率和降低生產(chǎn)成本。它可以實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化生產(chǎn),減少人工操作,提高生產(chǎn)效率。同時(shí),它還可以減少原材料的浪費(fèi),降低生產(chǎn)成本??傊?,光伏濕法工藝設(shè)備在光伏電池生產(chǎn)中起著至關(guān)重要的作用。它可以制備出高質(zhì)量的電極材料,提高光伏電池的性能和效率,同時(shí)還可以提高生產(chǎn)效率和降低生產(chǎn)成本。電池濕法背拋清洗設(shè)備(Topcon工藝)進(jìn)口PLC控制,穩(wěn)步提升設(shè)備的產(chǎn)能。深圳晶片濕法設(shè)備Perc工藝

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電池濕法設(shè)備Topcon工藝,拋清洗設(shè)備,功能是去除背面BSG和拋光處理。l閉環(huán)運(yùn)動(dòng)控制系統(tǒng),保證輸送機(jī)構(gòu)運(yùn)動(dòng)平穩(wěn)性。l拋光槽:上表面采用水膜保護(hù)及輥輪帶液方式,完整的保護(hù)正面的同時(shí),對背面作拋光處理。l烘干槽:采用高壓風(fēng)機(jī)+高效過濾器的方式,l鏈?zhǔn)饺SG+槽式堿拋設(shè)備,設(shè)備產(chǎn)能大,穩(wěn)定性好。l進(jìn)口PLC控制,穩(wěn)步提升設(shè)備的產(chǎn)能。l慢提拉采用機(jī)械臂慢提方式,設(shè)備滿足干濕分離,匹配高效電池發(fā)展趨勢。l可配套無金屬化制程設(shè)備,提高設(shè)備潔凈度。l工藝槽采用經(jīng)典的內(nèi)外槽的循環(huán)模式,能快速有效的將新添加藥水以及添加劑充分?jǐn)嚢杈鶆?,槽?nèi)控溫精度誤差<±1℃。深圳晶片濕法設(shè)備Perc工藝電池濕法制絨設(shè)備(Topcon工藝)增加背鈍化膜的膜厚均勻性。

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光伏電池濕法設(shè)備Topcon工藝,拋清洗設(shè)備,功能是去除背面BSG和拋光處理。l閉環(huán)運(yùn)動(dòng)控制系統(tǒng),保證輸送機(jī)構(gòu)運(yùn)動(dòng)平穩(wěn)性。l拋光槽:上表面采用水膜保護(hù)及輥輪帶液方式,完整的保護(hù)正面的同時(shí),對背面作拋光處理。l烘干槽:采用高壓風(fēng)機(jī)+高效過濾器的方式,l鏈?zhǔn)饺SG+槽式堿拋設(shè)備,設(shè)備產(chǎn)能大,穩(wěn)定性好。l進(jìn)口PLC控制,穩(wěn)步提升設(shè)備的產(chǎn)能。l慢提拉采用機(jī)械臂慢提方式,設(shè)備滿足干濕分離,匹配高效電池發(fā)展趨勢。l可配套無金屬化制程設(shè)備,提高設(shè)備潔凈度。l工藝槽采用經(jīng)典的內(nèi)外槽的循環(huán)模式,能快速有效的將新添加藥水以及添加劑充分?jǐn)嚢杈鶆?,槽?nèi)控溫精度誤差<±1℃。

濕法設(shè)備HJT工藝功能是去除切割損傷層和表面臟污l使用強(qiáng)堿腐蝕晶體硅表面形成規(guī)則金字塔狀絨面,增加硅片對太陽光的吸收,降低反射率l增加硅片表面積,進(jìn)而PN結(jié)面積也相應(yīng)增加。設(shè)備優(yōu)勢是進(jìn)口PLC控制,兼容MES,UPS和RFID功能。機(jī)械手分配合理,有效避免藥液交叉污染和槽體反應(yīng)超時(shí)。工藝槽采用經(jīng)典的內(nèi)外槽的循環(huán)模式,能快速有效的將新添加藥水以及添加劑充分?jǐn)嚢杈鶆?,槽?nèi)控溫精度誤差<±1℃。所有與液體接觸的材料均采用進(jìn)口材質(zhì),避免材料雜質(zhì)析出;引進(jìn)半導(dǎo)體清洗工藝,保證硅片表面的潔凈度。斜拉式慢提拉結(jié)構(gòu),有效提升脫水能力,匹配高效電池發(fā)展趨勢。采用低溫烘干技術(shù),保證槽內(nèi)的潔凈度和溫度均勻性。電池濕法制絨設(shè)備(Perc 工藝)使用強(qiáng)堿腐蝕晶體硅表面形成規(guī)則金字塔狀絨面,增加硅片對太陽光的吸收。

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電池濕法去PSG設(shè)備主要是對太陽能電池用硅片進(jìn)行清洗處理,2022年成功研發(fā)雙六道大產(chǎn)能去PSG清洗設(shè)備,并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性、產(chǎn)能、安全性升級(jí)。去PSG工藝首先將繞擴(kuò)層PSG進(jìn)行去除,利用背面PSG保護(hù),在槽式清洗中完成去繞度工藝。為尋求更為穩(wěn)定的硅片傳輸,整機(jī)設(shè)計(jì)為雙五道/雙六道分布結(jié)構(gòu),料臺(tái)歸正寬度可調(diào),兼容更多規(guī)格的硅片,并為后續(xù)18X硅片更大產(chǎn)能改造提供了預(yù)留窗口;去PSG設(shè)備布局前后通透,給設(shè)備使用者提供了便捷性;上料臺(tái)搭配了大流量全新滴液泵;太陽能光伏電池濕法制絨設(shè)備(HJT工藝)使用強(qiáng)堿腐蝕晶體硅表面形成規(guī)則金字塔狀絨面。北京新型濕法三頭

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濕法設(shè)備包括濕法制絨設(shè)備(Perc 工藝)、制絨設(shè)備(Topcon工藝)、濕法刻蝕設(shè)備(Perc 工藝)、RCA槽式清洗設(shè)備(Topcon工藝)、電池濕法背拋清洗設(shè)備(Topcon工藝)、濕法制絨設(shè)備(HJT工藝)、電池濕法背拋清洗設(shè)備(XBC工藝)、制絨清洗設(shè)備(XBC工藝)等;釜川生產(chǎn)制造的濕法設(shè)備能與多種主流工藝如PERC、TOPCON、HPBC等相匹配,在設(shè)備結(jié)構(gòu)、功能、產(chǎn)能和安全性等方面進(jìn)行了升級(jí)。其作用是對太陽能電池用硅片進(jìn)行清洗制絨處理,從而提升電池的質(zhì)量和效率。深圳晶片濕法設(shè)備Perc工藝

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