濕法設(shè)備HJT工藝功能是去除切割損傷層和表面臟污l使用強堿腐蝕晶體硅表面形成規(guī)則金字塔狀絨面，增加硅片對太陽光的吸收，降低反射率l增加硅片表面積，進(jìn)而PN結(jié)面積也相應(yīng)增加。設(shè)備優(yōu)勢是進(jìn)口PLC控制，兼容MES，UPS和RFID功能。機械手分配合理，有效避免藥液交叉污染和槽體反應(yīng)超時。工藝槽采用經(jīng)典的內(nèi)外槽的循環(huán)模式，能快速有效的將新添加藥水以及添加劑充分?jǐn)嚢杈鶆颍蹆?nèi)控溫精度誤差＜±1℃。所有與液體接觸的材料均采用進(jìn)口材質(zhì)，避免材料雜質(zhì)析出；引進(jìn)半導(dǎo)體清洗工藝，保證硅片表面的潔凈度。斜拉式慢提拉結(jié)構(gòu)，有效提升脫水能力，匹配高效電池發(fā)展趨勢。采用低溫烘干技術(shù)，保證槽內(nèi)的潔凈度和溫度均勻性。太陽能光伏電池濕法制絨設(shè)備（Perc 工藝）能去除切割硅片損傷層和表面臟污。江蘇電池濕法

電池濕法設(shè)備是一種用于電池制造的設(shè)備，其性能評估主要包括以下幾個方面：1.生產(chǎn)效率：電池濕法設(shè)備的生產(chǎn)效率是評估其性能的重要指標(biāo)之一。生產(chǎn)效率包括設(shè)備的生產(chǎn)速度、生產(chǎn)能力、設(shè)備的穩(wěn)定性和可靠性等因素。2.能耗：電池濕法設(shè)備的能耗是評估其性能的另一個重要指標(biāo)。能耗包括設(shè)備的能源消耗、設(shè)備的能源利用率等因素。3.產(chǎn)品質(zhì)量：電池濕法設(shè)備的產(chǎn)品質(zhì)量是評估其性能的關(guān)鍵指標(biāo)之一。產(chǎn)品質(zhì)量包括電池的性能、電池的壽命、電池的穩(wěn)定性等因素。4.維護(hù)成本：電池濕法設(shè)備的維護(hù)成本是評估其性能的另一個重要指標(biāo)。維護(hù)成本包括設(shè)備的維護(hù)費用、設(shè)備的維修費用、設(shè)備的更換費用等因素。綜上所述，評估電池濕法設(shè)備的性能需要綜合考慮生產(chǎn)效率、能耗、產(chǎn)品質(zhì)量和維護(hù)成本等多個因素，以確定設(shè)備的性價比和適用性。深圳新型濕法三頭電池濕法設(shè)備配合先進(jìn)的清洗技術(shù)，可有效去除電池極板上的雜質(zhì)和污染物，提高電池的電化學(xué)性能。

光伏電池濕法制絨設(shè)備，與多種主流工藝如PERC、TOPCON、HPBC等相匹配，在設(shè)備結(jié)構(gòu)、功能、產(chǎn)能和安全性等方面進(jìn)行了全方面升級。其中心作用是對太陽能電池用硅片進(jìn)行清洗制絨處理，從而提升電池的質(zhì)量和效率。釜川以半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備、太陽能電池生產(chǎn)設(shè)備為主要產(chǎn)品，打造光伏設(shè)備一體化服務(wù)。擁有強大的科研團隊，憑借技術(shù)競爭力，在清洗制絨設(shè)備、PECVD設(shè)備、PVD設(shè)備、電鍍銅設(shè)備等方面都有獨特優(yōu)勢；以高效加工制造、快速終端交付的能力，為客戶提供整線工藝設(shè)備的交付服務(wù)。

光伏電池濕法設(shè)備Topcon工藝，使用強堿腐蝕在硅片背面拋光形成近似鏡面的絨面結(jié)構(gòu)，提高硅片對長波的吸收2.增加背鈍化膜的膜厚均勻性3.降低了背面的表面積，提升了少子壽命，降低背面復(fù)合速率。進(jìn)口PLC控制，穩(wěn)步提升設(shè)備的產(chǎn)能。l慢提拉采用機械臂慢提方式，設(shè)備滿足干濕分離，匹配高效電池發(fā)展趨勢。l可配套無金屬化制程設(shè)備，提高設(shè)備潔凈度。工藝槽采用經(jīng)典的內(nèi)外槽的循環(huán)模式，能快速有效的將新添加藥水以及添加劑充分?jǐn)嚢杈鶆颍蹆?nèi)控溫精度誤差＜±1℃。電池濕法RCA槽式清洗設(shè)備（Topcon工藝）采用閉環(huán)運動控制系統(tǒng)，保證輸送機構(gòu)運動平穩(wěn)性。

電池濕法去PSG設(shè)備主要是對太陽能電池用硅片進(jìn)行清洗處理，雙六道大產(chǎn)能去PSG清洗設(shè)備，結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性、產(chǎn)能、安全性升級。去PSG工藝首先將繞擴層PSG進(jìn)行去除，利用背面PSG保護(hù)，在槽式清洗中完成去繞度工藝。為尋求更為穩(wěn)定的硅片傳輸，整機設(shè)計為雙五道/雙六道分布結(jié)構(gòu)，料臺歸正寬度可調(diào)，兼容更多規(guī)格的硅片，并為后續(xù)18X硅片更大產(chǎn)能改造提供了預(yù)留窗口；去PSG設(shè)備布局前后通透，給設(shè)備使用者提供了便捷性；上料臺搭配了大流量全新滴液泵；濕法刻蝕設(shè)備（Perc 工藝）閉環(huán)運動控制系統(tǒng)，保證輸送機構(gòu)運動平穩(wěn)性。浙江大產(chǎn)能濕法設(shè)備費用

濕法刻蝕設(shè)備（Perc 工藝）拋光槽：上表面采用水膜保護(hù)及輥輪帶液方式，保護(hù)正面的同時，對背面作拋光處理。江蘇電池濕法

光伏電池濕法制絨設(shè)備，與多種主流工藝如PERC、TOPCON、HPBC等相匹配，在設(shè)備結(jié)構(gòu)、功能、產(chǎn)能和安全性等方面進(jìn)行了升級。其作用是對太陽能電池用硅片進(jìn)行清洗制絨處理，從而提升電池的質(zhì)量和效率。太陽能光伏濕法設(shè)備包括濕法制絨設(shè)備（Perc 工藝）、制絨設(shè)備（Topcon工藝）、濕法刻蝕設(shè)備（Perc 工藝）、RCA槽式清洗設(shè)備（Topcon工藝）、電池濕法背拋清洗設(shè)備（Topcon工藝）、濕法制絨設(shè)備（HJT工藝）、電池濕法背拋清洗設(shè)備（XBC工藝）、制絨清洗設(shè)備（XBC工藝）等江蘇電池濕法