電池濕法設備Topcon工藝，使用強堿腐蝕在硅片背面拋光形成近似鏡面的絨面結構，提高硅片對長波的吸收2.增加背鈍化膜的膜厚均勻性3.降低了背面的表面積，提升了少子壽命，降低背面復合速率。進口PLC控制，穩(wěn)步提升設備的產能。l慢提拉采用機械臂慢提方式，設備滿足干濕分離，匹配高效電池發(fā)展趨勢。l可配套無金屬化制程設備，提高設備潔凈度。工藝槽采用經典的內外槽的循環(huán)模式，能快速有效的將新添加藥水以及添加劑充分攪拌均勻，槽內控溫精度誤差＜±1℃。電池濕法設備的生產流程環(huán)保節(jié)能，減少對環(huán)境的影響，實現(xiàn)綠色制造和可持續(xù)發(fā)展。蘇州硅片濕法去BSG

電池濕法設備Perc工藝，濕濕法刻蝕設備功能是去除背面PSG和拋光處理。設備優(yōu)勢l閉環(huán)運動控制系統(tǒng)，保證輸送機構運動平穩(wěn)性。l拋光槽：上表面采用水膜保護及輥輪帶液方式，完整的保護正面的同時，對背面作拋光處理。l烘干槽：采用高壓風機+高效過濾器的方式，堿拋設備：鏈式去PSG+槽式堿拋設備，設備產能大，穩(wěn)定性好。l進口PLC控制，穩(wěn)步提升設備的產能。l慢提拉采用機械臂慢提方式，設備滿足干濕分離，匹配高效電池發(fā)展趨勢。l可配套無金屬化制程設備，提高設備潔凈度。l工藝槽采用經典的內外槽的循環(huán)模式，能快速有效的將新添加藥水以及添加劑充分攪拌均勻，槽內控溫精度誤差＜±1℃。西安晶片濕法設備Perc工藝濕法刻蝕設備（Perc 工藝）閉環(huán)運動控制系統(tǒng)，保證輸送機構運動平穩(wěn)性。

太陽能光伏濕法設備包括濕法制絨設備（Perc 工藝）、制絨設備（Topcon工藝）、濕法刻蝕設備（Perc 工藝）、RCA槽式清洗設備（Topcon工藝）、電池濕法背拋清洗設備（Topcon工藝）、濕法制絨設備（HJT工藝）、電池濕法背拋清洗設備（XBC工藝）、制絨清洗設備（XBC工藝）等；釜川生產制造的濕法設備能與多種主流工藝如PERC、TOPCON、HPBC等相匹配，在設備結構、功能、產能和安全性等方面進行了升級。其作用是對太陽能電池用硅片進行清洗制絨處理，從而提升電池的質量和效率。

光伏電池濕法制絨清洗設備在安全性方面，設備主要結構采用阻燃或不燃材料，確保安全可靠。進風離子風扇和去靜電環(huán)提供雙重保護，加熱部件則采用多重相異方式保護，從而降低了安全風險。大功率工業(yè)熱水機可以加快配槽速度，通過優(yōu)化程序實現(xiàn)能耗平衡。階梯節(jié)水和新型工藝槽換熱進水加溫結構，有效降低了能耗，從而降低了電池生產成本。光伏電池濕法制絨設備，與多種主流工藝如PERC、TOPCON、HPBC等相匹配，在設備結構、功能、產能和安全性等方面進行了升級。其作用是對太陽能電池用硅片進行清洗制絨處理，從而提升電池的質量和效率。電池濕法RCA槽式清洗設備可以去除多晶硅沉積的正面(LPCVD)PECVD繞鍍層。

電池濕法設備HJT工藝功能是去除切割損傷層和表面臟污l使用強堿腐蝕晶體硅表面形成規(guī)則金字塔狀絨面，增加硅片對太陽光的吸收，降低反射率l增加硅片表面積，進而PN結面積也相應增加。設備優(yōu)勢是進口PLC控制，兼容MES，UPS和RFID功能。機械手分配合理，有效避免藥液交叉污染和槽體反應超時。工藝槽采用經典的內外槽的循環(huán)模式，能快速有效的將新添加藥水以及添加劑充分攪拌均勻，槽內控溫精度誤差＜±1℃。所有與液體接觸的材料均采用進口材質，避免材料雜質析出；引進半導體清洗工藝，保證硅片表面的潔凈度。斜拉式慢提拉結構，有效提升脫水能力，匹配高效電池發(fā)展趨勢。采用低溫烘干技術，保證槽內的潔凈度和溫度均勻性。光伏電池濕法制絨設備（Topcon工藝）能提高硅片對長波的吸收。蘇州硅片濕法去BSG

電池濕法制絨清洗設備（XBC工藝）可配套無金屬化制程設備，提高設備潔凈度。蘇州硅片濕法去BSG

濕法設備Topcon工藝，拋清洗設備，功能是去除背面BSG和拋光處理。l閉環(huán)運動控制系統(tǒng)，保證輸送機構運動平穩(wěn)性。l拋光槽：上表面采用水膜保護及輥輪帶液方式，完整的保護正面的同時，對背面作拋光處理。l烘干槽：采用高壓風機+高效過濾器的方式，l鏈式去BSG+槽式堿拋設備，設備產能大，穩(wěn)定性好。l進口PLC控制，穩(wěn)步提升設備的產能。l慢提拉采用機械臂慢提方式，設備滿足干濕分離，匹配高效電池發(fā)展趨勢。l可配套無金屬化制程設備，提高設備潔凈度。l工藝槽采用經典的內外槽的循環(huán)模式，能快速有效的將新添加藥水以及添加劑充分攪拌均勻，槽內控溫精度誤差＜±1℃。蘇州硅片濕法去BSG