濕法設備HJT工藝功能是去除切割損傷層和表面臟污l使用強堿腐蝕晶體硅表面形成規(guī)則金字塔狀絨面，增加硅片對太陽光的吸收，降低反射率l增加硅片表面積，進而PN結(jié)面積也相應增加。設備優(yōu)勢是進口PLC控制，兼容MES，UPS和RFID功能。機械手分配合理，有效避免藥液交叉污染和槽體反應超時。工藝槽采用經(jīng)典的內(nèi)外槽的循環(huán)模式，能快速有效的將新添加藥水以及添加劑充分攪拌均勻，槽內(nèi)控溫精度誤差＜±1℃。所有與液體接觸的材料均采用進口材質(zhì)，避免材料雜質(zhì)析出；引進半導體清洗工藝，保證硅片表面的潔凈度。斜拉式慢提拉結(jié)構(gòu)，有效提升脫水能力，匹配高效電池發(fā)展趨勢。采用低溫烘干技術(shù)，保證槽內(nèi)的潔凈度和溫度均勻性。電池濕法背拋清洗設備（Topcon工藝）進口PLC控制，穩(wěn)步提升設備的產(chǎn)能。江西新型濕法制絨

電池濕法設備的成本因設備規(guī)模、生產(chǎn)能力、設備品質(zhì)等因素而異。一般來說，電池濕法設備的成本包括設備本身的采購費用、安裝調(diào)試費用、運行維護費用等。設備本身的采購費用是影響成本的主要因素之一，一般來說，設備規(guī)模越大，生產(chǎn)能力越高，設備品質(zhì)越好，成本也就越高。此外，設備的運行維護費用也是影響成本的重要因素之一，包括能源消耗、人工維護費用、設備壽命等。因此，在選擇電池濕法設備時，需要綜合考慮設備的采購費用、運行維護費用等因素，以確保設備的成本合理、經(jīng)濟。鄭州光伏濕法制絨光伏電池濕法制絨清洗設備（XBC工藝）使硅片正面絨面產(chǎn)生，背面區(qū)域打開。

濕法制絨清洗設備在安全性方面，設備主要結(jié)構(gòu)采用阻燃或不燃材料，確保安全可靠。進風離子風扇和去靜電環(huán)提供雙重保護，加熱部件則采用多重相異方式保護，從而降低了安全風險。大功率工業(yè)熱水機可以加快配槽速度，通過優(yōu)化程序?qū)崿F(xiàn)能耗平衡。階梯節(jié)水和新型工藝槽換熱進水加溫結(jié)構(gòu)，有效降低了能耗，從而降低了電池生產(chǎn)成本。光伏電池濕法制絨設備，與多種主流工藝如PERC、TOPCON、HPBC等相匹配，在設備結(jié)構(gòu)、功能、產(chǎn)能和安全性等方面進行了升級。其作用是對太陽能電池用硅片進行清洗制絨處理，從而提升電池的質(zhì)量和效率。

電池濕法去PSG設備主要是對太陽能電池用硅片進行清洗處理，2022年成功研發(fā)雙六道大產(chǎn)能去PSG清洗設備，并實現(xiàn)量產(chǎn)，結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性、產(chǎn)能、安全性升級。去PSG工藝首先將繞擴層PSG進行去除，利用背面PSG保護，在槽式清洗中完成去繞度工藝。為尋求更為穩(wěn)定的硅片傳輸，整機設計為雙五道/雙六道分布結(jié)構(gòu)，料臺歸正寬度可調(diào)，兼容更多規(guī)格的硅片，并為后續(xù)18X硅片更大產(chǎn)能改造提供了預留窗口；去PSG設備布局前后通透，給設備使用者提供了便捷性；上料臺搭配了大流量全新滴液泵；濕法制絨設備能快速有效的將新添加藥水以及添加劑充分攪拌均勻。

光伏濕法工藝設備的優(yōu)化設計和精確控制對于光伏產(chǎn)業(yè)的發(fā)展具有重要意義。首先，優(yōu)化設計可以提高設備的效率和穩(wěn)定性，降低生產(chǎn)成本，提高產(chǎn)品質(zhì)量和產(chǎn)量。其次，精確控制可以保證生產(chǎn)過程的穩(wěn)定性和一致性，減少生產(chǎn)過程中的誤差和損失，提高生產(chǎn)效率和產(chǎn)品質(zhì)量。此外，光伏濕法工藝設備的優(yōu)化設計和精確控制還可以提高光伏產(chǎn)業(yè)的競爭力，促進光伏產(chǎn)業(yè)的可持續(xù)發(fā)展。因此，對于光伏濕法工藝設備的優(yōu)化設計和精確控制，應該給予足夠的重視和投入。太陽能光伏電池濕法制絨設備（Topcon工藝）增加背鈍化膜的膜厚均勻性。合肥濕法設備

電池濕法背拋清洗設備（Topcon工藝）鏈式去BSG+槽式堿拋設備，設備產(chǎn)能大，穩(wěn)定性好；江西新型濕法制絨

電池濕法設備XBC工藝背拋清洗設備，功能l硅片拋光處理。優(yōu)勢：進口PLC控制，穩(wěn)步提升設備的產(chǎn)能。l慢提拉采用機械臂慢提方式，設備滿足干濕分離，匹配高效電池發(fā)展趨勢。l可配套無金屬化制程設備，提高設備潔凈度。l工藝槽采用經(jīng)典的內(nèi)外槽的循環(huán)模式，能快速有效的將新添加藥水以及添加劑充分攪拌均勻，槽內(nèi)控溫精度誤差＜±1℃。l去除切割損傷層和表面臟污l使用強堿腐蝕晶體硅表面形成規(guī)則金字塔狀絨面，增加硅片對太陽光的吸收，降低反射率l增加硅片表面積，進而PN結(jié)面積也相應增加。江西新型濕法制絨