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江蘇自動(dòng)化濕法刻蝕

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2024-01-30

光伏電池濕法設(shè)備Topcon工藝,拋清洗設(shè)備,功能是去除背面BSG和拋光處理。l閉環(huán)運(yùn)動(dòng)控制系統(tǒng),保證輸送機(jī)構(gòu)運(yùn)動(dòng)平穩(wěn)性。l拋光槽:上表面采用水膜保護(hù)及輥輪帶液方式,完整的保護(hù)正面的同時(shí),對(duì)背面作拋光處理。l烘干槽:采用高壓風(fēng)機(jī)+高效過(guò)濾器的方式,l鏈?zhǔn)饺SG+槽式堿拋設(shè)備,設(shè)備產(chǎn)能大,穩(wěn)定性好。l進(jìn)口PLC控制,穩(wěn)步提升設(shè)備的產(chǎn)能。l慢提拉采用機(jī)械臂慢提方式,設(shè)備滿(mǎn)足干濕分離,匹配高效電池發(fā)展趨勢(shì)。l可配套無(wú)金屬化制程設(shè)備,提高設(shè)備潔凈度。l工藝槽采用經(jīng)典的內(nèi)外槽的循環(huán)模式,能快速有效的將新添加藥水以及添加劑充分?jǐn)嚢杈鶆?,槽?nèi)控溫精度誤差<±1℃。光伏電池濕法背拋清洗設(shè)備(XBC工藝)進(jìn)口PLC控制,穩(wěn)步提升設(shè)備的產(chǎn)能。江蘇自動(dòng)化濕法刻蝕

江蘇自動(dòng)化濕法刻蝕,濕法

光伏電池濕法設(shè)備XBC工藝背拋清洗設(shè)備,功能l硅片拋光處理。優(yōu)勢(shì):進(jìn)口PLC控制,穩(wěn)步提升設(shè)備的產(chǎn)能。l慢提拉采用機(jī)械臂慢提方式,設(shè)備滿(mǎn)足干濕分離,匹配高效電池發(fā)展趨勢(shì)。l可配套無(wú)金屬化制程設(shè)備,提高設(shè)備潔凈度。l工藝槽采用經(jīng)典的內(nèi)外槽的循環(huán)模式,能快速有效的將新添加藥水以及添加劑充分?jǐn)嚢杈鶆?,槽?nèi)控溫精度誤差<±1℃。l去除切割損傷層和表面臟污l使用強(qiáng)堿腐蝕晶體硅表面形成規(guī)則金字塔狀絨面,增加硅片對(duì)太陽(yáng)光的吸收,降低反射率l增加硅片表面積,進(jìn)而PN結(jié)面積也相應(yīng)增加。蘇州自動(dòng)化濕法去BSG光伏電池濕法制絨設(shè)備能快速有效的將新添加藥水以及添加劑充分?jǐn)嚢杈鶆?,槽?nèi)控溫精度誤差<±1℃。

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在選擇電池濕法設(shè)備時(shí),需要考慮以下因素:1.生產(chǎn)規(guī)模:根據(jù)生產(chǎn)規(guī)模選擇合適的設(shè)備,以滿(mǎn)足生產(chǎn)需求。2.設(shè)備質(zhì)量:選擇質(zhì)量可靠、穩(wěn)定的設(shè)備,以確保生產(chǎn)過(guò)程中的安全和穩(wěn)定性。3.設(shè)備價(jià)格:根據(jù)預(yù)算選擇合適的設(shè)備,以確保經(jīng)濟(jì)效益。4.設(shè)備維護(hù)和保養(yǎng):選擇易于維護(hù)和保養(yǎng)的設(shè)備,以確保設(shè)備長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行。5.生產(chǎn)工藝:根據(jù)生產(chǎn)工藝選擇合適的設(shè)備,以確保生產(chǎn)過(guò)程中的效率和質(zhì)量。6.環(huán)保要求:選擇符合環(huán)保要求的設(shè)備,以確保生產(chǎn)過(guò)程中的環(huán)保性。7.廠家信譽(yù)度:選擇信譽(yù)度高、服務(wù)好的廠家,以確保售后服務(wù)質(zhì)量。8.技術(shù)支持:選擇提供技術(shù)支持的廠家,以確保設(shè)備的正常運(yùn)行和維護(hù)。

電池濕法去PSG設(shè)備主要是對(duì)太陽(yáng)能電池用硅片進(jìn)行清洗處理,2022年成功研發(fā)雙六道大產(chǎn)能去PSG清洗設(shè)備,并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性、產(chǎn)能、安全性升級(jí)。去PSG工藝首先將繞擴(kuò)層PSG進(jìn)行去除,利用背面PSG保護(hù),在槽式清洗中完成去繞度工藝。為尋求更為穩(wěn)定的硅片傳輸,整機(jī)設(shè)計(jì)為雙五道/雙六道分布結(jié)構(gòu),料臺(tái)歸正寬度可調(diào),兼容更多規(guī)格的硅片,并為后續(xù)18X硅片更大產(chǎn)能改造提供了預(yù)留窗口;去PSG設(shè)備布局前后通透,給設(shè)備使用者提供了便捷性;上料臺(tái)搭配了大流量全新滴液泵;濕法制絨設(shè)備(Topcon工藝)采用進(jìn)口PLC控制,穩(wěn)步提升設(shè)備的產(chǎn)能。

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濕法設(shè)備Topcon工藝,拋清洗設(shè)備,功能是去除背面BSG和拋光處理。閉環(huán)運(yùn)動(dòng)控制系統(tǒng),保證輸送機(jī)構(gòu)運(yùn)動(dòng)平穩(wěn)性。拋光槽:上表面采用水膜保護(hù)及輥輪帶液方式,完整的保護(hù)正面的同時(shí),對(duì)背面作拋光處理。烘干槽:采用高壓風(fēng)機(jī)+高效過(guò)濾器的方式,l鏈?zhǔn)饺SG+槽式堿拋設(shè)備,設(shè)備產(chǎn)能大,穩(wěn)定性好。進(jìn)口PLC控制,穩(wěn)步提升設(shè)備的產(chǎn)能。l慢提拉采用機(jī)械臂慢提方式,設(shè)備滿(mǎn)足干濕分離,匹配高效電池發(fā)展趨勢(shì)。l可配套無(wú)金屬化制程設(shè)備,提高設(shè)備潔凈度。工藝槽采用經(jīng)典的內(nèi)外槽的循環(huán)模式,能快速有效的將新添加藥水以及添加劑充分?jǐn)嚢杈鶆?,槽?nèi)控溫精度誤差<±1℃。電池濕法RCA槽式清洗設(shè)備(Topcon工藝)可以去除多晶硅沉積的正面(LPCVD)PECVD繞鍍層,去除表面剩余的BSG。大產(chǎn)能濕法堿拋設(shè)備

電池濕法背拋清洗設(shè)備(Topcon工藝)慢提拉采用機(jī)械臂慢提方式,設(shè)備滿(mǎn)足干濕分離,匹配高效電池發(fā)展趨勢(shì)。江蘇自動(dòng)化濕法刻蝕

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