電池濕法設備Topcon工藝，拋清洗設備，功能是去除背面BSG和拋光處理。l閉環(huán)運動控制系統(tǒng)，保證輸送機構運動平穩(wěn)性。l拋光槽：上表面采用水膜保護及輥輪帶液方式，完整的保護正面的同時，對背面作拋光處理。l烘干槽：采用高壓風機+高效過濾器的方式，l鏈式去BSG+槽式堿拋設備，設備產(chǎn)能大，穩(wěn)定性好。l進口PLC控制，穩(wěn)步提升設備的產(chǎn)能。l慢提拉采用機械臂慢提方式，設備滿足干濕分離，匹配高效電池發(fā)展趨勢。l可配套無金屬化制程設備，提高設備潔凈度。l工藝槽采用經(jīng)典的內(nèi)外槽的循環(huán)模式，能快速有效的將新添加藥水以及添加劑充分攪拌均勻，槽內(nèi)控溫精度誤差＜±1℃。光伏電池濕法背拋清洗設備（XBC工藝）可配套無金屬化制程設備，提高設備潔凈度。無錫高效濕法工藝

光伏電池濕法設備Topcon工藝，拋清洗設備，功能是去除背面BSG和拋光處理。l閉環(huán)運動控制系統(tǒng)，保證輸送機構運動平穩(wěn)性。l拋光槽：上表面采用水膜保護及輥輪帶液方式，完整的保護正面的同時，對背面作拋光處理。l烘干槽：采用高壓風機+高效過濾器的方式，l鏈式去BSG+槽式堿拋設備，設備產(chǎn)能大，穩(wěn)定性好。l進口PLC控制，穩(wěn)步提升設備的產(chǎn)能。l慢提拉采用機械臂慢提方式，設備滿足干濕分離，匹配高效電池發(fā)展趨勢。l可配套無金屬化制程設備，提高設備潔凈度。l工藝槽采用經(jīng)典的內(nèi)外槽的循環(huán)模式，能快速有效的將新添加藥水以及添加劑充分攪拌均勻，槽內(nèi)控溫精度誤差＜±1℃。南京大產(chǎn)能濕法去PSG濕法刻蝕設備（Perc 工藝）拋光槽：上表面采用水膜保護及輥輪帶液方式，保護正面的同時，對背面作拋光處理。

濕法設備包括濕法制絨設備（Perc 工藝）、制絨設備（Topcon工藝）、濕法刻蝕設備（Perc 工藝）、RCA槽式清洗設備（Topcon工藝）、電池濕法背拋清洗設備（Topcon工藝）、濕法制絨設備（HJT工藝）、電池濕法背拋清洗設備（XBC工藝）、制絨清洗設備（XBC工藝）等；釜川生產(chǎn)制造的濕法設備能與多種主流工藝如PERC、TOPCON、HPBC等相匹配，在設備結(jié)構、功能、產(chǎn)能和安全性等方面進行了升級。其作用是對太陽能電池用硅片進行清洗制絨處理，從而提升電池的質(zhì)量和效率。

電池濕法設備Perc工藝，濕法制絨設備功能是去除切割損傷層和表面臟污2.使用強堿腐蝕晶體硅表面形成規(guī)則金字塔狀絨面，增加硅片對太陽光的吸收，降低反射率3.增加硅片表面積，進而PN結(jié)面積也響應增加。設備優(yōu)勢?采用機械臂慢提方式，設備滿足干濕分離，匹配高效電池發(fā)展趨勢。工藝槽采用經(jīng)典的內(nèi)外槽循環(huán)模式，能快速有效的將新添加藥水以及添加劑充分攪拌均勻，槽內(nèi)控溫精度誤差＜±1℃。電池濕法設備能改善電池表面微觀結(jié)構，提升硅片表面潔凈度，降低表面污染，從而提升電池轉(zhuǎn)化效率。電池濕法RCA槽式清洗設備可以去除多晶硅沉積的正面(LPCVD)PECVD繞鍍層。

光伏濕法設備是一種用于生產(chǎn)太陽能電池的設備，其生產(chǎn)效率主要取決于設備的技術水平、生產(chǎn)工藝和材料質(zhì)量等因素。目前，光伏濕法設備的生產(chǎn)效率已經(jīng)非常高，可以達到非常高的水平。首先，光伏濕法設備采用的是先進的生產(chǎn)工藝和技術，可以實現(xiàn)高效的生產(chǎn)過程。其次，設備采用的是高質(zhì)量的材料，可以保證生產(chǎn)出的太陽能電池具有高效的轉(zhuǎn)換效率和長久的使用壽命。此外，光伏濕法設備還具有高度的自動化程度，可以實現(xiàn)高效的生產(chǎn)流程和減少人工干預的機會。總的來說，光伏濕法設備的生產(chǎn)效率已經(jīng)非常高，可以滿足市場對高效、高質(zhì)量太陽能電池的需求。未來，隨著技術的不斷發(fā)展和創(chuàng)新，光伏濕法設備的生產(chǎn)效率還將不斷提高，為太陽能產(chǎn)業(yè)的發(fā)展提供更加強有力的支持。光伏電池濕法制絨設備（Perc 工藝）采用機械臂慢提方式，設備滿足干濕分離，匹配高效電池發(fā)展趨勢。鄭州半導體濕法工藝

光伏電池濕法背拋清洗設備（XBC工藝）慢提拉采用機械臂慢提方式，設備滿足干濕分離。無錫高效濕法工藝

電池濕法去PSG設備主要是對太陽能電池用硅片進行清洗處理，2022年成功研發(fā)雙六道大產(chǎn)能去PSG清洗設備，并實現(xiàn)量產(chǎn)，結(jié)構穩(wěn)定性、產(chǎn)能、安全性升級。去PSG工藝首先將繞擴層PSG進行去除，利用背面PSG保護，在槽式清洗中完成去繞度工藝。為尋求更為穩(wěn)定的硅片傳輸，整機設計為雙五道/雙六道分布結(jié)構，料臺歸正寬度可調(diào)，兼容更多規(guī)格的硅片，并為后續(xù)18X硅片更大產(chǎn)能改造提供了預留窗口；去PSG設備布局前后通透，給設備使用者提供了便捷性；上料臺搭配了大流量全新滴液泵；無錫高效濕法工藝