電鍍銅裝備中工序包括種子層制備、圖形化、電鍍三大環(huán)節(jié)，涌現(xiàn)多種設備方案。電鍍銅 工藝尚未定型，各環(huán)節(jié)技術方案包括（1）種子層：設備主要采用 PVD，主要技術分歧 在于是否制備種子層、制備整面/局部種子層和種子層金屬選用；（2）圖形化：感光材料 分為干膜和油墨，主要技術分歧在于曝光顯影環(huán)節(jié)選用掩膜類光刻/LDI 激光直寫/激光 開槽；（3）電鍍：主要技術分歧在于水平鍍/垂直鍍/光誘導電鍍。釜川（無錫）智能科技有限公司，以半導體生產(chǎn)設備、太陽能電池生產(chǎn)設備為主要產(chǎn)品，打造光伏設備一體化服務。擁有強大的科研團隊，憑借技術競爭力，在清洗制絨設備、PECVD設備、PVD設備、電鍍銅設備等方面都有獨特優(yōu)勢；以高效加工制造、快速終端交付的能力，為客戶提供整線工藝設備的交付服務。電鍍銅工序包括電鍍環(huán)節(jié)。無錫新型電鍍銅

銅電鍍是一種非接觸式的電極金屬化技術，在基體金屬表面通過電解方法沉積金屬銅制作銅柵線，收集光伏效應產(chǎn)生的 載流子。為解決電鍍銅與透明導電薄膜（TCO）之間的接觸與附著性問題，需先 使用 PVD 設備鍍一層極薄的銅種子層（100nm），銜接前序的 TCO 和后序的電 鍍銅，種子層制備后還需對其進行快速燒結處理，以進一步強化附著力。同時， 銅種子層作為后續(xù)電鍍銅的勢壘層，可防止銅向硅內部擴散。銀漿成本高有四大降本路徑，兩大方向。一是減少高價低溫銀漿用量，例如多主 柵（MBB）、激光轉?。欢菧p少銀粉的用量，使用賤金屬替代部分銀粉，例 如銀包銅、電鍍銅。異質結電鍍銅技術電鍍銅+電鍍錫的組合確實能夠有效降低生產(chǎn)成本，同時允許實現(xiàn)共線生產(chǎn)，有助于降低設備成本。

銅電鍍與傳統(tǒng)絲網(wǎng)印刷的差異主要在TCO膜制備工序之后，前兩道的工藝制絨與PVD濺射未變：傳統(tǒng)異質結產(chǎn)線在TCO膜制備之后采用銀漿印刷和燒結，而銅電鍍則把銀漿絲網(wǎng)印刷替換成制備銅柵線的圖形化和金屬化兩大工序。圖形化工藝：PVD（物理的氣相沉積法）設備在硅片TCO表面濺射一層100nm的銅種子層，使用石蠟或油墨印刷機（掩膜一體機）的濕膜法制作掩膜/噴涂感光膠，印刷、烘干后經(jīng)過曝光機曝光處理后，將感光膠或光刻膠上的圖形顯影。金屬化工藝：特定圖形的銅沉積（電鍍銅），然后使用不同的抗氧化方法進行處理（電鍍鋅或使用抗氧化劑制作保護層），除去之前的掩膜/感光膠，刻蝕去除多余銅種子層，避免電鍍銅在種子層腐蝕過程中引入缺陷，露出原本的TCO，其后再進行表面處理，至此形成完整的銅電鍍工序。整個過程使用的主要設備是電鍍設備。

電鍍銅光伏電池滲透率：根據(jù)CPIA數(shù)據(jù)，至2030年光伏電池片正面金屬電池技術市場仍以銀電極為主導，約占87.5%，非銀電極技術包括銀包銅等，約為12.5%，該比例口徑為所有類型的電池片，而N型電池片在運用銀包銅、激光轉印等降本路線上較為積極，我們假設在N型電池中，2030年銀電極占比下調為65%。目前銀包銅技術相較電鍍銅更為成熟，但未來一旦銅電鍍技術成熟后，大幅降本增效的銅電鍍產(chǎn)業(yè)化進程會更加快速，因此假設2022-2030年銅電鍍工藝在非銀電極中占比為自15%提升至70%，對應2022-2030年銅電鍍光伏電池滲透率自0.45%提升至24.5%。電鍍銅工序包括種子層制備環(huán)節(jié)。

光伏電鍍銅裝備插片式電鍍：將待鍍電池設置在陰極導電支架上，向下插入使一個導電支撐單元位于相鄰兩個陽極板組件之間以實現(xiàn)電鍍。根據(jù)相關描述，該設備可實現(xiàn)雙面電鍍，單線可做到14000整片/小時，破片率＜0.02%，提高了裝置產(chǎn)能和電鍍質量，降低了不良率，結構合理、占地面積小。此外，根據(jù)相關技術通過將電池片設置在導電支撐單元上，移動陰極導電花籃使導電支撐單元在多個陽極單元的陽極板組件間移動以實現(xiàn)電鍍；該電鍍裝置產(chǎn)能可達24000整片/小時，電鍍均勻性更好，提高了電鍍質量，減少了碎片風險電鍍銅可以用于各種金屬表面，包括鋼鐵、鋁合金、不銹鋼等，具有廣泛的應用范圍。安徽自動化電鍍銅設備費用

圖形化是電鍍銅整個工藝路線中的重要環(huán)節(jié)，主要分為光刻路線和激光 路線兩種。無錫新型電鍍銅

銀漿成本高有四大降本路徑，兩大方向。一是減少高價低溫銀漿用量 二是減少銀粉的用量，使用賤金屬替代部分銀粉，例如銀包銅、電鍍銅。銅電鍍是一種非接觸式的電極金屬化技術，在基體金屬表面通過電解方法沉積金屬銅制作銅柵線，收集光伏效應產(chǎn)生的載流子。為解決電鍍銅與透明導電薄膜（TCO）之間的接觸與附著性問題，需先使用PVD設備鍍一層極薄的銅種子層（100nm），銜接前序的TCO和后序的電鍍銅，種子層制備后還需對其進行快速燒結處理，以進一步強化附著力。同時，銅種子層作為后續(xù)電鍍銅的勢壘層，可防止銅向硅內部擴散。無錫新型電鍍銅