降低低頻和高頻范圍內(nèi)電磁干擾的常規(guī)方法2-穩(wěn)壓IC技術(shù)專題
另一種緩解EMI的傳統(tǒng)方法是使用擴(kuò)頻（或時鐘抖動）來調(diào)制開關(guān)電源的開關(guān)頻率，這將減少與基本開關(guān)頻率及其諧波相關(guān)的頻譜峰值，但以增加噪聲地板為代價，如圖5所示。
擴(kuò)頻技術(shù)是一種很有吸引力的技術(shù)，因為它易于實現(xiàn)，而且您可以將其與其他EMI降低方法結(jié)合使用。然而，它并不是***的，因為它只能相對減少現(xiàn)有的電磁干擾，而且本質(zhì)上，它的性能隨著開關(guān)頻率的降低而降低。此外，您傳統(tǒng)上只能將擴(kuò)頻應(yīng)用于單個頻帶，原因我們將在下一節(jié)中探討。
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為減少電源中的電磁干擾而進(jìn)行的省時、經(jīng)濟(jì)高效的創(chuàng)新-IT穩(wěn)壓IC關(guān)鍵技術(shù)
隨著電子系統(tǒng)變得越來越密集和互連，減少電磁干擾（EMI）的影響成為越來越重要的系統(tǒng)設(shè)計考慮因素。
1、什么是EMI？
電磁干擾（EMI）是一種電磁能量，是開關(guān)電流和電壓產(chǎn)生的不良副產(chǎn)品，它來自各種物理現(xiàn)象，并在嚴(yán)格的電磁干擾測試中表現(xiàn)出來。
2、減少電磁干擾的常規(guī)方法
減少電磁干擾是一項充滿權(quán)衡的努力。減少電磁干擾的傳統(tǒng)方法包括使用大型、昂貴的濾波器或降低開關(guān)轉(zhuǎn)換率，這是一種直接影響效率的技術(shù)。
3、減少電磁干擾的創(chuàng)新
為了實現(xiàn)開關(guān)電源的所有優(yōu)點，降低EMI技術(shù)必須解決傳統(tǒng)的權(quán)衡問題。這需要針對低頻和高頻EMI的創(chuàng)造性解決方案，以及精確的建模技術(shù)。
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直流/直流負(fù)載點解決方案解決了規(guī)模、效率、性能或成本問題約束條件。我們的解決方案范圍從分立器件到集成電源解決方案，集成電路封裝中包含磁性。由于工作電壓高達(dá)100V，TI的寬VIN產(chǎn)品組合消除了輸入保護(hù)組件，以降低成本和解決方案尺寸。降壓式DC/DC轉(zhuǎn)換器-集成MOSFET技術(shù)-穩(wěn)壓IC在過去幾年中達(dá)到了較高的密度，以在較小的封裝中提供更高的效率。
TI的DC/DC轉(zhuǎn)換器提供了許多高達(dá)30A的引人注目的解決方案。
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取消繞組-TI穩(wěn)壓IC技術(shù)專題
為了幫助很好小化無源濾波的尺寸，針對高功率密度5至20伏交流/直流適配器的65瓦有源箝位反激式硅場效應(yīng)晶體管參考設(shè)計采用了隔離轉(zhuǎn)換器特有的基于消除繞組和屏蔽的方法。如圖15所示，改進(jìn)后的內(nèi)部變壓器結(jié)構(gòu)在內(nèi)部一次和二次層之間插入了一個額外的輔助繞組層（如黑色所示），用于CM平衡。輔助CM平衡層屏蔽了內(nèi)半初級到次級接口，并有助于產(chǎn)生抵消CM電壓，使外半初級層的CM注入為零。均衡輔助繞組和一次外層到二次層的寄生電容有助于通過從抵消層推送反相CM電流，使從外半初級層注入二次層的CM電流為零。凈效應(yīng)（流入二次層的CM電流接近于零）減少了CM發(fā)射，明顯幫助設(shè)計滿足EMI頻譜標(biāo)準(zhǔn)，且CM濾波很好小。
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增強(qiáng)型熱棒? QFN公司
增強(qiáng)型HotRod quad flat no lead（QFN）封裝提供了HotRod封裝的所有EMI降低功能，并具有更低開關(guān)節(jié)點電容的額外優(yōu)勢，從而大降低了振鈴。在具有增強(qiáng)型熱棒QFN的設(shè)備中，寄生在輸入電壓（VIN）和接地（GND）引腳上的電阻-導(dǎo)體-電容器（RLC）也較低
與HotRod軟件包相比。
LM60440-Q1降壓轉(zhuǎn)換器采用增強(qiáng)型熱棒QFN，下頁圖18顯示了引腳和電路板布局。增強(qiáng)型HotRod QFN不僅提高了效率，還包括封裝中心有一個大型模具連接墊（DAP）的封裝外形。與熱棒封裝相比，DAP有助于通過PCB更好地散熱，并將結(jié)溫升高降低15%以上。此外，VIN、GND和開關(guān)節(jié)點引腳上較低的RLC寄生也會提高效率并降低EMI。正如預(yù)期的那樣，這會產(chǎn)生更好的EMI，尤其是在交換機(jī)節(jié)點振鈴頻帶周圍
如下圖19所示。
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