3或4串電池組的二級(jí)保護(hù)芯片主要描述XBM4X30系列產(chǎn)品內(nèi)置高精度的電壓檢測(cè)電路和延遲電路，是一款用于可充電電池組的二級(jí)保護(hù)芯片，通過檢測(cè)電池包中每一節(jié)電芯的電壓，為電池包提供過充電保護(hù)和過放保護(hù)1。功能特點(diǎn)高精度電池電壓檢測(cè)功能：過充電檢測(cè)電壓-（步進(jìn)50mV），精度±25mV；過充電電壓0-（步進(jìn)50mV），精度±50mV；過放電檢測(cè)電壓-（步進(jìn)100mV），精度±80mV；過放電電壓0V-（步進(jìn)100mV），精度±100mV1。保護(hù)延時(shí)內(nèi)置可選：可根據(jù)不同應(yīng)用場(chǎng)景選擇合適的保護(hù)延時(shí)1。內(nèi)置斷線保護(hù)功能（可選）：增加了電池使用的安全性1。輸出方式可選：有CMOS輸出、N溝道開路漏級(jí)輸出、P溝道開路漏級(jí)輸出三種方式1。輸出邏輯可選：動(dòng)態(tài)輸出H、動(dòng)態(tài)輸出。 3~4串集成均衡/NTC/Sense XBM5244.廣州XBM7102賽芯現(xiàn)貨

    多節(jié)鋰電保護(hù)產(chǎn)品二級(jí)保護(hù)二級(jí)保護(hù)是指使用PTC、MHP、等被動(dòng)組件來保護(hù)電池。鋰電池保護(hù)板分為一級(jí)保護(hù)和二級(jí)保護(hù)。一級(jí)保護(hù)通常指的是主動(dòng)組件保護(hù)，包括保護(hù)IC和MOSFET，它能夠?qū)崟r(shí)監(jiān)測(cè)電池的電壓和充放電電流，并在必要時(shí)MOSFET的導(dǎo)通或關(guān)斷，以防止電池過充、過放、過載及短路。而二級(jí)保護(hù)則是指使用PTC、MHP、絲等被動(dòng)組件來進(jìn)一步增強(qiáng)電池的安全性。這些組件通常是溫度敏感的，能夠在電池溫度異常升高時(shí)呈現(xiàn)高阻狀態(tài)，阻止電流流動(dòng)，從而避免可能的危險(xiǎn)情況當(dāng)電池溫度異常升高時(shí)，PTC或MHP會(huì)呈現(xiàn)高阻狀態(tài)，阻礙電池的充放電，從而防止鋰電池的起火。這種保護(hù)方式被稱為二級(jí)保護(hù)，它是一種被動(dòng)組件保護(hù)，通常作為一級(jí)保護(hù)電路（IC/Mosfet）的補(bǔ)充。 天津2m1EAB賽芯內(nèi)置均衡 內(nèi)置MOS 2節(jié)鋰保節(jié)鋰電保護(hù)芯片(三元/磷酸鐵鋰)XBM5244 均衡,推挽,充電過流檢測(cè).3-4串XBM4X30 開漏。

移動(dòng)電源應(yīng)用兩串鋰電池保護(hù)芯片介紹、35W以內(nèi)、XBM2138QFA  2串鋰保集成MOS內(nèi)置均衡：對(duì)兩節(jié)節(jié)串聯(lián)可再充電鋰離子/鋰聚合物電池的過充電、過放電和過電流進(jìn)行保護(hù)，同時(shí)具備電池反接保護(hù)功能，這些功能對(duì)于鋰電池的安全使用極其重要3。過電流保護(hù)閾值調(diào)節(jié)：保護(hù)芯片功能基本保護(hù)功能：對(duì)兩節(jié)節(jié)串聯(lián)可再充電鋰離子/鋰聚合物電池的過充電、過放電和過電流進(jìn)行保護(hù)，同時(shí)具備電池反接保護(hù)功能，這些功能對(duì)于鋰電池的安全使用極其重要3。過電流保護(hù)閾值調(diào)節(jié)，可組成一個(gè)充放電工作的電路。若再加上鋰電池輸出電路，鋰電池就可以實(shí)現(xiàn)邊充邊放的功能、XBM2138QFA

    PCBLayout參考---兩顆芯片并聯(lián)兩個(gè)同型號(hào)的鋰電保護(hù)可以直接并聯(lián)，實(shí)現(xiàn)幾乎是直接翻倍的帶載能力，降低內(nèi)阻，提高效率，但布板清注意：①兩個(gè)芯片盡量對(duì)稱，直接跨接在B-和大地上。②B-和VM盡量大面積鋪地，減小布線內(nèi)阻和加強(qiáng)散熱。③，每片鋰電保護(hù)IC都需要一個(gè)。100Ω電阻**好共用一顆電阻，并且布的離VDD近些，盡量與兩個(gè)芯片距離差不都。④VDD采樣線可以略長(zhǎng)些，也無需多粗，但需要繞開干擾源-VDD采樣線里面沒有大電流。PCBLayout參考---DFN1*1-4①DFN1*1-4封裝較小，PCB板上，封裝焊盤略大一些，避免虛焊。②，走線經(jīng)過電阻后，先經(jīng)過電容再到芯片的VDD。③電容的GND盡量短的回到芯片的GND，使整個(gè)電容環(huán)路**小。④芯片的GND（B-）到VM建議預(yù)留一個(gè)C2（）電容位置，C2電容可以提高ESD和抗干擾能力。⑤芯片的EPAD，建議連接芯片的GND（B-）或者懸空。 5串/NTC/MSOP10多節(jié)鋰電保護(hù)產(chǎn)品——二級(jí)保護(hù) XBM4530。

 XBM4530系列產(chǎn)品內(nèi)二級(jí)保護(hù)芯片、置高精度的電壓檢測(cè)電路和延遲電路，是一款用于可充電電池組的二級(jí)保護(hù)芯片，通過檢測(cè)電池包中每一節(jié)電芯的電壓，為電池包提供過充電保護(hù)和過放保護(hù)1。功能特點(diǎn)高精度電池電壓檢測(cè)功能：過充電檢測(cè)電壓-（步進(jìn)50mV），精度±25mV；過充電電壓0-（步進(jìn)50mV），精度±50mV；過放電檢測(cè)電壓-（步進(jìn)100mV），精度±80mV；過放電電壓0V-（步進(jìn)100mV），精度±100mV1。保護(hù)延時(shí)內(nèi)置可選：可根據(jù)不同應(yīng)用場(chǎng)景選擇合適的保護(hù)延時(shí)1。內(nèi)置斷線保護(hù)功能（可選）：增加了電池使用的安全性1。輸出方式可選：有CMOS輸出、N溝道開路漏級(jí)輸出、P溝道開路漏級(jí)輸出三種方式1。輸出邏輯可選：動(dòng)態(tài)輸出H、動(dòng)態(tài)輸出。DS3730B AC模式：30-65W 移動(dòng)電源模式：20-35W.佛山6096J9o賽芯現(xiàn)貨

鋰電池保護(hù)系列XySemi的產(chǎn)品系列，產(chǎn)品涵蓋從幾毫安時(shí)的小容量電池到幾萬毫安時(shí)的超大容量電池。廣州XBM7102賽芯現(xiàn)貨

    深圳市點(diǎn)思半導(dǎo)體有限公司專注于智能電源技術(shù)，主要面向智能快充，儲(chǔ)能和工業(yè)電源領(lǐng)域，提供高性能數(shù)?；旌闲酒a(chǎn)品。公司成立于2023年，總部設(shè)立在深圳，同時(shí)在成都設(shè)有研發(fā)中心。**研發(fā)團(tuán)隊(duì)來自國(guó)內(nèi)外前列半導(dǎo)體公司，擁有多位海歸大廠技術(shù)骨干，都擁有著10年以上的芯片開發(fā)經(jīng)驗(yàn)，擁有強(qiáng)大的研發(fā)創(chuàng)新能力。創(chuàng)立之初便推出了多款移動(dòng)電源SOC，幫助客戶實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品升級(jí)，受到客戶的高度認(rèn)可。移動(dòng)電源SOC具有高集成、多協(xié)議雙向快充，集成了同步開關(guān)升降壓變換器、電池充放電管理模塊、電量計(jì)算模塊、顯示模塊、協(xié)議模塊，并提供輸入/輸出的過壓/欠壓，電池過充/過放、NTC過溫、放電過流、輸出短路保護(hù)等保護(hù)功能，支持1-6節(jié)電池，支持點(diǎn)思半導(dǎo)體秉承著為客戶提供質(zhì)量產(chǎn)品的理念，立志成為國(guó)內(nèi)前列的數(shù)?；旌闲酒O(shè)計(jì)公司。從業(yè)20年的***市場(chǎng)總監(jiān)帶領(lǐng)團(tuán)隊(duì)分析市場(chǎng)需求和發(fā)展趨勢(shì),為公司產(chǎn)品研發(fā)指出方向。 廣州XBM7102賽芯現(xiàn)貨