動(dòng)態(tài)測(cè)試測(cè)試方法：準(zhǔn)備測(cè)試向量如下（以8個(gè)pin腳為例）在上面示例的向量運(yùn)行時(shí)，頭一個(gè)信號(hào)管腳在第2個(gè)周期測(cè)試，當(dāng)測(cè)試機(jī)管腳驅(qū)動(dòng)電路關(guān)閉，動(dòng)態(tài)電流負(fù)載單元開(kāi)始通過(guò)VREF將管腳電壓向+3V拉升，如果VDD的保護(hù)二極管工作，當(dāng)電壓升至約+0.65V時(shí)它將導(dǎo)通，從而將VREF的電壓鉗制住，同時(shí)從可編程電流負(fù)載的IOL端吸收越+400uA的電流。這時(shí)候進(jìn)行輸出比較的結(jié)果將是pass，因?yàn)?0.65V在VOH（+1.5V）和VOL（+0.2V）之間，即屬于“Z態(tài)”。如果短路，輸出比較將檢測(cè)到0V；如果開(kāi)路，輸出端將檢測(cè)到+3V，它們都會(huì)使整個(gè)開(kāi)短路功能測(cè)試結(jié)果為fail。注：走Z測(cè)試的目的更主要的是檢查是否存在pin-to-pin的短路。芯片測(cè)試機(jī)可以進(jìn)行結(jié)構(gòu)測(cè)試，用于測(cè)量芯片的延遲和功耗等參數(shù)。貴陽(yáng)MINI芯片測(cè)試機(jī)哪家好
設(shè)計(jì)公司主要目標(biāo)是根據(jù)市場(chǎng)需求來(lái)進(jìn)行芯片研發(fā)，在整個(gè)設(shè)計(jì)過(guò)程中，需要一直考慮測(cè)試相關(guān)的問(wèn)題，主要有下面幾個(gè)原因：1） 隨著芯片的復(fù)雜度原來(lái)越高，芯片內(nèi)部的模塊越來(lái)越多，制造工藝也是越來(lái)越先進(jìn)，對(duì)應(yīng)的失效模式越來(lái)越多，而如何能完整有效地測(cè)試整個(gè)芯片，在設(shè)計(jì)過(guò)程中需要被考慮的比重越來(lái)越多。2） 設(shè)計(jì)、制造、甚至測(cè)試本身，都會(huì)帶來(lái)一定的失效，如何保證設(shè)計(jì)處理的芯片達(dá)到設(shè)計(jì)目標(biāo)，如何保證制造出來(lái)的芯片達(dá)到要求的良率，如何確保測(cè)試本身的質(zhì)量和有效，從而提供給客戶符合產(chǎn)品規(guī)范的、質(zhì)量合格的產(chǎn)品，這些都要求必須在設(shè)計(jì)開(kāi)始的頭一時(shí)間就要考慮測(cè)試方案。3） 成本的考量。越早發(fā)現(xiàn)失效，越能減少無(wú)謂的浪費(fèi)；設(shè)計(jì)和制造的冗余度越高，越能提供較終產(chǎn)品的良率；同時(shí)，如果能得到更多的有意義的測(cè)試數(shù)據(jù)，也能反過(guò)來(lái)提供給設(shè)計(jì)和制造端有用的信息，從而使得后者有效地分析失效模式，改善設(shè)計(jì)和制造良率。臨沂MINI芯片測(cè)試機(jī)源頭廠家芯片測(cè)試機(jī)通常連接到計(jì)算機(jī)上進(jìn)行測(cè)試。
芯片測(cè)試的流程，芯片測(cè)試的主要流程包括測(cè)試方案設(shè)計(jì)、測(cè)試系統(tǒng)構(gòu)建、芯片樣品測(cè)試和測(cè)試結(jié)果分析等步驟。測(cè)試方案設(shè)計(jì)階段需要根據(jù)芯片的具體需求和測(cè)試目的，確定測(cè)試平臺(tái)、測(cè)試方法和數(shù)據(jù)采集方式等；測(cè)試系統(tǒng)構(gòu)建階段則需要選用合適的測(cè)試設(shè)備、測(cè)試軟件和試驗(yàn)工具，搭建出符合測(cè)試要求的完整測(cè)試系統(tǒng)；芯片樣品測(cè)試階段則通過(guò)測(cè)試平臺(tái)對(duì)芯片進(jìn)行各項(xiàng)測(cè)試，記錄測(cè)試數(shù)據(jù)和結(jié)果；然后在測(cè)試結(jié)果分析階段對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行處理、統(tǒng)計(jì)推斷和評(píng)估分析，得到較終的測(cè)試結(jié)論并給出相應(yīng)建議。
本發(fā)明在另一實(shí)施例中公開(kāi)一種芯片測(cè)試機(jī)的測(cè)試方法。該測(cè)試方法包括以下步驟：將多個(gè)待測(cè)試芯片放置于多個(gè)tray盤(pán)中，每一個(gè)tray盤(pán)中放置多個(gè)待測(cè)試芯片，將多個(gè)tray盤(pán)放置于自動(dòng)上料裝置，并在自動(dòng)下料裝置及不良品放置臺(tái)上分別放置一個(gè)空tray盤(pán)；移載裝置從自動(dòng)上料裝置的tray盤(pán)中取出待測(cè)試芯片移載至測(cè)試裝置進(jìn)行測(cè)試；芯片測(cè)試完成后，移載裝置將測(cè)試合格的芯片移載至自動(dòng)下料裝置的空tray盤(pán)中，將不良品移載至不良品放置臺(tái)的空tray盤(pán)中；當(dāng)自動(dòng)上料裝置的一個(gè)tray盤(pán)中的待測(cè)試芯片全部完成測(cè)試，且自動(dòng)下料裝置的空tray盤(pán)中放滿測(cè)試合格的芯片后，移載裝置將自動(dòng)上料裝置的空tray盤(pán)移載至自動(dòng)下料裝置。芯片測(cè)試機(jī)可以進(jìn)行周期測(cè)試，測(cè)試電路在不同電壓和溫度下的表現(xiàn)。
優(yōu)先選擇地，所述機(jī)架上還設(shè)置有加熱裝置，所述加熱裝置至少包括高溫加熱機(jī)構(gòu)，所述高溫加熱機(jī)構(gòu)位于所述測(cè)試裝置的上方，所述高溫加熱機(jī)構(gòu)包括高溫加熱頭、頭一移動(dòng)機(jī)構(gòu)及下壓機(jī)構(gòu)，所述下壓機(jī)構(gòu)與所述頭一移動(dòng)機(jī)構(gòu)相連，所述高溫加熱頭與所述下壓機(jī)構(gòu)相連。優(yōu)先選擇地，所述加熱裝置還包括預(yù)加熱緩存機(jī)構(gòu)，所述預(yù)加熱緩存機(jī)構(gòu)位于所述自動(dòng)上料裝置與所述測(cè)試裝置之間，所述預(yù)加熱緩存機(jī)構(gòu)包括預(yù)加熱工作臺(tái)，所述預(yù)加熱工作臺(tái)上設(shè)有多個(gè)預(yù)加熱工位。芯片測(cè)試機(jī)可以用于進(jìn)行芯片的時(shí)序分析。韶關(guān)芯片測(cè)試機(jī)廠商
利用芯片測(cè)試機(jī)，可以減少制造過(guò)程中的失敗率。貴陽(yáng)MINI芯片測(cè)試機(jī)哪家好
測(cè)試系統(tǒng)的基本工作機(jī)制：對(duì)測(cè)試機(jī)進(jìn)行編寫(xiě)程序，從而使得測(cè)試機(jī)產(chǎn)生任何類型的信號(hào)，多個(gè)信號(hào)一起組成測(cè)試模式或測(cè)試向量，在時(shí)間軸的某一點(diǎn)上向DUT施加一個(gè)測(cè)試向量，將DUT產(chǎn)生的輸出反饋輸入測(cè)試機(jī)的儀器中測(cè)量其參數(shù)，把測(cè)量結(jié)果與存儲(chǔ)在測(cè)試機(jī)中的“編程值”進(jìn)行比較，如果測(cè)量結(jié)果在可接受公差范圍內(nèi)匹配測(cè)試機(jī)中的“編程值”，那么這顆DUT就會(huì)被認(rèn)為是好品，反之則是壞品，按照其失效的種類進(jìn)行記錄。晶圓測(cè)試(wafer test,或者CP-chip probering)：就是在晶圓上直接進(jìn)行測(cè)試，下面圖中就是一個(gè)完整的晶圓測(cè)試自動(dòng)化系統(tǒng)。貴陽(yáng)MINI芯片測(cè)試機(jī)哪家好