優(yōu)先選擇地，所述機(jī)架上還設(shè)置有預(yù)定位裝置，所述預(yù)定位裝置包括預(yù)定位旋轉(zhuǎn)氣缸、預(yù)定位底座及轉(zhuǎn)向定位底座，所述預(yù)定位底座與所述預(yù)定位旋轉(zhuǎn)氣缸相連，所述預(yù)定位底座位于所述預(yù)定位旋轉(zhuǎn)氣缸與所述轉(zhuǎn)向定位底座之間，所述轉(zhuǎn)向定位底座上開設(shè)有凹陷的預(yù)定位槽。優(yōu)先選擇地，所述預(yù)定位裝置還包括至少兩個(gè)光電傳感器，所述機(jī)架上固定有預(yù)定位氣缸底座，所述預(yù)定位旋轉(zhuǎn)氣缸固定于所述預(yù)定位氣缸底座上，所述預(yù)定位氣缸底座上設(shè)有相對(duì)設(shè)置的四個(gè)定位架，所述預(yù)定位底座及轉(zhuǎn)向定位底座位于四個(gè)所述定位架支之間，兩個(gè)所述光電傳感器分別固定于兩個(gè)所述固定架上。芯片測(cè)試機(jī)通常集成了多個(gè)測(cè)試模塊。杭州MINILED芯片測(cè)試機(jī)廠家直銷
測(cè)試系統(tǒng)的基本工作機(jī)制：對(duì)測(cè)試機(jī)進(jìn)行編寫程序，從而使得測(cè)試機(jī)產(chǎn)生任何類型的信號(hào)，多個(gè)信號(hào)一起組成測(cè)試模式或測(cè)試向量，在時(shí)間軸的某一點(diǎn)上向DUT施加一個(gè)測(cè)試向量，將DUT產(chǎn)生的輸出反饋輸入測(cè)試機(jī)的儀器中測(cè)量其參數(shù)，把測(cè)量結(jié)果與存儲(chǔ)在測(cè)試機(jī)中的“編程值”進(jìn)行比較，如果測(cè)量結(jié)果在可接受公差范圍內(nèi)匹配測(cè)試機(jī)中的“編程值”，那么這顆DUT就會(huì)被認(rèn)為是好品，反之則是壞品，按照其失效的種類進(jìn)行記錄。晶圓測(cè)試(wafer test,或者CP-chip probering)：就是在晶圓上直接進(jìn)行測(cè)試，下面圖中就是一個(gè)完整的晶圓測(cè)試自動(dòng)化系統(tǒng)。福州MINILED芯片測(cè)試機(jī)市價(jià)芯片測(cè)試機(jī)可對(duì)芯片的上市時(shí)間作出評(píng)估。
下面對(duì)本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)或原理進(jìn)行說明：使用本發(fā)明的芯片測(cè)試機(jī)進(jìn)行芯片測(cè)試時(shí)，首先在自動(dòng)上料裝置上放置多個(gè)tray盤，每一個(gè)tray盤上均放滿或放置多個(gè)待測(cè)試芯片，同時(shí)在自動(dòng)下料裝置和不良品放置臺(tái)上分別放置空的tray盤。測(cè)試機(jī)啟動(dòng)后，由移載裝置從自動(dòng)上料裝置的tray盤中吸取待測(cè)試芯片移載至測(cè)試裝置進(jìn)行測(cè)試，芯片測(cè)試完成后，移載裝置將測(cè)試合格的芯片移載至自動(dòng)下料裝置的空tray盤中，將不良品移載至不良品放置臺(tái)的空tray盤中放置。當(dāng)自動(dòng)上料裝置的一個(gè)tray盤中的芯片全部完成測(cè)試，且自動(dòng)下料裝置的空tray盤中全部裝滿測(cè)試后的芯片后，移載裝置將自動(dòng)上料裝置的空tray盤移載至自動(dòng)下料裝置。本發(fā)明的芯片測(cè)試機(jī)的結(jié)構(gòu)緊湊，體積較小，占地面積只為一平米左右，可滿足小批量的芯片測(cè)試需求。
動(dòng)態(tài)測(cè)試測(cè)試方法：準(zhǔn)備測(cè)試向量如下（以8個(gè)pin腳為例）在上面示例的向量運(yùn)行時(shí)，頭一個(gè)信號(hào)管腳在第2個(gè)周期測(cè)試，當(dāng)測(cè)試機(jī)管腳驅(qū)動(dòng)電路關(guān)閉，動(dòng)態(tài)電流負(fù)載單元開始通過VREF將管腳電壓向+3V拉升，如果VDD的保護(hù)二極管工作，當(dāng)電壓升至約+0.65V時(shí)它將導(dǎo)通，從而將VREF的電壓鉗制住，同時(shí)從可編程電流負(fù)載的IOL端吸收越+400uA的電流。這時(shí)候進(jìn)行輸出比較的結(jié)果將是pass，因?yàn)?0.65V在VOH（+1.5V）和VOL（+0.2V）之間，即屬于“Z態(tài)”。如果短路，輸出比較將檢測(cè)到0V；如果開路，輸出端將檢測(cè)到+3V，它們都會(huì)使整個(gè)開短路功能測(cè)試結(jié)果為fail。注：走Z測(cè)試的目的更主要的是檢查是否存在pin-to-pin的短路。芯片測(cè)試機(jī)能夠進(jìn)行噪聲測(cè)試，測(cè)試電路在噪聲環(huán)境中的穩(wěn)定性。
CP測(cè)試內(nèi)容和測(cè)試方法：1、SCAN，SCAN用于檢測(cè)芯片邏輯功能是否正確。DFT設(shè)計(jì)時(shí)，先使用DesignCompiler插入ScanChain，再利用ATPG（Automatic Test Pattern Generation）自動(dòng)生成SCAN測(cè)試向量。SCAN測(cè)試時(shí)，先進(jìn)入Scan Shift模式，ATE將pattern加載到寄存器上，再通過Scan Capture模式，將結(jié)果捕捉。再進(jìn)入下次Shift模式時(shí)，將結(jié)果輸出到ATE進(jìn)行比較。2、Boundary SCAN，Boundary SCAN用于檢測(cè)芯片管腳功能是否正確。與SCAN類似，Boundary SCAN通過在IO管腳間插入邊界寄存器（Boundary Register），使用JTAG接口來控制，監(jiān)測(cè)管腳的輸入輸入出狀態(tài)。芯片測(cè)試機(jī)可以用于進(jìn)行芯片的時(shí)序分析。佛山芯片測(cè)試機(jī)價(jià)位
芯片測(cè)試機(jī)可以提供定制化的測(cè)試方案，以滿足工程師的需求。杭州MINILED芯片測(cè)試機(jī)廠家直銷
當(dāng)芯片需要進(jìn)行高溫加熱時(shí)，可以先將多個(gè)待測(cè)試芯片移動(dòng)至預(yù)加熱工作臺(tái)95的多個(gè)預(yù)加熱工位96進(jìn)行預(yù)加熱，在測(cè)試的時(shí)候，可以減少高溫加熱頭71的加熱時(shí)間，提高測(cè)試效率。當(dāng)自動(dòng)上料裝置40上的來料芯片的放置方向與測(cè)試裝置30測(cè)試時(shí)需要放置的芯片的方向不一致時(shí)，需要首先對(duì)待測(cè)試芯片進(jìn)行預(yù)定位，故本實(shí)施例在機(jī)架10上還設(shè)置有預(yù)定位裝置100。預(yù)定位裝置100包括預(yù)定位旋轉(zhuǎn)氣缸101、預(yù)定位底座102及轉(zhuǎn)向定位底座103，預(yù)定位底座102與預(yù)定位旋轉(zhuǎn)氣缸101相連，預(yù)定位底座102位于預(yù)定位旋轉(zhuǎn)氣缸101與轉(zhuǎn)向定位底座103之間，轉(zhuǎn)向定位底座103上開設(shè)有凹陷的預(yù)定位槽104。杭州MINILED芯片測(cè)試機(jī)廠家直銷